Диссертация: ЭЛЕКТРОННО-ТЕПЛОВАЯ МОДЕЛЬ ЭФФЕКТОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ПАМЯТИ, ОСНОВАННАЯ НА МНОГОФОНОННОЙ ТУННЕЛЬНОЙ ИОНИЗАЦИИ U-МИНУС ЦЕНТРОВ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

103
10. Богословский, Н. А. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных
стеклообразных полупроводниках / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и
техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, вып. 5. – С. 577-608.
11. Hudgens, S. Progress in Understanding High-field Threshold Switching in Amorphous
Chalcogenide Semiconductors / S. Hudgens // Workshop on Switching and ON
Conduction in Chalcogenide Materials. – Santa Clara, 2010.
12. Experimental Results in Amorphous Semiconductor switching behavior / P. I. Walsh,
J. E. Hall, R. Nicolaides et al. // J. non-Crystalline Solids. – 1970. – Vol. 2. – Pp. 107-124.
13. Fagen, E. A. Electrical conductivity of amorphous chalcogenide alloy films / E. A. Fagen,
H. Fritzsche // J. non-Crystalline Solids. – 1970. – Vol. 2. – Pp. 170-179.
14. Reehal, H. S. The current-voltage characteristics of amorphous chalcogenide films
prepared from Si12Te48As30Ge10 / H. S. Reehal, C. B. Thomas // Philosophical Magazine B.
– 1979. - Vol 39, no. 4. – Pp. 321-332.
15. Коломиец, Б. Т. К вопросу о механизме пробоя в слоях стеклообразных
халькогенидных полупроводников / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, И. А. Таксами //
Физика и техника полупроводников. – 1969. – Т. 3, вып. 2. – С. 312-314.
16. Коломиец, Б. Т. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных
стеклообразных полупроводников / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, И. А. Таксами //
Физика и техника полупроводников. – 1969. – Т. 3, вып. 5. – С. 731-735.
17. Nucleation switching in phase-change memory / V. G. Karpov, Y. A. Kryukov,
S. D. Savransky, I. V. Karpov // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 90. – 123504.
18. Czubatyj, W. Properties of Small Pore Ovonic Memory Devices / W. Czubatyj,
S. A. Kostylev // Physics and Applications of Disordered Materials, ed. by M.A. Popescu.
– Bucharest : INOE Publishing House, 2002. – p. 390.
19. Threshold field of phase-change memory materials measured using phase-change bridge
devices / D. Krebs, S Raoux, C. T. Rettner et al. // Appl. Phys. Lett. – 2009. – Vol. 95. –
082101.
20. Kostylev, S. A. Threshold and Filament Current Densities in Chalcogenide-Based
Switches and Phase-Change-Memory Devices / S. A. Kostylev // IEEE Electron Device
Letters. – 2009. – Vol. 30, no. 8. – Pp. 814-816.
104
21. Stocker, H. J. Mechanism of threshold switching in semiconducting glasses / H. J. Stocker,
C. A. Barlow, D. F. Weirauch // J. Non-Crystalline Solids. – 1970. – Vol. 4. – Pp. 523-535.
22. Time-resolved analysis of the set process in an electrical phase-change memory device /
D.-H. Kang, B.-k. Cheong, J.-h. Jeong et al. // Appl. Phys. Lett. – 2005. – Vol. 87. –
253504.
23. Salinga, M. The gradual nature of threshold switching / M. Salinga. M. Wimmer //
E\PCOS 2012. Proceedings. – Tampere, 2012. – Pp. 115-120.
24. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт,
Э. Дэвис; пер. с англ. под ред. Б. Т. Коломийца. – М.: Мир, 1982.
25. Davis, E. A. Characteristic phenomena in amorphous semiconductors / E. A. Davis,
R. F. Shaw // J. non-Crystalline Solids. – 1970. – Vol. 2. – Pp. 406-431.
26. Костылев, С. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках /
С. А. Костылев, В. А. Шкут. – Киев: Наукова думка, 1978. – 203 с.
27. Rapid phase transitions of GeTe-Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical
disk memory / N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi et al. // J. Appl. Phys. – 1991. – Vol.
69, no. 5. – Pp. 2849-2856.
28. Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells / G. Bruns, P. Merkelbach,
C. Schlockermann et al. // Appl. Phys. Lett. – 2009. – Vol. 95. – 043108.
29. Phase change memory technology / G. W. Burr, M. J. Breitwisch, M. Franceschini et al. //
J. Vac. Sci. Technol. B. – 2010. – Vol. 28, no. 2. – Pp. 223-262.
30. Lai, S. Current status of the phase change memory and its future / S. Lai // IEDM Tech.
Dig. – 2003. – 10.1. – Pp. 255-258.
31. Ultra-Thin Phase-Change Bridge Memory Device Using GeSb / Y.-C. Chen, C. T. Rettner,
S. Raoux et al. // IEDM Technical Digest. – 2006. – S30P3.
32. A 20nm 1.8V 8Gb PRAM with 40MB/s Program Bandwidth / Y. Choi, I. Song, M-H. Park
et al. // IEEE International Solid-State Circuits Conference. – 2012.
33. Micron Announces Availability of Phase Change Memory for Mobile Devices. –
URL: http://investors.micron.com/releasedetail.cfm?ReleaseID=692563 (дата обращения:
03.12.2012).
105
34. Tsendin, K. D. Comparison of new and old generations of the phase change memory
chalcogenide materials and devices / K. D. Tsendin, N. A. Bogoslovskiy // Journal of
optoelectronics and advanced materials. – 2011. – Vol. 13, no. 11-12. – Pp. 1429-1432.
35. A.V. Kolobov, J. Tominaga, P. Fons, T. Uruga. Local structure of crystallized GeTe films.
/ Appl. Phys. Lett., 82, 382-384 (2003).
36. Phase transition in crystalline GeTe: Pitfalls of averaging effects / P. Fons, A. V. Kolobov,
M. Krbal et al. // Phys. Rev. B. – 2010. – Vol. 82. – 155209.
37. The order-disorder transition in GeTe: Views from different length-scales / T. Matsunaga,
P. Fons, A. V. Kolobov et al. // Appl. Phys. Lett. – 2011. – Vol. 99. – 231907.
38. Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phase-change materials / K. S. Andrikopoulos,
S. N. Yannopoulos, A. V. Kolobov et al. // J. Phys. Chem. Sol. – 2007. – Vol. 68. –
Pp. 1074-1078.
39. Matsunaga, T. Structural investigation of GeSb2Te4: A high-speed phase-change material /
T. Matsunaga, N. Yamada // Phys. Rev. B. – 2004. – Vol. 69. – 104111.
40. Петров, И. И. Электронографическое определение структур Ge2Sb2Te5 и GeSb4Te7 /
И. И. Петров, Р. М. Имамов, З. Г. Пинскер // Кристаллография. – 1968. – Т. 13,
вып. 3. – С. 417-421.
41. Why Phase-Change Media are Fast and Stable: A New Approach to an Old Problem /
A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga et al. // Jpn. J. Appl. Phys. – 2005. – Vol. 44, no. 5B.
– Pp. 3345-3349.
42. Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media / A. V. Kolobov,
P. Fons, A. I. Frenkel et al. // Nature Materials. – 2004. – Vol. 3. – Pp. 703-708.
43. Kolobov, A. V. Local structure of amorphous Ge-Sb-Te alloys: Ge umbrella flip vs. DFT
simulations / A. V. Kolobov, P. Fons, J. Tominaga // Phys. Status Solidi B. – 2009. –
Vol. 246, no. 8. – Pp. 1826-1830.
44. Crystalline GeTe-based phase-change alloys: Disorder in order / M. Krbal, A.V. Kolobov,
P. Fons et al. // Phys. Rev. B. – 2012. – Vol. 86. – 045212.
106
45. Yamada, N. Structure of laser-crystallized Ge2Sb2+xTe5 sputtered thin films for use in
optical disk memory / N. Yamada, T. Matsunaga // J. Appl. Phys. – 2000. – Vol. 88,
no. 12. – Pp.7020-7028.
46. Crystallization and phase-separation in Ge2+xSb2Te5 thin films / S. Privitera, E. Rimini, C.
Bongiorno et al. // J. Appl. Phys. – 2003. – Vol. 94, no. 7. – Pp. 4409-4413.
47. Resonance bonding in crystalline phase-change materials / K. Shportko, S. Kremers,
M. Woda et al. // Nature mat. – 2008. – Vol. 7. – Pp. 653-658.
48. Lucovsky, G. Effects of Resonance Bonding on the Properties of Crystalline and
Amorphous Semiconductors / G. Lucovsky, R. M. White // Phys. Rev. B. – 1973. – Vol. 8,
no. 2. – Pp. 660-667.
