Георгий Антонович Гамов (1904–1968) — один из отцов-основателей современной физики, известный своими работами в области квантовой механики, атомной и ядерной физики, астрофизики, космологии, биологии. В начале прошлого века классическую физику потрясли две великие революционные теории. Одна из них — теория относительности Альберта Эйнштейна — произвела переворот в классической концепции пространства-времени. Вторая — квантовая — родилась и развивалась в содружестве целого созвездия ученых, таких как Макс Планк, Нильс Бор, Вернер Гейзенберг, Поль Дирак… В своей книге «Тридцать лет, которые потрясли физику» Георгий Гамов рассказывает захватывающую историю «мозгового штурма» великих умов, в котором и сам он принимал непосредственное участие.
Настоящий сборник посвящён юбилею А. В. Чернецова — большого учёного, историка и археолога, специалиста в области средневековой Руси, её материальной и духовной культуры.
В книгу вошли работы коллег из разных научных учреждений страны и зарубежья, отражающие сферу научных интересов юбиляра. Сборник будет интересен не только узким специалистам, но и широкому кругу читателей.
Создание эффективных ускорителей нейронных сетей на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) задает новые требования к компиляторам, работающим с ПЛИС. Ускорители нейронных сетей состоят из очень большого числа идентичных схем. Примером таких схем являются умножители малой точности. Именно поэтому, для того чтобы получить максимальную производительность необходимо строить эти небольшие схемы оптимальным образом. В данном случае оптимальность подразумевается с точки зрения размера синтезируемой схемы и ее задержки. Точный синтез, основанный на задаче ВЫПОЛНИМОСТЬ (англ. satisfiability, SAT) - известная и эффективная техника для построения оптимальных схем для функций алгебры логики с маленьким числом входов. В данной работе был применен метод точного синтеза к адаптивным логическим модулям (АЛМ) современных ПЛИС корпорации Intel. Для этого был разработан программный комплекс на базе SAT-решателя, который строит оптимальные схемы на основе АЛМ блоков архитектуры Stratix10 и Agilex. Применяя данный программный комплекс для синтеза оптимальных схем умножителей небольшой размерности, было показано, что новые схемы на 10-50% эффективнее с точки зрения размера по сравнению со схемами построенными Quartus Complier. Кроме того, в некоторых случаях удалось получить схемы, которые имеют меньшее значение задержки. В заключение отметим, что, насколько нам известно, в данной работе впервые методы точного синтеза были применены к архитектурам современных коммерческих ПЛИС.
Методами атомно-силовой микроскопии изучена поверхность образцов аморфной электротехнической стали (фольги) Fe(Ni, Cu)(SiB) толщиной около 100 мкм, шириной 10 мм, длиной 50 мм, которая была получена методом сверхбыстрого охлаждения при распылении расплава на вращающемся барабане. На контактной поверхности фольги обнаружены характерные структурные элементы, наличие которых в различных местах поверхности может существенно влиять на электротехнические свойства материала.
В работе приводится обобщенная методика расчета схемы пассивного смесителя частот с управлением по току на любой промежуточной частоте с учетом резонансного характера входного импеданса источника тока и выходной нагрузки. Схема смесителя моделируется в среде Micro-Cap и результат сравнивается с расчетом. Предложена цепь компенсации гармоник на выходе плеч. Эта цепь позволяет существенно подавить уровень гармоник и повысить передаточный импеданс смесителя. Рассмотрены частотные зависимости передаточного импеданса.
Статья является развитием работ, в которых рассмотрена методика анализа диодных преобразователей частоты в базисе узловых потенциалов. В данной статье вводится в рассмотрение эквивалентная схема диода с учётом его емкостных параметров. Проведён линейный анализ диодных преобразователей частоты: балансного, двойного балансного и тройного балансного. Получены выражения для коэффициента передачи, развязки «вход-выход» и развязки «гетеродин-выход». Рассмотрено влияние технологического разброса параметров диодов на коэффициент передачи и развязки по портам. Проведена оценка частотных свойств преобразователей частоты. Представлены результаты расчёта и моделирования вышеперечисленных характеристик.
