Монография посвящена неодномерным упруго-пластическим задачам. Рассмотрены сдвиг, кручение, плоская: деформация, плоское напряженное состояние, пространственная задача и смежные вопросы. Даны наиболее важные аналитические решения и приведена сводка некоторых численных результатов.
Книга предназначена для научных работников, специализирующихся по механике деформируемого твердого тела, и инженеров, имеющих дело с расчетами на прочность.
В книге кратко излагаются основы теории дислокаций — линейных дефектов структуры кристаллов, которыми определяются механические, а также многие физические и химические свойства твердых тел.
Книга рассчитана на широкий круг специалистов в разных областях науки и техники, желающих получить представление о дислокациях в кристаллах или приступить к изучению этой области физики.
Как труд одного из создателей теории дислокаций, книга представляет интерес также и для специалистов по физике твердого тела.
Справочник по технологии тонких пленок — наиболее современное и фундаментальное издание, посвященное тонким пленкам твердых веществ, находящим широкое применение в микроэлектронике, оптике, магнитной технике, СВЧ и космической технике и др. Справочник издается в двух томах. В т. 1 включены гл. 1—7, в т. 2 — гл. 8—21.
В т. 2 справочника рассмотрены особенности тонких пленок: их рост и структура, методы ее исследования, толщина и химический состав пленок, а также зависимость их структуры от технологии.
Излагаются физические свойства полупроводниковых диэлектрических, ферромагнитных, пьезоэлектрических и сверхпроводящих пленок и зависимость параметров пленок от технологии. Отражены также основные направления применения тонких Пленок в интегральных микросхемах, СВЧ устройствах, создании дискретных электронных элементов.
Книга является универсальным справочным пособием для широкого круга инженеров и конструкторов радиоэлектродной аппаратуры, разработчиков интегральных микросхем и радиоэлектронных элементов, научных работников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, физики и технологии изготовления тонких пленок.
Проблема роста тонких пленок сложна и многогранна, отдельным ее аспектам посвящен ряд обзоров и монографий. Цель настоящей монографии - дать с единых позиций последовательный количественный анализ ростовых закономерностей и морфологических изменений в тонких пленках, растущих по островковому механизму, на всех стадиях конденсации, от зарождения до формирования сплошного слоя. Отличительной особенностью анализа является учет существенно статистической природы коллектива растущих и взаимодействующих островков, из которого в конечном итоге и формируется сплошная пленка.
В монографии подробно рассмотрены различные аспекты существующих теорий теплового расширения твердых тел: вопросы взаимосвязи теплового расширения с другими свойствами твердых тел, влияние различных факторов на величину теплового расширения; методы исследования, охватывающие область от 1,5 до 4000° К; экспериментальные результаты исследований теплового расширения элементов периодической системы, полупроводниковых соединений, сталей и железоникелевых сплавов. Представлен большой справочный материал.
Книга рассчитана на широкий круг специалистов в области физики твердого тела и физико-химии.
Книга написана коллективом специалистов США и ФРГ и посвящена методам анализа поверхности твердого тела Дается общая классификация этих методов и подробно излагаются такие методы, как спектрометрия рассеяния медленных ионов, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, электронная оже-спектроскопия, вторично-ионная массспектрометрия и полевая массспектрометрия.
Предназначена для широкого круга научных работников физиков и химиков, металловедов и материаловедов, инженеров н технологов, а также для преподавателей нузов и студентов соответствующих специальностей.
Задачник содержит более 350 оригинальных задач по основным разделам кристаллофизики, которые дают возможность уяснить физический смысл различных коэффициентов, характеризующих свойства кристаллов, оценить их величину и анизотропию, а также выбрать оптимальные значения коэффициентов в зависимости от конкретных условии практического применения кристаллов. В задачник включены также краткие теоретические сведения и справочные данные, облегчающие решение задач и дающие наглядное представление о порядках реальных крпсталлофпзпческпх характеристик. Настоящее издание дополнено задачами по свойствам кристаллов, получивших применение в новейших приборах электронной техники (пьезорезпстпвные свойства, нелинейные оптические свойства и др.).
В третьем томе комплекса учебников серии «Прикладная механика сплошных сред» изложены вопросы использования разностных методов вычислительной математики применительно к задачам физики быстропротекающих процессов. Рассмотрены фундаментальные понятия теории разностных схем, представлены основные разностные схемы и методы численного решения одномерных задач: сеточные методы, численный метод характеристик, методы семейства «частиц в ячейках». Приведены постановки, алгоритмы численного решения и результаты решения ряда одномерных и двумерных нестационарных задач при использовании лагранжевых, эйлерово-лагранжевых и эйлеровых методов. Обсуждены проблемы технологии проведения вычислительного эксперимента и приведены примеры, демонстрирующие возможности численного моделирования как инструмента исследования быстропротекающих процессов.
Материал этого учебника предназначен для первоначального ознакомления учащихся высших технических учебных заведений с теорией разностных схем и основами практического использования численных методов при решении задач физики взрыва и механики высокоскоростного соударения различных деформируемых тел и сред. В основу учебника положен материал лекций, читаемых авторами студентам МГТУ им. Н.Э. Баумана.
Для студентов технических университетов и вузов.
Книга представляет собой современное, наиболее полное руководство по кристаллофизике. В ней изложены основные сведения по кристаллографии, электростатика и теория упругости кристаллов, пьезоэлектричество, основы кристаллооптики и кристаллоакустики, кристаллофизические аспекты термодинамики, теория фазовых переходов в кристаллах, применение антисимметрии и магнитной симметрии в кристаллофизике, обобщение принципа Онсагера на магнитные кристаллы, кристаллофизические вопросы нелинейной оптики и акустики и др. В книге дан математический аппарат, необходимый для понимания и активного усвоения предмета, приведены многочисленные справочные таблицы.
Издание соответствует программе курса «Рентгеноструктурный анализ». Оно содержит основные теоретические положения рентгеновского метода качественного фазового анализа. Даны практические рекомендации по определению фазовых составляющих исследуемого образна и пути повышения точности метода.
Предназначено для студентов специальности «Физика конденсированного состояния вещества» физического факультета университета.
