SCI Библиотека

В статье раскрывается роль информационно-коммуникационного и цифрового сектора экономики в развитии страны и регионе. Представлена обобщенная и дополненная классификация видов экономической деятельности цифровой экономики и проанализирована доля реализованной продукции организациями разных отраслей и сфер деятельности в электронном виде в России. Проведено сравнение использования цифровых технологий и информационно-коммуникационных технологий в субъектах хозяйствования в стране и Краснодарском крае. Предложена авторская модель эффективного управления организациями цифрового и информационно-коммуникационного сектора.

Статья посвящена комплексному анализу роли международных кредитных отношений в экономическом развитии стран с формирующимся рынком. Автор раскрывает двойственную природу внешних заимствований, которые, с одной стороны, служат катализатором экономического роста, а с другой - создают серьёзные риски долговой зависимости. В статье систематизированы основные аспекты международного кредита, формы классификации, проанализирована специфика его функционирования в глобальном масштабе. Особое внимание уделено деятельности ключевых международных финансовых институтов - МВФ, Всемирного банка, ЕБРР, а также тенденциям, связанным с китайской инициативой «Пояс и путь». На основе сравнительного анализа успешных и кризисных ситуаций стран выявлены факторы, определяющие эффективность использования международных займов. Автор в статье показывает, что в условиях постпандемийного периода и ужесточения денежно-кредитной политики развитых стран проблема долговой устойчивости развивающихся экономик приобретает особую актуальность. Практическая значимость работы заключается в разработке практических рекомендаций по оптимизации управления внешним долгом, включая меры по мониторингу долговой устойчивости, развитию внутренних финансовых рынков и повышению прозрачности кредитных соглашений.

In this study, we report on the synthesis of InGaAsSb epi-layer for optoelectronic devices in short infrared wavelengths (SWIR) at room temperature (RT). The InGaAsSb with lattice matched to GaSb substrate was grown by the molecular beam epitaxy (MBE) using the strain engineering. The structural and optical properties of InGaAsSb layer was investigated by high resolution X-ray diffractometer (XRD), and photoluminescence (PL). Devices with a 400×400 μm of size were fabricated using traditional photolithography and inductively coupled plasma etching. The spectral response of InGaAsSb photodetector with a 90% cutoff wavelength and electroluminescence spectra of light emitting diode (LED) obtained at 2.38 μm at an applied bias of –0.1 V and 2.25 μm with Jic = 500 mA, respectively at room temperature. Also, the spectral response of the detector indicates an increasing intensity and low noise when the temperature is high

Статья посвящена анализу современных тенденций автомобильного рынка России в условиях экономических и политических ограничений. Рассмотрены изменения в структуре продаж, вызванные уходом западных производителей и усилением позиций азиатских брендов. Особое внимание уделено вопросам логистики, локализации производства, развитию сегмента коммерческого транспорта и сервисной инфраструктуры. Проанализированы вызовы, связанные с технологическим отставанием, кадровым дефицитом и высокой стоимостью автокредитования. Отдельно освещены перспективы цифровизации, электрификации и внедрения инноваций, включая беспилотные технологии. Сделан вывод о способности рынка адаптироваться к внешним условиям и формировать устойчивую модель развития.

В работе последовательно рассмотрены предпосылки создания импульсных цезий–ртуть– ксеноновых ИК-источников с двумя сапфировыми оболочками. При этом теоретически выявлены факторы, определяющие параметры излучения газоразрядной лампы, сформирована математическая модель и выполнен расчет температурных, плазменных и радиационных характеристик разряда, а также выполнен комплекс экспериментальных, конструкторских и технологических исследований. Полученные результаты расчетных и экспериментальных исследований позволили впервые создать новое поколение отечественных импульсных газоразрядных источников ИК-излучения с разрядом смеси паров цезия, ртути и ксенона, ограниченным системой из двух сапфировых оболочек.