49. Intrinsic complexity of the melt-quenched amorphous Ge2Sb2Te5 memory alloy / M. Krbal,
A. V. Kolobov, P. Fons et al. // Phys. Rev. B. – 2011. – Vol. 83. – 054203.
50. Photoassisted amorphization of the phase-change memory alloy Ge2Sb2Te5 / P. Fons,
H. Osawa, A. V. Kolobov et al. // Phys. Rev. B. – 2010. – Vol. 82. – 041203R.
51. Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy /
A. V. Kolobov, M. Krbal, P. Fons et al. // Nature Chemistry. – 2011. – Vol. 3. – Pp. 311-
136.
52. Experimentally constrained density-functional calculations of the amorphous structure of
the prototypical phase-change material Ge2Sb2Te5 / J. Akola, R. O. Jones, S. Kohara et al.
// Phys. Rev. B. – 2009. – Vol. 80. – 020201.
53. Hegedus, J. Microscopic origin of the fast crystallization ability of Ge–Sb–Te phase-
change memory materials / J. Hegedus, S. R. Elliot // Nature Materials. – 2008. – Vol. 7. –
Pp. 399-405.
54. Structural transformations of Ge2Sb2Te5 films studied by electrical resistance
measurements / I. Friedrich, V. Weidenhof, W. Njoroge et al. // J. Appl. Phys. – 2000. –
Vol. 87, no. 9. – Pp. 4130-4134.
55. Kato, T. Electronic Properties of Amorphous and Crystalline Ge2Sb2Te5 Films / T. Kato,
K. Tanaka // Jpn. J. Appl. Phys. – 2005. – Vol. 44, no. 10. – Pp. 7340-7344.
107
56. Shelby, R. M. Crystallization dynamics of nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 / R. M. Shelby,
S. Raoux // J. Appl. Phys. – 2009. – Vol. 105. – 104902.
57. Disorder-induced localization in crystalline phase-change materials / T. Siegrist, P. Jost,
H. Volker et al.// Nature materials. – 2011. – Vol. 10. – Pp. 202-208.
58. Sousa, V. Chalcogenide materials and their application to Non-Volatile Memories /
V. Sousa // Microelectronic Engineering. – 2011. – Vol. 88. – Pp. 807-813.
59. Investigation of the optical and electronic properties of Ge2Sb2Te5 phase change material
in its amorphous, cubic, and hexagonal phases / B.-S. Lee, J. R. Abelson, S. G. Bishop et
al. // J. Appl. Phys. – 2005. – Vol. 97. – 093509.
60. Electrical characterization of sputtered Ge:Sb:Te films using impedance measurements /
E. Morales-Sanchez, E. F. Prokhorov, A. Mendoza-Galvan, J. Gonzalez-Hernandez //
Vacuum. – 2003. – Vol. 69. – Pp. 361-364.
61. Ielmini, D. Evidence for trap-limited transport in the subthreshold conduction regime of
chalcogenide glasses / D. Ielmini, Y. Zhang // Appl. Phys. Lett. – 2007. – Vol. 90. –
192102.
62. A physics-based model of electrical conduction decrease with time in amorphous
Ge2Sb2Te5 / M. Boniardi, A. Redaelli, A. Pirovano et al.// J. Appl. Phys. – 2009. – Vol.
105. – 084506.
63. Kolomiets, B. T. Vitreous Semoconductors / B.T. Kolomiets // Phys. Stat. Solidi. – 1964. –
Vol. 7. – Pp. 359-372, 713-731.
64. Мотт, Н. Электроны в неупорядоченных структурах / Н. Мотт. – М.: Мир, 1969. –
172 с.
65. Cohen, M. H. Simple band model for amorphous semiconducting alloys / M. H. Cohen,
H. Fritzsche, S. R. Ovshinsky // Phys. Rev. Lett. – 1969. – Vol. 22, no. 20. – Pp. 1065-
1068.
66. Davis, E. A. Conduction in non-crystalline systems V. Conductivity, optical absorption and
photoconductivity in amorphous semiconductors / E. A. Davis, N. F. Mott // Phil. Mag. –
1970. – Vol. 22, no. 179. – Pp. 903-922.
108
67. Marshall, J. Drift mobility studies in vitreous arsenic triselenide / J. Marshall, A. E. Owen
// Phil. Mag. – 1971. – Vol. 24. – Pp. 1281-1305.
