SCI Библиотека

Статья посвящена анализу лингвистической концепции П. А. Ойунского через призму ее истоков, основных принципов и положений, не утративших актуальности и в современных условиях. Материалом статьи послужили тексты выступлений П. А. Ойунского в средствах массовой информации, посвященные вопросам развития языка, а также текст его кандидатской диссертации, опубликованной в третьем томе избранных сочинений в 1993 г. Проанализированы его идеи по важнейшим вопросам языкового строительства - графике, орфографии, терминологии. Лингвистическая концепция П. А. Ойунского и в наше время имеет действенную силу и требует осмысления применительно к решению важнейших задач языковой политики в республике.

Автор анализирует существо советской национальной политики в отношении женщин в 1920-1930-е гг. в контексте современной историографии неоколониализма. Последняя получила распространение в рамках т. н. «деколониального поворота» и «постколониальной» критики советского прошлого. Рассматриваются основные направления, содержание, особенности и противоречия в решении «женского вопроса» на «советском Востоке» и в других национальных регионах СССР. Выделены фактические и концептуальные ошибки, тенденциозные интерпретации и логические нестыковки в неоколониальных подходах к освещению национальной политики и «женского вопроса» в СССР.

В статье впервые всесторонне рассматриваются названия хозяйственных приспособлений и построек, а также элементов жилища арабо-персидского происхождения в башкирском литературном языке и его диалектах.

Целью является систематизация данной группы лексики, ее сравнительно-сопоставительный анализ с данными других тюркских языков, этимологический анализ, определение способов и хронологических рамок вхождения в тюркские языки. В работе использованы лексико-семантический и описательный метод, метод структурного анализа, метод сравнительно-сопоставительного анализа, метод диахронического анализа, этимологический метод. В результате впервые предложена общая классификация данной группы лексики, для ряда слов уточнен источник происхождения, представлена относительная хронология употребления этих слов в памятниках, отслежено семантическое развитие заимствованной лексики на материале не только башкирского языка и его диалектов, но и других тюркских языков, охватывающих регионы Поволжья, Кавказа и Средней Азии. Делается вывод о выраженном влиянии экстралингвистических факторов (таких как климат и связанные с ним различные виды сельскохозяйственной деятельности, сорта выращиваемых культур, способы обогрева жилища), а также о влиянии контактных языков на развитие семантических сдвигов в заимствованной лексике.

Впервые в якутском языкознании рассматривается лексико-семантическое свойство образного глагола движения сундулуй-, а также освещаются семантико-синтаксические особенности формируемых им пространственных предложений.

Цель исследования состоит в выявлении и описании лексико-семантической структуры образной глагольной лексемы сундулуй-, а также семантики и синтаксического состава пространственных фраз, вершина которых представляется предикатом, выраженным данным глаголом. Задачи: определение сочетаемостного потенциала обсуждаемого глагола; установление влияния лексического значения существительных, заполняющих позицию подлежащего, на семантику глагола-предиката; описание особенностей валентностной и синтаксической структуры конструкций, которые формируются обсуждаемым глаголом; выявление контекстуальных смыслов рассматриваемых пространственных фраз. Методы и приемы исследования: структурно-семантический метод, компонентный анализ, дистрибутивный анализ, контекстуальный подход. В результате анализа установлено, что синтаксические особенности рассмотренных предложений обусловливаются инкорпорированной семантикой данного глагола-предиката, характером лексико-грамматического наполнения состава предложения и контекстуальными условиями. Актант-локализатор передается структурой, обозначающей прежде всего направление движения или конечный пункт движения. Подобные предложения соответственно характеризуются значением направления движения или конечного пункта движения - директив-финиш, а также семантикой среды / трассы передвижения субъекта. Предложения с рассмотренным образным глаголом движения, как и предложения с другими подобными образными глаголами, являются периферийными средствами выражения пространственных отношений.

Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe за счет избирательного воздействия излучения на отдельные атомы поверхности.

Обосновывается необходимость расширения динамического диапазона в МФПУ коротковолнового ИК-спектра. Традиционно применяемые способы обладают низкой эффективностью, в особенности, в крупноформатных матрицах с шагом не более 15 мкм. Наибольшей эффективностью расширения динамического диапазона (до 100 дБ) обладают накопительные ячейки с индивидуально изменяемой передаточной характеристикой в зависимости от яркости фрагментов наблюдаемой сцены. В данной работе предлагается простой в топологической реализации и эффективный способ расширения динамического диапазона, основанный на автоподстройке времени накопления индивидуально в каждой ячейке интегральной схемы считывания. При этом сохраняется высокая крутизна и линейность преобразования в накопительных ячейках с умеренной освещенностью (до 50–70 % от максимального сигнала), но снижается чувствительность в ячейках, близких к насыщению. В результате формируется линейно-логарифмическая передаточная характеристика, обеспечивающая расширенный динамический диапазон. В работе приводятся примеры полученных изображений с расширенным динамическим диапазоном в коротковолновом ИК-спектре.

