SCI Библиотека

Представлены результаты исследований индиевых микроконтактов на кристаллах БИС считывания и матричных фоточувствительных элементов после их гибридизации и последующей расстыковки, зависимости усилия отрыва от площади микроконтактов, а также вероятность появления дефектов БИС считывания после гибридизации. Индиевые микроконтакты на кристаллах БИС считывания изготовлены по технологии ионного травления, на кристаллах МФЧЭ методом химического травления. Исследованы фотоприемники форматов 320256 с шагом 30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм на основе антимонида индия.

При помощи инфракрасного фурье-спектрометра измерялись спектры фотоотражения нелегированного InSb, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке n+-InSb. По периоду наблюдаемых при низких температурах осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжённость приповерхностного электрического поля. Поскольку значение пиннинга уровня Ферми стабилизировалось обработкой образцов в водном растворе Na2S, величина поля зависела, в основном, от концентрации свободных носителей заряда. Обнаружено влияние температуры предварительного отжига подложки на концентрацию электронов в эпитаксиальном слое.

Исследованы неохлаждаемые иммерсионные фотоприемники для среднего инфракрасного диапазона на основе гетероэпитаксиальных структур InxGa1-xAsySb1-y/GaSb при значениях x = 0,18, y = 0,17. Приведены сведения о технологии и конструкции фотодиодов. Произведена оценка потерь излучения в стыковочном узле, составляющая от 19 до 24 % для линз, изготовленных из стекла, CdTe, SrTiO3. Измерены диаграммы направленности излучения иммерсионных фотоприемников, которые показали усиление сигнала на оси в 2—3 раза при углах обзора 80—90 градусов по уровню 0,5. Приведена спектральная характеристика, имеющая nобразный вид с границами чувствительности 1,8—2,24 мкм.

На рынке образовательных услуг в качестве основных поставщиков услуг выступают образовательные организации различной формы собственности. Внешняя среда рынка образовательных услуг является неоднородной и турбулентной, она постоянно меняется под влиянием факторов различного характера, на внешнюю среду оказывают внимание факторы экономического, технологического, социального и правового характера. Выявление особенностей рынка образовательных услуг и оценка влияния факторов внешней среды на функционирование образовательных организаций, представляет теоретико-практический интерес и является актуальным. Данное исследование было направлено на выявление особенностей и факторов развития регионального рынка образовательных услуг в сегменте высшего образования. На деятельность ВУЗов действует целая система факторов, все факторы действуют разнонаправлено, одни факторы - предоставляют возможности, другие - угрозы деятельности, но в любом случае, при планировании деятельности ВУЗы должны адаптировать свои стратегические программы к влиянию факторов среды. Анализ состояния регионального рынка образовательных услуг позволил выявить следующие особенности его развития: усиление конкуренции на рынке образовательных услуг; отток перспективной молодежи из региона; уменьшение числа негосударственных ВУЗов; сокращение контрольных цифр приема по общественным направления и специальностям; развитие социальных медийных каналов, используемых для взаимодействия с контактными аудиториями; появление новых образовательных учреждений-конкурентов из других регионов с развитием системы дистанционного образования.

Исследована долговременная стабильность МФПУ на основе антимонида индия формата 640512 элементов с шагом 15 мкм с охладителем типа интегральный Стирлинг и блоком сопряжения. Получены зависимости показателя корректируемости от времени работы МФПУ после проведения двухточечной коррекции неоднородности. Рассмотрены МФПУ с двумя схемами ячейки БИС считывания, отличающиеся емкостями накопления и коэффициентами передачи в ячейке. Время долговременной стабильности МФПУ на основе InSb составляет несколько часов, что обеспечивают длительную работу устройства в тепловизионных системах без дополнительной калибровки.

Авторами исследовалась возможность подавления раннего краевого пробоя в планарных лавинных фотодиодах на основе гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs. Для этого использовалась диффузия цинка в запаянной ампуле при температурах 500 °С, 450 °С. Определены распределение носителей заряда в диффузионном слое и глубина диффузии как в монокристаллическом InP, так и в лавинной структуре на основе InP/InGaAs в зависимости от режима проведения диффузии. Распределение носителей заряда в диффузионном слое в монокристаллическом InP определялось методом электрохимического профилирования с последующим измерением CV-характеристик барьера электролит-полупроводник, а глубина p–nперехода в лавинной структуре путем пересчета CV-характеристик p–n-переходов. В результате использования двухстадийной диффузии цинка была получена конфигурация p–nперехода с заглубленной на 1,5 мкм центральной областью и мелкой периферией (охранным кольцом) на глубине 0,65 мкм. При этом напряжение пробоя фотодиода с охранным кольцом превышает на 3В напряжение пробоя фотодиода без охранного кольца, а уровень темновых токов у всех фотодиодов вплоть до пробоя не превышает 10 нА.