68. Mott, N. F. Evidence for a pseudogap in liquid mercury / N.F. Mott // Phil. Mag. – 1972. –
Vol. 26. – Pp. 505-522.
69. Anderson, P. W. Model for the Electronic Structure of Amorphous Semiconductors /
P. W. Anderson // Phys. Rev. Lett. – 1975. – Vol. 34, no. 15. – Pp. 953-955.
70. Клингер, М. И. Автолокализация электронных пар в неупорядоченных системах /
М. И. Клингер, В. Г. Карпов // ЖЭТФ. – 1982. – Т. 82. – С. 1687-1703.
71. Карпов, В. Г. Спектральные свойства центров с отрицательной энергией Хаббарда в
стеклах / В. Г. Карпов // ЖЭТФ. – 1983. – Т. 85. – С. 1017-1028.
72. Street, R. A. States in the Gap in Glassy Semiconductors / R. A. Street, N. F. Mott // Phys.
Rev. Lett. – 1975. – Vol. 35, no. 19. – Pp. 1293-1296.
73. Kastner, M. Valence-Alternation Model for Localized Gap States in Lone-Pair
Semiconductors / M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche // Phys. Rev. Lett. – 1976. – Vol. 37,
no. 22. – Pp. 1504-1507.
74. Цэндин, К. Д. Роль гибридизации в поляроном механизме U ̅-центров, мягких и
двухъямных потенциалов / К. Д. Цэндин // Письма в ЖЭТФ. – 1992. – Т. 55, вып. 11,
С. 635-638.
75. Walsh, P. J. Conduction and Electrical Switching in Amorphous Chalcogenide
Semiconductor Films / P. J. Walsh, R. Vogel, E. J. Evans // Phys. Rev. – 1969. – Vol. 78,
no. 3. – Pp. 1274-1279.
76. Electrical conduction in chalcogenide glasses of phase change memory / M. Nardone,
M. Simon, I. V. Karpov, V. G. Karpov // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 112. – 071101.
77. Mott, N. F. Conduction in Non-crystalline Systems VII. Non-ohmic Behavior and
Switching / N. F. Mott // The Philosophical Magazine. – 1971. – Vol. 24, no. 190. –
Pp. 911-934.
78. Ielmini, D. Threshold switching mechanism by high-field energy gain in the hopping
transport of chalcogenide glasses / D. Ielmini // Phys. Rev. B. – 2008. – Vol. 78. – 035308.
109
79. Лебедев, Э. А. Проводимость халькогенидных стеклообразных полупроводников в
высоких электрических полях / Э. А. Лебедев, Н. А. Рогачев // ФТП. – 1981. – Т. 15,
вып. 8. – С. 1511-1518.
80. Коломиец, Б. Т. Влияние токов, ограническнных пространственным зарядом, на
тепловой пробой / Б. Т. Коломиец, Э. А. Лебедев, К. Д. Цэндин // ФТП. – 1971. – Т. 5,
вып. 8. – С. 1568-1572.
81. Роуз, А. Основы теории фотопроводимости / А. Роуз. – М. : Мир, 1966. – 192 c.
82. Conductive path formation in glasses of phase change memory / M. Simon, M. Nardone,
V. G. Karpov, I. V. Karpov // J. Appl. Phys. – 2010. – Vol. 108. – 064514.
83. Eaton, D. L. Electrical Conduction Anomaly of Semiconducting Glasses in the System As-Te-I
/ D. L. Eaton // J. American Ceramic Society. – 1964. – Vol. 47, no. 11. – Pp. 554-558.
84. Warren, A. C. Switching Mechanism in Chalcogenide Glasses / A. C. Warren // Electronics
Letters. – 1969. – Vol. 5, no. 19. – Pp. 461-462.
85. Wagner, K. W. The physical nature of the electrical Breakdown of solid dielectrics /
K.W. Wagner // Journal of the Institution of Electrical Engineers [1889-1940]. – 1922. –
Vol. 41. – Pp. 1034.
86. Брагин, С. М. Теория и практика пробоя диэлектриков / С. М. Брагин, А. Ф. Вальтер,
Н. Н. Семенов. – Государственное издательство, 1929.
87. Лотоцкий, Б. Ю. Отрицательное дифференциальное сопротивление, обусловленное
микронагревом / Б. Ю. Лотоцкий, Л. К. Чиркин // ФТТ. – 1966. – Т. 6. – С. 1967-1970.
