Диссертация: ЭЛЕКТРОННО-ТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ ЭФФЕКТОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ,
ОСНОВАННАЯ НА МНОГОФОНОННОЙ ТУННЕЛЬНОЙ ИОНИЗАЦИИ U-МИНУС
ЦЕНТРОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
В настоящее время ведущие мировые производители
элементов памяти активно разрабатывают технологию памяти с изменяемым фазовым
состоянием, в основе которой лежит фазовый переход халькогенидное стекло – кристалл.
По сравнению с наиболее распространенной сегодня флэш-памятью, память с
изменяемым фазовым состоянием имеет значительно более высокую скорость записи,
выдерживает приблизительно в 10 тысяч раз больше циклов перезаписи и потенциально
может иметь более высокую плотность записи информации
Владелец:
Старцев Вадим
Доступ:
Всем