В работе проведено исследование специфики формирования и эволюции электрически активных радиационных дефектов при имплантации ионов бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe с различным составом в области внедрения имплантанта. Эпитаксиальные пленки, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучались ионами бора с энергией 100 кэВ в диапазоне флюенса 1012—1015 см-2. Измерение электрофизических параметров образцов до и после облучения производилось методом ЭДС Холла в конфигурации Ван-дер-Пау. Распределение объемной концентрации электронов по глубине облученного материала определялось методом дифференциальных холловских измерений. Полученные экспериментальные данные однозначно показывают, что результаты ионной имплантации определяются зависимостью динамики накопления электрически активных радиационных дефектов и электрофизических свойств материала от состава КРТ.

С развитием цифровых технологий и появлением финтех-стартапов, корпоративные финансы стали сталкиваться с новыми вызовами и возможностями. Постоянные изменения внешней среды, в том числе частая смена конъюнктуры на финансовых рынках, нестабильность валют актуализируют важность регулярного мониторинга финансовых рисков и оперативного управления ими, что требует более тщательного исследования. Для исследования применялись основные научные методы, такие как: анализ литературы и источников, исследовательская методология, статистический анализ данных. В статье рассматриваются основные тренды и инновации в сфере финтех, которые могут быть применены для эффективного управления корпоративными финансами. Автор статьи исследует роль блокчейн-технологии, искусственного интеллекта, больших данных и автоматизированных систем в корпоративных финансах. В статье проведен анализ преимуществ, связанных с использованием рассматриваемых технологий, таких как повышенная эффективность, прозрачность, надежность и снижение издержек. Кроме того, рассматриваются риски и вызовы, связанные с внедрением этих инновационных финтех-технологий. По результатам исследования автор предлагает стратегии и подходы для успешной адаптации и использования инновационных финтех-технологий в корпоративных финансах в условиях цифровой экономики. В заключении автор приходит к выводу, что инновационные финтех-технологии представляют значительный потенциал для улучшения управления корпоративными финансами в условиях цифровой экономики, при этом выделяется, что их внедрение требует тщательного планирования, адаптации и обеспечения безопасности, в целях максимально эффективного их использования, с учетом их преимуществ, с акцентом на снижение рисков, которые они могут представлять.

Экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика CdTe/Al2O3 путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с приповерхностными варизонными слоями с повышенным содержанием CdTe. Показано, что структура с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 имеет по сравнению со структурой с одним слоем Al2O3 существенно меньшие значения плотности медленных состояний на границе раздела (в 50—100 раз) и плотности быстрых поверхностных состояний (в 50—100 раз). Можно сделать вывод, что двухслойный диэлектрик CdTe/Al2O3 образует качественную границу раздела с n-Hg1-xCdxTe (x = 0,39).

Цель данной статьи заключается в анализе трансформации внутренних туристских потоков и их влияние на индустрию туризма и гостеприимства. Внутренний туризм становится ключевым направлением, вытесняя выездной туризм из-за глобальных ограничений и новых реалий. Внутренний туризм успешно адаптируется к этим изменениям, предлагая отечественным компаниям новые возможности. Одновременно туристы ищут альтернативные внутренние направления из-за изменений в экономической и политической сферах. Научная новизна заключается в анализе современного внутреннего туризма с учетом всех факторов, которые непосредственно повлияли на развитие сферы внутреннего туризма в сегодняшних реалиях. Исследование включает анализ популярных регионов, факторов выбора, перераспределение потоков в условиях новой обстановки и проблему несовершенства внутреннего туризма. Также в работе предлагаются рекомендации по развитию внутреннего туризма, которые поспособствовали бы снижению рисков, с которыми сталкивается индустрия туризма на сегодняшний день в ходе резкой трансформации туристских потоков. Важным выводом является усиление тенденции к росту внутреннего туризма, при снижении доли выездных поездок, подтвержденное данными 2022-2023 годов. Таким образом, данное исследование перспектив развития внутреннего туризма носит инновационный и практический характер.