Исследована степень разложения метилэтилкетона в водном растворе при воздействии плазмы высоковольтного наносекундного разряда, инициируемого над поверхностью и в объёме раствора. Электроразрядная очистка от тестового загрязнителя производилась для образцов растворов на основе дистиллированной и грунтовой вод. Наибольшая степень разложения метилэтилкетона около 94 % была получена для случая раствора на основе грунтовой воды при воздействии неравновесной низкотемпературной плазмы разряда в воздухе атмосферного давления, формируемой над поверхностью раствора. Показано, что увеличение степени разложения тестового загрязнителя обеспечивается в режиме растягивания во времени процесса обработки растворов плазмой, а не увеличения частоты следования импульсов напряжения.
Впервые получено интегро-дифференциальное уравнение для расчета проникновения магнитного поля в сверхпроводник в мейснеровском состоянии для нестационарного случая с учетом возбуждения как сверхпроводящих, так и нормальных электронов согласно двухжидкостной модели сверхпроводников. При синусоидальном изменении магнитного поля данное интегро-дифференциальное уравнение сводится к модифицированному уравнению Лондонов, в котором получено комплексное выражение для глубины проникновения переменного магнитного поля в зависимости от частоты изменения магнитного поля и долей концентраций нормальных и сверхпроводящих электронов. С помощью модифицированного уравнения Лондонов рассмотрено проникновение переменного магнитного поля в плоскопараллельную сверхпроводящую пластину конечной толщины в зависимости от частоты поля.
Исследование квазистационарного электромагнитного поля на оси тороидального соленоида электрометрическим методом. Произведен эксперимент по обнаружению электрического поля на оси внутреннего отверстия экранированного тороидального соленоида с переменным током частотой 50 Гц. Измеренная электрометрическим методом ЭДС составляет 250 мВ. Показа-но, что это не связано с магнитным полем рассеяния. Полученный результат объясняется присутствием на оси тороида нестационарного векторного потенциала. За счет этого возникает силовое воздействие на электроны в металлическом зонде. Обсуждаются возможные теоретические вопросы и технические задачи, связанные с использованием электрических систем тороидального типа. Исследование квазистационарного электромагнитного поля на оси тороидального соленоида электрометрическим методом. Произведен эксперимент по обнаружению электрического поля на оси внутреннего отверстия экранированного тороидального соленоида с переменным током частотой 50 Гц. Измеренная электрометрическим методом ЭДС составляет 250 мВ. Показа-но, что это не связано с магнитным полем рассеяния. Полученный результат объясняется присутствием на оси тороида нестационарного векторного потенциала. За счет этого возникает силовое воздействие на электроны в металлическом зонде. Обсуждаются возможные теоретические вопросы и технические задачи, связанные с использованием электрических систем тороидального типа.
В статье говорится о существующих современных методах
литографии. Описаны общие шаги процесса литографии в
полупроводниковом производстве. Рассмотрены тенденции развития
полупроводниковой промышленности в целом.
Произведен анализ методов литографии на основе информации о
современной полупроводниковой промышленности, и выбран наиболее
инновационный метод литографии: электронная лучевая литография, – как
метод, позволяющий повысить технологически уровень полупроводниковой
промышленности
Датчики систем пожарной охраны для бюджетного потребителя имеют высокую долю ложных срабатываний. Представлен проект многоспектральной системы обнаружения возгорания, в которой полезный сигнал выделяется на фоне ложных помех путем комбинации сигналов с сенсоров, анализирующих изображения в нескольких спектральных (видимом, среднем ИК-, тепловом ИК-) диапазонах. Приведены результаты тестовых испытаний
Рассмотрено текущее состояние и перспективы развития мирового рынка
полупроводникового поликристаллического кремния (ПКК). Отмечено, что после долгого
периода низких цен на ПКК, что препятствовало росту инвестиций в отрасль, наступает пе-
риод выравнивания цен до уровня инвестиционной привлекательности. Приведены оценки баланса спроса и предложения до 2024 г. и в долгосрочной перспективе. Проанализированы основные технологические схемы получения ПКК в современных условиях. Отмечено, что некоторый профицит рынка ПКК сохранится в ближайшей и среднесрочной перспективе.
Однако провозглашенный всеми правительствами «зеленый поворот» в энергетике, развитие локальных рынков и восстановление цен до инвестиционно-привлекательного уровня, способствовали появлению новых проектов заводов по производству ПКК. Важным для России является вопрос выбора технологических особенностей реализации метода Сименс-ТХС.
Особенность ситуации в России — это наличии нескольких крайне важных рынков (солнечной энергетики, микроэлектроники, силовой электроники, фотоники, волоконной оптики), которые являются по мировым меркам незначительными и в равной мере испытывающими нехватку собственного сырья. Для России, по-видимому, особенную ценность могут представлять комплексные проекты
В прошлом году исполнилось 150 лет гениальному предсказанию Д.И. Менделеева, опи-
савшего свойства еще никому не известного экасилиция. Он отвел под него одну из пу-
стых ячеек своей таблицы – с предполагаемой атомной массой и другими характеристиками. А через 15 лет состоялось открытие этого элемента немецким химиком Клеменсом Александром Винклером, который получил его из редкого минерала – аргиродита (4Ag2S-GeS2) и назвал германием, предварительно заручившись на то согласием Менделеева.
Полупроводниковые материалы, в первую очередь кремний, занимают одно из ведущих мест в ряду компонентов, определяющих уровень развития современной электронной
техники. Теперь рассмотрим наиболее важные ранние исследования и разработки российских ученых по материаловедению и созданию промышленной базы производства полупроводникового кремния, в том числе малоизвестные. Публикация приурочена к 60-летию получения первого промышленного монокристалла кремния и к 70-летию начала промышленного полупроводникового материаловедения в России.
В работе обсуждается современное состояние технологии получения, а также особенности мирового рынка арсенида галлия, дан анализ тенденций его развития. Рассмотрены особенности различных технологий выращивания кристаллов арсенида галлия; проведен анализ характеристик получаемых материалов, приборов на их основе, а также основных производителей
Полупроводниками в широком смысле слова называют вещества, занимающие по степени удельного сопротивления промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Некоторые из них по своим свойствам ближе к металлам, другие – к неметаллам. Однако вопрос, сколько именно элементов Периодической системы обладают полупроводниковыми свойствами, порой вызывает разногласия. Обычно говорят 12, но могут ответить, что 13 и даже 14, имея в виду также элементы, входящие в состав сложных полупроводников.
О сложных полупроводниках, их производстве и применении и пойдет речь в данной статье.