Уникальные физические свойства полупроводников открывают большие возможно-
сти их практического применения. Транзисторы, интегральные схемы, квантовые ге-
нераторы и другие полупроводниковые приборы и устройства широко используются
в различных областях науки и техники. В настоящее время все больший интерес
вызывает исследование свойств полупроводников при больших уровнях оптического возбуждения, в частности, изучение свойств полупроводниковых материалов в
присутствии интенсивных электромагнитных волн, генерируемых лазером.
Исследование оптических свойств полупроводников в присутствии сильного ла-
зерного излучения можно отнести к новому виду спектроскопии динамической
когерентной спектроскопии полупроводников. В известном смысле, это следующий
шаг после разработанной ранее спектроскопии полупроводников в квазистатических
классических полях электрическом (электромодуляционная спектроскопия), маг-
нитном и поле механических напряжений. Эта новая динамическая когерентная спек-
троскопия интересна как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения.
Высокая интенсивность лазерного возбуждения приводит к проявлению новых
физических явлений, что подтверждается экспериментами. Для их объяснения тре-
буется привлечение новых теоретических методов и представлений.
Фундаментальный аспект проблемы связан с тем, что интенсивное лазерное из-
лучение приводит не только к генерации в полупроводнике электронно-дырочных
пар, экситонов, фононов, биэкситонов и т.д., но может также радикальным образом изменить основные свойства этих элементарных возбуждений. Это в свою очередь приводит к существенным изменениям оптических и акустических свойств полупроводника в определенных областях спектра. Именно с этим обстоятельством
и связан прикладной аспект когерентной динамической спектроскопии. Речь идет
о возможности контролируемого управления физическими характеристиками полу-
проводника посредством воздействия на него интенсивного лазерного излучения. В
некоторых случаях свойства элементарных возбуждений полу