88. Гельмонт, Б. Л. Бифуркационные значения параметров и шнурование тока в теории
теплового пробоя / Б.Л. Гельмонт, К.Д. Цэндин // Труды шестой международной
конференции по аморфным и жидким полупроводникам. Электронные явления в
некристаллических полупроводникахю – Ленинград: Наука, 1976. – С. 177-181.
89. Цэндин, К. Д. Условия предотвращения теплового пробоя полупроводниковых
приборов / К. Д. Цэндин, А. Б. Шмелькин // Письма в Журнал Технической Физики.
– 2004. – Т. 30, вып. 12. – С. 86-94.
90. Фок, В. А. К тепловой теории электрического пробоя / В. А. Фок // Труды Л.Ф.-Т.Л.
– 1928. – Вып. 5: Сборник работ по прикладной физике. – С. 52-64.
110
91. Гринберг, Г. А. О протекании теплового пробоя во времени / Г. А. Гринберг,
М. И. Конторович, Н. Н. Лебедев // ЖТФ. – 1940. – Т. 10, вып. 3. – С. 199-216.
92. Kaplan, T. Thermal Effects in Amorphous-Semiconductor Switching / T. Kaplan, D. Adler //
Apl. Phys. Lett. – 1971. – Vol. 19, no. 10. – Pp. 418-420.
93. Spenke, E. Eine anschauliche Deutung der Abzweigtemperatur scheibenformiger
Heissleiter / E. Spenke // Archiv fur Electrotechnick. – 1936. – Vol. 30, iss. 11. – Pp. 728-
736.
94. Lueder, H. Zur technischen Beherrschung des Warmedurchschlags / H. Lueder,
W. Shottky, E. Spenke // Naturwissenschaften. – 1936. – Vol. 24, iss. 4. – P. 61.
95. Lueder, H. Uber den Einfluss der Warmeableitung auf das elektrische Verhalten von
temperaturabhangigen Widerstanden / H. Lueder, E. Spenke // Zeitschrift für Technische
Physik. – 1935. – Vol. 16. – Pp. 373-379.
96. Pryor, R. W. Mechanism of threshold switching / R. W. Pryor, H. K. Henisch // Appl.
Phys. Let. – 1971. – Vol. 18, no. 8. – Pp. 324-325.
97. Balberg, I. Simple test for double injection initiation of switching / I. Balberg // Appl. Phys.
Lett. – 1970. – Vol. 16, no. 12. – Pp. 491-493.
98. Boer, K. W. Electrothermal Initiation of an Electronic Switching Mechanism in
Semiconducting Glasses / K. W. Boer, S. R. Ovshinsky // J. Appl. Phys. – 1970. – Vol. 41,
no. 6. – Pp. 2675-2681.
99. Male, J. C. Field-enhanced conductivity effects in thin chalcogenide-glass switches
J. C. Male, A. C. Warren // Electron. Lett. – 1970. – Vol. 6. – Pp. 567-569.
100. Kroll, D. M. Theory of electrical instabilities of mixed electronic and thermal origin /
D. M. Kroll // Phys. Rev. B. – 1974. – Vol. 9, no 4. – Pp. 1669-1706.
101. Mott, N. F. Conduction and switching in non-crystalline materials / N. F. Mott // Contemp.
Phys. – 1969. – Vol. 10, no. 2. – Pp. 125-138.
102. Henisch, H. K. Amorphous – semiconductor switching / H. K. Henisch // Scientific
American. – 1969. – Vol. 221, no. 5. – Pp. 30-41.
103. Adler, D. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys / D. Adler,
H. K. Henisch, N. Mott // Rev. Mod. Phys. – 1978. – Vol. 50, no. 2. – Pp. 209-220.
111
104. Сандомирский, В. Б. Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в
полупроводниках / В.Б. Сандомирский, А.А. Суханов, А.Г. Ждан // ЖЭТФ. – 1970. –
Т. 58, вып. 5. – С. 1683-1694.
105. Рывкин, С. М. О механизме переключения в аморфных полупроводниках /
С. М. Рывкин // Письма ЖЭТФ. – 1972. – Т. 15, вып. 10. – С. 632-635.
106. Savransky, S. D. Model of conductivity transition in amorphous chalcogenides induced by
auger recombination / S. D. Savransky // J. Ovonic Res. – 2005. – Vol. 1, no. 2. – Pp. 25-31.
