SciNetwork библиотека — это централизованное хранилище научных материалов всего сообщества научной социальной сети. Здесь хранятся все материалы с открытым доступом. Внесите свой вклад в общую библиотеку добавив больше книг и статей в свой раздел «Моя библиотека» с открытым доступом.
свернуть
В работе представлено решение задачи рассеяния света на хаотически ориентированных частицах
неправильной формы для частиц размерами 100, 140, 170 и 200 мкм для длины волны 0,532 мкм для различных
показателей преломления. Решение строилось как в рамках физической оптики (для направления рассеяния строго
назад), так и геометрической оптики (для углов рассеяния в диапазоне от 0 до 180 градусов). Полученные решения
позволили построить диаграмму зависимости геометрического альбедо частицы от максимальной степени
поляризации для проверки эффекта Умова. Установлено, что при мнимой части показателя преломления меньше
0,001 эффект Умова выполняется с хорошей точностью. Однако, для случая, когда мнимая часть показателя
преломления больше 0,001 и в решении начинает доминировать зеркальная компонента рассеянного излучения,
эффект Умова нарушается
Обзор посвящен обсуждению некоторых аспектов современного состояния рынка солнечной энергетики на основе тонких пленок: теллурида кадмия (CdTe), селенида меди-индия (CI(G)S), аморфного кремния (a-Si) и др., получивших бурное развитие за последние годы.
Фотосенсорика на основе коллоидных квантовых точек (ККТ) является одним из наиболее динамично развивающихся направлений фотоэлектроники инфракрасного диапазона. Использование коллоидных квантовых точек существенно упрощает изготовление, снижает ограничения на шаг фоточувствительных элементов матриц и удешевляет технологию производства, что способствует широкому внедрению таких ИК-матриц в различные технические системы. Впервые представлен полный обзор архитектур, методов получения и основных свойств фотонных сенсоров на основе коллоидных квантовых точек соединений элементов II, IV и VI групп Периодической таблицы Д.И.Менделеева. Подробно рассмотрены особенности синтеза, роль лигандов и морфологии ККТ при создании фотосенсоров. Рассмотрены структурные схемы фоторезистивных, фотодиодных и фототранзисторных элементов на основе ККТ из HgTe, HgSe, PbS, PbSe, обладающих фоточувствительностью в различных спектральных диапазонах. Приведены основные параметры лучших образцов оптоэлектронных приборов на основе структур из ККТ. Проанализированы ключевые тенденции развития данного направления.
Библиография — 361 ссылка.
On the basis of publications of recent years, the contemporary state of the world market for rhenium and the economics of production and trends of development of rhenium-containing products are reviewed.
В 2003-2005 гг. материал с «лунным» именем селен (от греческого selene — Луна) продемонстрировал небывало стремительный рост цены — с 4-5 $/кг до 120 $/кг. Это стало неприятным сюрпризом для очень многих потребителей селена и, в частности, для производителей стекла. Автор имел возможность изнутри наблюдать рынок селена в 1997 — 2010 г.г. (российский и мировой). Целью настоящего обзора является попытка дать производителям стекла общее представление о произошедших событиях и будущих тенденциях.
Существуют базовые цветные металлы, являющиеся объектами торгов на разных биржевых площадках мира — медь, алюминий, цинк, свинец и др.
Рядом с ними — «малые металлы» (ММ), которые в зарубежных источниках называют minor metals или minors. Они не являются объектами биржевых торгов, но без них существование человечества уже невозможно представить — кобальт, кремний, магний, галлий, индий, селен, теллур, рений и др.
A survey of recent data permits an overview of the world and Russian markets for gallium and its compounds after the crisis of 1999-2001.
A survey of the state of the world and Russian market for selenium and tellurium is made on the basis of published studies.
A survey of the contemporary state of the world and domestic markets for indium and indium-containing products is made on the basis of published studies of recent years.
Представлены исследования и анализ образцов с гетероэпитаксиальной структурой
на основе твердого раствора InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs. Определены состав и толщины слоев структуры методами фотолюминесцентной спектроскопии при комнатной температуре и растровой
электронной микроскопии соответственно. Измерены спектры пропускания на ИК
Фурье-спектрометре. Разработана аналитическая модель спектральных характеристик исследуемых структур. Решением обратной задачи методом подгонки определены конструктивные параметры структуры и состав активного слоя InGaAs. Сравнительный анализ экспериментальных и теоретических данных показал небольшой
разброс значений для толщины (менее 65 нм) и состава поглощающего слоя
(менее 0,04). Показана корректность и быстродействие разработанного неразрушающего метода характеризации полупроводниковых структур.