Рассмотрена возможность создания диода с барьером Шоттки на GaP с низкой высотой барьера для реализации возможности работы в качестве обнаружителя мощных оптических сигналов в среднем ИК-диапазоне. Были проведены исследования влияния увеличения концентрации носителей заряда в области контакта на высоту барьера. В структуру GaP n- и pтипа проводимости были имплантированы различные ионы при разных дозах и энергиях с последующим отжигом в течении 60 минут при температуре 700 оС в азотной среде. Были исследованы CV-характеристики образцов, по результатам которых были определены высоты барьеров. Полученные результаты подтвердили теоретические расчёты. В работе показано, что необходимое снижение высоты барьера «металл–полупроводник» для сдвига спектральной чувствительности GaP в инфракрасную область, может быть получено путем подлегирования контактной области эпитаксиального слоя n-типа проводимости ионами Si с энергией 100 кэВ и дозой (флюенсом) 41014 см-2 с последующим отжигом имплантированного слоя в течении 60 минут в атмосфере N2 при температуре 700 °С. В качестве барьерного металла может быть использована золотая плёнка, напылённая в вакууме. Результаты исследования показали, что увеличения концентрации носителей заряда в области контакта до значений около 1019 см-3 даёт возможность снижения высоты барьера Au-n-GaP до 0,2 эВ.

Рассматриваются варианты применения нейронной схемы для коррекции неоднородности и дефектов фотоприемных устройств. Анализируются варианты с использованием корректирующих коэффициентов и вариант без коэффициентов. Рассматривается альтернатива микросканера и опорных сигналов. Варианты сопоставляются с коррекцией с использованием для калибровки двух опорных сигналов. Вариант без коэффициентов – нейронная схема формирует выходное сигналы по градиентам входных сигналов. В других вариантах нейронная схема используется для формирования коэффициентов по чувствительности и по смещению. Улучшение коэффициентов достигается распараллеливанием их вычисления. Варианты сопоставляются по коэффициенту корреляции входных и выходных кадров. Совокупные показатели качества вариантов – это наличие микросканирования/опорных сигналов, использование корректирующих коэффициентов, кадровая частота, непрерывность/прерывность работы, корреляция входных и выходных кадров. С увеличением кадровой частоты нейронная схема с использованием микросканера позволяет обеспечить непрерывный режим работы с соизмеримым с двухточечной коррекцией качеством изображения и более простой обработкой.

В данной статье говорится о допустимых отклонениях глубины диффузии, выборе оптимального типа эпитаксиальных структур для изготовления лавинных InGaAs/InP-фотодиодов. При изготовлении ЛФД особое внимание уделяется созданию определённой конфигурации электрического поля в структуре. Конфигурация электрического поля в структуре зависит от исходных параметров структуры и от процессов диффузии. Отклонения от параметров приводят к неработоспособности ЛФД. Было представлено два типа структуры: тип 1 – с равномерным легированием лавинной области (треугольное поле) и тип 2 – с пиковым легированием лавинной области (прямоугольное поле). Указанные эпитаксиальные структуры выращивались методом МОС-гидридной эпитаксии. Типичные параметры структуры типа 1: лавинная область n-InP толщиной 3,9 мкм и уровнем легирования 1,71016 см-3, область поглощения n-InGaAs толщиной 2,35 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3. Типичные параметры структуры типа 2: лавинная область n-InP толщиной 3,6 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3 зарядная область n+-InP толщиной 0,3 мкм и уровнем легирования 8,51016 см-3, область поглощения n-InGaAs толщиной 2,1 мкм и уровнем легирования не более 11015 см-3. В обеих структурах p–n-переход создавался в лавинной области n-InP методом диффузии цинка. Для каждой структуры при различных глубин p–n-перехода, создаваемого диффузией, рассчитывалось напряжение, при котором обеспечивался коэффициент умножения равный 10. Структура типа 1 работоспособна в диапазоне глубин p–n-перехода х0 = (1,77– 2,18) мкм при рабочих напряжениях (56–75) В. Допустимый разброс х0 = 0,41 мкм ( 10 %). Структура типа 2 работоспособна в диапазоне глубин p–n-перехода х0 = (2,50–3,40) мкм при рабочих напряжениях (49–61) В. Допустимый разброс х0 = 0,90 мкм ( 15 %). При изготовлении InGaAs/InP ЛФД структура с пиковым легированием в лавинной области (тип 2) обладает большей технологической устойчивостью по сравнению со структурой с равномерным легированием лавинной области (тип 1). Допустимые отклонения по глубинам p–n-перехода составляют ( 15 %) для структуры типа 2, и ( 10 %) для структуры типа 1.

Проведено исследование пространственной неоднородности спектральных характеристик фоточувствительности матриц фоточувствительных элементов на основе твёрдых растворов кадмий-ртуть-теллур (КРТ) различных форматов. Описана методика исследования спектральных характеристик чувствительности. Приведено распределение длинноволновой границы чувствительности для линейки формата 6576 фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Проведен расчёт среднего состава и погрешности измерения состава КРТ для всех элементов линейки. Проведено сравнение вычисления погрешности длинноволновой границы чувствительности выбранного ФЧЭ с значениями границы в локальной области матрицы ФЧЭ. Показана эффективность экспресс-методики контроля качества матриц в части равномерности распределения состава КРТ по площади матрицы.