107. Забродский, А. Г. О механизме низкотемпературного примесного пробоя в
компенсированных полупроводниках и эффекта переключения в аморфных
полупроводниках / А. Г. Забродский, С. М. Рывкин, И. С. Шлимак // Письма ЖЭТФ.
– 1973. – Т. 18, вып. 8. - С. 493-497.
108. Threshold switching in chalcogenide-glass thin films / D. Adler, M. S. Shur, M. Silver,
S. R. Ovshinsky // J. Appl. Phys. – 1980. – Vol. 51, no. 6. – Pp. 3289-3309.
109. Ielmini, D. Analytical model for subthreshold conduction and threshold switching in
chalcogenide-based memory devices / D. Ielmini, Y. Zhang // J. Appl. Phys. – 2007. –
Vol. 102. – 054517.
110. A unified model of nucleation switching / M. Nardone, V. G. Karpov, D. C. S. Jackson,
I. V. Karpov // Appl. Phys. Lett. – 2009. – Vol. 94. – 103509.
111. Karpov, V. Switching, Electron transport / V. Karpov, D. Georgiev // Workshop on
Switching and ON Conduction in Chalcogenide Materials. – Santa Clara, 2010.
112. Kohary, K. Electric field induced crystallization in phase-change materials for memory
applications / K. Kohary, C. D. Wright // Appl. Phys. Let. – 2011. – Vol. 98. – 223102.
113. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр / В. Н. Абакумов,
И. А. Меркулов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич // ЖЭТФ. – 1985. – Т. 89. – С. 1472-
1486.
114. Карпус, В. Термоионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом
поле / В. Карпус, В. И. Перель // Письма в ЖЭТФ. – 1985. – Т. 42. – С. 403-405.
115. Карпус, В. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в
электрическом поле / В. Карпус, В. И. Перель // ЖЭТФ. – 1986. – Т. 91. – С. 2319-2331.
112
116. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и
захвата электронов / В. Н. Абакумов, В. Карпус, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич //
ФТП. – 1988. – Т. 22. – С. 262-267.
117. Термополевая ионизация примесей многомодовое рассмотрение / В. Н. Абакумов,
В. Карпус, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич // ФТТ. – 1988. – Т. 30, вып. 8. – С. 2498-2504.
118. Абакумов, В. Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов,
В. И. Перель, И. Н. Яссиевич. – СПб.: изд. ПИЯФ, 1997.
119. Ганичев, С. Д. Ионизация глубоких примесных центров дальним инфракрасным
излучением / С. Д. Ганичев, И. Н. Яссиевич, В. Преттл // ФТТ. – 1997. – Т. 39,
вып. 11. – С. 1905-1932.
120. Ландау, Л. Д. Курс теоретической физики: Учеб. пособ. В 10 т. Т. III. Квантовая
механика (нерелятивистская теория) / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. – 6-е изд., испр. –
М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. – 800 с. – ISBN 5-9221-0530-2.
121. Богословский, Н. А. Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных
стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной
ионизацией U-минус центров / Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин // Физика и техника
полупроводников. – 2009. – Т. 43, вып. 10. – С. 1378-1382.
122. Bogoslovskij, N. A. Electronic–thermal switching and memory in chalcogenide glassy
semiconductors / N. A. Bogoslovskij, K. D. Tsendin // Journal of Non-Crystalline Solids. –
2011. – Vol. 357. – Pp. 992-995.
123. Bogoslovskiy, N. A. Multiphonon tunnel ionization of negative-U centers – the origin of
switching and memory effects in chalcogenide glasses / N. A. Bogoslovskiy, K. D. Tsendin
// Journal of optoelectronics and advanced materials. – 2011. – Vol. 13, no. 11-12. –
Pp. 1423-1428.
124. Воронков, Э. Н. Электропроводность аморфных пленок халькогенидных соединений
в сильных электрических полях / Э. Н. Воронков, С. А. Козюхин // ФТП. – 2009. –
Т. 43, вып. 7. – С. 953-956.
125. Switching and memory effects in partly crystallized amorphous Ge2Sb2Te5 films in a
current controlled mode / N. Almasov, N. Bogoslovskiy, N. Korobova et al. // Journal of
Non-Crystalline Solids. – 2012. – Vol. 358. – Pp. 3299–3303