Усилитель мощности (УМ) класса Е широко используется в системах индуктивной передачи энергии (ИПЭ) для питания различных электронных устройств. Однако при обеспечении требуемых выходных характеристик систем возникают трудности в проектировании УМ, что ведёт к увеличению времени его разработки. Для оптимизации проектирования было выполнено сравнение выходных характеристик систем ИПЭ с УМ класса Е и систем ИПЭ с резонансным LC-контуром в передатчике. Сравнение проводилось в ходе численного моделирования систем в программах LTSpice и Matlab. В ходе исследования УМ класса Е работал в номинальном режиме как при одном коэффициенте связи катушек индуктивности систем ИПЭ, так и на заданном диапазоне этих коэффициентов. Иначе говоря, проводилась как статическая, так и динамическая регулировка конденсаторов УМ. В результате исследования отмечена сходимость выходных характеристик между системами ИПЭ с динамически регулируемым УМ класса Е и системами ИПЭ с резонансным LC-контуром в передатчике. На основе результатов исследования предложены правила проектирования УМ класса Е в зависимости от степени связи передающей и принимающей катушек индуктивности системы ИПЭ.
В статье рассмотрена математическая модель интервального измерения траекторной скорости доплеровским радиолокационным устройством. Проведен ее анализ и определены основные параметры и характеристики, влияющие на точность. Выявлена зависимость относительных ошибок при различных наклонных дальностях измерения. Построена аддитивная математическая модель относительной ошибки измерения траекторной скорости. Проверена корректность модели на экспериментальных данных. Для получения доплеровского сдвига частоты предложено радиолокационное устройство ближнего действия с двойным преобразованием частоты, которое обладает повышенной чувствительностью по сравнению с устройством с прямым преобразованием.
В сфере микро- и наноэлектроники многие ученые год за годом проявляют огромный интерес в поисках и исследованиях новых материалов, способствующих кардинальному расширению электронной компонентной базы, что связано, в первую очередь, со значительным ростом затрат производства при масштабировании научно-технических процессов [1]. Ярким примером таких материалов служат пористые оксидные пленки, актуальность исследования которых обусловлена их применением в фотодетекторах, светодиодах, катодах вакуумной микроэлектроники, в роли межслойной изоляции интегральных микросхем (ИМС) [2], наномембранах, антибликовых покрытий в приборах оптической электроники [3]. За счет применения этих пленок в качестве изолирующих материалов заметно повышается скорость распространения электрических сигналов, из-за более низкой диэлектрической проницаемости, чем у непористых структур, снижаются потери на электропроводность [4], что также позволяет использовать диоксид кремния, модифицированный углеродом, для уменьшения потери мощности в ИМС СВЧ-диапазона [5]. Целью данной статьи являлось исследование электрофизических свойств пористых пленок диоксида кремния. Объект исследования -тонкопленочная структура металл-диэлектрик-металл (МДМ) на основе диоксида кремния, модифицированного углеродом.
Рассматриваются базовые схемотехнические решения операционных усилителей (ОУ), ориентированные на изготовление на одном GaAs кристалле полевых транзисторов (field effect transistor, FET) со встроенным каналом n-типа и p-n-p транзисторов. Предлагается перспективная архитектура трехкаскадного ОУ на основе pHEMT (pseudo morphic high electron mobility transistor) и p-n-p HBT (hetero junction bipolar transistor), в которой реализуются малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, обусловленной влиянием токов базы p-n-p транзисторов и его температурными и радиационными изменениями. Исследуется три варианта построения входных каскадов, в которых предусмотрено увеличение на 1-2 порядка крутизны усиления при работе pHEMT в микроамперных диапазонах токов (10-100 мкА).