В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал изложен чрезвычайно доступно и наглядно. В приложениях приводятся соотношения для расчета параметров и характеристик схем, а также программа на Бейсике для вычисления коэффициента усиления каскада на полевом транзисторе. Для студентов и преподавателей вузов по специальностям «Электронные приборы» и «Микроэлектроника».
В книге излагается систематический метод расчета трансформаторов разных типов. Основное назначение книги — служить учебным пособием для энергетических втузов; поэтому в книге даются не только методы расчета, но приводятся примеры комбинирования и расположения всех расчетов. Одновременно книга является справочным пособием по расчету трансформаторов для начинающих расчетчиков и всех электриков, которым приходится иметь дело с ремонтом и переделкой трансформаторов. Пользуясь прилагаемым формуляром и примерами, читающий изучает отдельные места книги по мере продвижения расчета. К книге приложены относящиеся к примерам чертежи и справочные таблицы.
В четвертом томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — биполярных транзисторов средней и большой мощности СВЧ. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы. В приложении даются зарубежные аналоги транзисторов, помещенных в справочник, и названия фирм изготовителей, представлен перечень транзисторов, входящих в 1-4 тома. Книга предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.
В книге излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые для расчетов дополнительные сведения, а также практические данные, соответствующие современному состоянию усилительной техники. Книга рассчитана на студентов, а также на техников и инженеров, проектирующих усилители на транзисторах.
В учебном пособии рассмотрены особенности построений и использования вторичных источников питания. Приведены основные схемы задающих генераторов. Описан принцип действия и дан расчет этих схем. Рассмотрены три типа ключевых усилителей мощности (КУМ): усилитель с нулевым выводом от обмоток трансформатора, мостовой и полумостовой усилители. Исследованы два случая работы КУМ: на активную и активно-индуктивную нагрузку. Даны рекомендации по уменьшению динамических потерь в транзисторах КУМ. Приведена схема КУМ с уменьшенными иглообразными всплесками перенапряжений на этих транзисторах и дан ее расчет. Особое внимание уделено упрощенному анализу импульсных регуляторов постоянного напряжения (ИРПН). Описан принцип действия и дан расчет четырех схем ИРПН. Показано, что каждая из схем характеризуется двумя режимами работы: непрерывных и прерывистых токов. Введено понятие характеристического параметра, с помощью которого может быть легко определен режим работы ИРПН. Установлены общие закономерности работы ИРПН. Введены в рассмотрение коэффициенты конфигурации, с помощью которых получены в обобщенном виде соотношения, описывающие установившийся процесс в любой схеме ИРПН.
Книга содержит комплекс сведений о физических явлениях в транзисторе, необходимых инженерам, занимающимся разработкой и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются электрические и тепловые параметры транзистора, его характеристики и эквивалентные схемы, максимально допустимые постоянные и импульсные токи, напряжения и мощности. Показаны возможности использования транзистора в качестве усилителя и переключателя в инверсном включении и в микрорежимах. Специальное внимание уделено связям параметров транзистора и рекомендациям по определению его данных, отсутствующих в справочниках и в ТУ. Книга предназначена для инженеров-разработчиков аппаратуры на транзисторах, а также может быть рекомендована в качестве учебного пособия для студентов соответствующих факультетов вузов.
В связи с массовым внедрением транзисторов в радиоэлектронную аппаратуру необходимо более глубокое изучение свойств типовых транзисторных схем и, в первую очередь, схем с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Эти три основные включения транзистора представляют собой наиболее распространенный в полупроводниковой электронике тип схем, причем любая более сложная схема часто может быть представлена как то или иное сочетание этих трех включений. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга рассчитана на широкий круг радиоспециалистов, занимающихся вопросами теории и расчета аппаратуры на транзисторах.
Книга посвящена исследованию четвертого режима работы активного элемента усилителей — режима D. В ней изложены методика теоретического и экспериментального анализа и приведены результаты исследования усилителей в режиме D с резистивно-емкостными и непосредственными связями. Применение таких усилителей в качестве элементов импульсных устройств усиления колебаний произвольной формы в системах дискретной автоматики и управления силовыми установками, а также в системах радиосвязи и радиовещания весьма перспективно. Книга предназначена для научных работников и инженеров, занимающихся проектированием и разработкой импульсных схем на транзисторах.
В современной электронике все большую роль играет микроэлектроника, но достаточно большое значение продолжает сохранять полупроводниковая техника, связанная с производством и применением дискретных приборов. Особое положение среди дискретных приборов занимают мощные полупроводниковые приборы и, в частности, мощные транзисторы. Они широко используются в различных электронных системах в качестве элементов управления, регулирования и стабилизации. Мощные полупроводниковые приборы — тиристоры и транзисторы — выступают в роли связующих элементов между электронной системой и исполнительными узлами и механизмами. В книге рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Издание предназначено для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных транзисторов.
В работе освещены методы проектирования и расчета резонансных усилителей на транзисторах. Основное внимание обращено на вопросы, не отраженные еще в литературе либо требующие дополнительного исследования: расчет усилителей с учетом особенностей транзисторов; использование справочных данных транзисторов; дополнение ряда теоретических положений по устойчивости схем; рекомендации по применению конкретных усилителей. Впервые в литературе делается попытка при расчете учесть влияние паразитных внешних связей в реальных конструкциях. Несмотря на исследование ряда чисто теоретических вопросов и применение сравнительно сложного матричного математического аппарата, анализ схем доведен до практических рекомендаций и простых расчетных формул. Книгой могут воспользоваться широкий круг специалистов, а также студенты старших курсов радиотехнических вузов.