Рассматривается задача объединения разноспектральных цифровых изображений, формируемых мультиспектральной видеосистемой для отображения на одном цветном дисплее при условии полного сохранения информации, содержащейся в видеоканалах. Предлагаемый способ комплексирования изображений основан на линейном отображении совокупного спектрального диапазона видеосистемы на видимый человеком диапазон, который кодируется в вычислительной системе линейным цветовым пространством. Указанный подход позволяет добиться высокой реалистичности восприятия получаемых изображений и удобства его визуальной и автоматической интерпретации. Показано, что для полного сохранения информации при комплексировании необходимо, чтобы мерность цветового пространства была не ниже числа видеоканалов. Полученные решения и алгоритмы внедрены в аппаратно-программное обеспечение трёхспектральной видеосистемы RT-700Combo разработки ООО «РАСТР ТЕХНОЛОДЖИ», которая прошла успешные лётные испытания во ФГУП «ГосНИИАС».

Изучен рост свободного дендрита в однокомпонентном переохлажденном расплаве. Учтено, что по мере увеличения переохлаждения усиливается роль локально-неравновесного теплопереноса, повышается степень нестационарности процессов на фазовой границе. Предметом исследования являются морфологические свойства фронта кристаллизации и возникновение боковых ветвей дендрита. Рассмотрен класс поверхностей роста, скорость перемещения которых есть физически содержательная функция локального угла наклона поверхности к оси дендрита. Математическим аналогом такого подхода является задача отыскания формы тел, которые подвергаются аэродинамическому нагреву и уносу массы с обтекаемой поверхности. Изучены два (неособый и особый) автомодельных режима эволюции поверхности роста. В неособом случае по мере заострения вершины сохраняется вид первоначального контура поперечного сечения; например, впадина сужается в направлении роста. Особое автомодельное решение дает в начальном состоянии вершину, которая расщеплена на четыре самостоятельные ветви; в течение конечного промежутка времени наблюдается слияние этих ветвей в одну точку – вершину дендрита. Прикладные аспекты данной работы связаны с методами высокоскоростного затвердевания расплава и получением материалов с улучшенными эксплуатационными свойствами.

В процессе роста монокристаллов карбида кремния формируется развитая система различного рода дефектов, негативно влияющих на свойства полупроводникового материала. В кристаллах 4H-SiC, полученных на оборудовании компании PVA TePla (Германия), обнаружены характерные для микроразмерных дефектов статистически самоподобные поверхности раздела «поры-твердое тело» с фрактальными размерностями 2,20–2,60. Рентгеновское малоугловое рассеяние позволило зафиксировать структурные неоднородности в виде пор и их кластеров наномасштабного уровня. Построены функции распределения частиц по радиусам инерции и показано, что основная доля пор приходится на маломасштабные образования с радиусами инерции 25–30 Å. Поры и их кластеры формируют изогнутые цепочки с фрактальными размерностями 1,26–1,84. Структурные неоднородности масштаба 40–110 Å рассеивают рентгеновское излучение как шероховатые поверхности с фрактальными размерностями 2,31–2,95.

Выполнено комплексное исследование бриллиантов различного происхождения при комнатной температуре. Для натуральных бриллиантов и бриллиантов, облученных потоком электронов, получено уравнение характеристической функции в аналитическом виде, которая монотонно спадает во времени. Синтетические и облагороженные бриллианты имеют характеристические функции, которые могут быть получены только численным методом. Они содержат пульсации, амплитуда которых случайным образом меняется во времени. Форма их заметно отличается от кривых натуральных бриллиантов, что позволяет определить их происхождения.

Проведена разработка методики контроля распределения концентрации носителей заряда по профилю многослойных гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) с квантоворазмерной активной областью на основе гетеропары AlGaAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, средствами электрохимического вольт-фарадного профилирования (ECV). Разработана расчетная модель области пространственного заряда, формируемой на границе электролит–полупроводник. Проведен анализ ECV-профилей образцов гетеро-эпитаксиальных структур, выращенных на подложках GaAs <100>. Проведен расчет граничных значений глубины формируемой области пространственного заряда для различных концентраций носителей заряда в измеряемых слоях. Сделано заключение об ограниченности метода для контроля распределения концентрации носителей в квантоворазмерной области гетероэпитаксиальных структур.