Определены пороговые значения плотности мощности моноимпульсного лазерного излучения с длиной волны λ = 1535 нм и длительностью 8,6 нс, приводящего к деградации In0,53Ga0,47As p–i–n фотодиода с обратной засветкой. Выявлен немонотонный характер изменения темнового тока: в диапазоне от 18,2 до 166,6 МВт/см2 зафиксировано его снижение, тогда как при превышении 216,8 МВт/см2 наблюдается резкий рост тока и потеря работоспособности фотодиода. Экспериментально установлен порог образования абляционных кратеров (267,1–338,9 МВт/см2) и показана логарифмическая зависимость их диаметра от плотности мощности воздействия.
Представлены результаты исследования увеличения шумов германиевых лавинных фотодиодов вследствие воздействия мощного лазерного излучения. На основании полученных экспериментальных данных было рассчитано значение уровня шума, действующее на выходе усилителя фотоприемного устройства с частично деградировавшим фотодиодом, а также значение порогового напряжения компаратора, при котором выполняются требования по количеству ложных срабатываний. Для восстановления работоспособности фотоприемного устройства после мощной засветки была разработана и успешно испытана схема автоматического переключения порогового напряжения компаратора.
Проведено исследование германиевых лавинных фотодиодов с диаметром чувствительной площадки 200 мкм, подвергнутых моноимпульсному воздействию сфокусированного лазерного излучения с длиной волны 1,064 мкм при длительности импульса 4 нс. Обнаружено, что в разрушенной области, возрастают коэффициент лавинного умножения и среднеквадратическое значение шума. Показано, что воздействие мощностью менее 700 Вт, при радиусе засвечиваемой области 11 мкм, не приводит к значительному ухудшению чувствительности фотоприемного устройства.
Определено значение плотности мощности лазерного излучения, превышение над которым приводит к разрушению поверхности чувствительной площадки германиевого лавинного фотодиода. Исследован характер увеличения темнового тока от мощности лазерного воздействия для фотодиодов с различной глубиной залегания p–n-перехода. Показана повышенная стойкость к лазерному излучению фотодиодов с глубоким p–n-переходом.
В работе представлены исследования влияния импульсного лазерного облучения на чувствительность к этанолу, ацетону и аммиаку, а также на деформационную устойчивость газового сенсора, представляющего собой пленку композита SnO2/PANI на гибкой полимерной PETподложке. Описывается низкотемпературная методика получения пленок. Показано, что после облучения лазерными импульсами определенной интенсивности можно добиться увеличения чувствительности и деформационной устойчивости сенсоров, существенно улучшить их устойчивость к воздействию высоких температур и временную стабильность.
Рассмотрена задача осаждения наночастиц в жидкости под действием сил светового давления. Определена зависимость концентрации наночастиц в жидкости от координаты, вдоль которой на частицы действует постоянная сила. Результат получен с учетом отталкивания наночастиц без учета их притяжения друг к другу. Показано, что найденная зависимость может существенно отличаться от полученной в рамках модели идеального газа наночастиц.