SCI Библиотека

Исследованы условия выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК) по Бриджмену с использованием затравки, ориентированной в направлениях [111] или [211]. Подобраны условия проведения процесса затравления. Оптические и структурные свойства выращенных кристаллов удовлетворяют требованиям, предъявляемым к материалу подложек для жидкофазной эпитаксии гетероструктур Hg1-xCdxTe. Показана возможность выращивания слитков с объемной долей монокристалла до 99 %.

Концепция «вещности художественного творения» Мартина Хайдеггера представлена в исследовании как эквивалент критерии оценки предмета изобразительного искусства в соответствии с принципом сделанности. «Вещность», впервые заявленная в эссе «Исток художественного творения», освобождает искусствоведческий анализ от идентификации творчества художника в соответствии с идеологическими предписаниями. Хайдеггер рассматривает художественный процесс, во-первых, как творческую субстанцию соотношения реальности и феномена восприятия реальности, во-вторых, как проблему соотношения с истиной в системе координат: время — человек — исток — предмет — символ. В анализ статьи включены три подхода Хайдеггера к пониманию вещи как носителя свойств, единства ощущений и единства формы и вещества, образующих универсум «вещность художественного творения», в котором одномоментно включены: 1) аспекты истока (происхождение сущности); 2) аспекты сделанности (качества); 3) аспекты символа. Результаты исследования позволили выявить главные идентификации качества предмета искусства: 1) степень профессиональной сделанности произведения; 2) индекс эстетических либо намеренно декларируемых антиэстетических взглядов автора как основа идеи/концепта; 3) мера эмоционального воздействия предмета искусства на зрителя. «Вещность» как системный ключевой подход, обладающий универсальностью, в методологии анализа предметов изобразительного искусства становится особо актуальным в эпоху глобализма.

Исследовано влияние плазмохимического травления в плазме Ar/H2 и последующей выдержки при разных температурах на электрофизические свойства пленок CdxHg1-xTe c x ≈ 0,2, выращенных на подложках из GaAs (013). Установлено, что после плазмохимического травления концентрация электронов увеличивается до ~1017 см-3, а также происходит релаксация концентрации с течением времени. На основе модели с образованием комплексов между междоузельными атомами ртути и структурными дефектами кристалла проведено численное моделирование кривых релаксации при разных температурах.

Приведены результаты исследования влияния термообработки на электрофизические характеристики гетероструктур теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Показано, что при термической обработке в атмосфере инертного газа ГЭС КРТ концентрация дырок возрастает до 31016 cм-3, а концентрация электронов в приповерхностном слое резко уменьшается.

Приведены результаты работы по улучшению параметров кремниевых координатных фотодиодов (ФД). Показано, что введение в технологический маршрут операции геттерирования диффузионным слоем фосфора приводит к существенному уменьшению темновых токов, что связано с резким снижением концентрации глубокого ГРЦ, определяющего темновой ток в ФД, изготовленных без применения данной операции. Приведены типичные параметры ФД.

Приведены соотношения, определяющие требования к сопротивлению инверсионного слоя для уменьшения влияния тока охранного кольца на темновой ток и шумы фотодиодов, и получения заданного значения коэффициента взаимосвязи между ФЧЭ в многоэлементных ФД. Показано, что зависимости тока охранного кольца от напряжения смещения и заряда на границе раздела Si—SiO2 при наличии инверсионного слоя удовлетворяют модели генерации тока в его области пространственного заряда. Сопротивление инверсионного слоя возрастает с ростом напряжения смещения в соответствии с зависимостью Rи ~V 1,5.

Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) в широком диапазоне частот и температур. Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диапазоне температур 8—100 К. Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа проводимости после отжига, сопротивление области пространственного заряда определяется генерацией Шокли-Рида в диапазоне температур 50—77 К.

Разработана стендовая установка для исследования способов стабилизации и дестабилизации разряда, связанных с наложением внешнего магнитного поля на основе системы линейных токов, включенных последовательно в цепь разряда. Получены данные о влиянии конфигурации внешнего магнитного поля на движение и форму дугового столба, размеры и скорости перемещения его опорных пятен и электродных струй-факелов.

С помощью численного моделирования изучались особенности и режимы работы плазменной несимметричной вибраторной антенны конечной длины и диаметра на частоте сигнала f0 = 1,7 ГГц. Концентрация плазмы изменялась в пределах двух порядков, результаты расчетов сравнивались с аналогичной металлической антенной. Получены распределения составляющих электрических полей антенн в ближней зоне и диаграммы направленности. Приведены диаграммы направленности металлического вибратора, полученные в результате измерения и моделирования в двух программах.

Плазменный релятивистский генератор может работать в режиме генерации одиночного импульса СВЧ-излучения или частотно-периодическом режиме (до 50 импульсов в секунду, длительностью до 80 нс, мощность до 50 МВт с частотами излучения от 2 до 25 ГГц). Для получения и исследования режимов генерации в частотнопериодическом режиме необходима оперативная обработка получаемых временных рядов. Представлена методика анализа временного ряда за время между экспериментами серии, позволяющая найти требуемый режим работы устройства. Приведены примеры достигнутых в результате исследования режимов работы плазменного релятивистского СВЧ-генератора.