Изложены результаты разработки и апробирования отечественной автоматизированной системы синтеза динамических и статических ИК-изображений в составе испытательного стенда контроля характеристик МФПУ. Реализованы наличие двух независимых каналов засветки поверхности тестируемого изделия – канал объекта и канал фона, возможность независимого изменения уровней облученности в обоих каналах в широком диапазоне – в канале фона облученность не менее 10-7 Вт/см2, в канале объекта в диапазоне 10-9–10-6 Вт/см2. Размер точечного объекта, формируемого в плоскости изображения тестируемого МФПУ, не превышает 30 мкм, скорость его перемещения до 250 мкм/с.
Данная статья является обзорной и содержит данные о методиках измерения фотоэлектрических характеристик ФПУ первого и второго поколений, таких как размер фоточувствительной площадки, неравномерность чувствительности и коэффициент фотоэлектрической связи. Все приведенные методики измерения используются при измерениях ФПУ первого и второго поколения на ведущих предприятиях в России и мире. Одновременно в статье рассмотрены зарубежные установки для проведения измерений фотоэлектрических характеристик ФПУ второго поколения и принципы их работы.
Приведены результаты разработки установки, предназначенной для межоперационного контроля фотоприемников и фотоприемных устройств на основе Si, Ge, InGaAs I-го поколения, предназначенных для приема лазерного излучения, на стадиях производства до резки пластины на отдельные фоточувствительные элементы. Установка позволяет проводить измерения темнового тока, токовой чувствительности, разброса чувствительности, коэффициента фотоэлектрической связи в нормальных климатических условиях.
Яркими примерами ключевых задач современной неускорительной физики являются поиск темной материи и двойного безнейтринного бета-распада. И одним из принципиальных требований, предъявляемых к экспериментальным установкам в обоих случаях, будет требование минимального уровня радиоактивного фона. Пути его снижения достаточно очевидны и широко применяются в актуальных экспериментах. Так, установки располагаются в подземных лабораториях, проводится тщательный отбор конструкционных материалов, а также используются различные методики активного подавления фона. Однако продвижение вперед в проектах нового поколения, помимо серьезного увеличения массы детекторов, требует заметного уменьшения и без того низкого уровня естественного радиоактивного фона. И одними из неустранимых его источников являются именно конструкционные материалы, окружающие детектор (детекторы). В связи с этим крайне важно не только постоянно проводить поиск и отбор новых, все более низкофоновых, материалов, но и обеспечивать невнесение радиоактивных загрязнений на этапе их обработки и производства требуемых деталей. В предлагаемой статье описаны результаты успешного использования на этапе подготовки ультранизкофонового эксперимента нового поколения по поиску двойного безнейтринного бета-распада деталей, изготовленных современными методами из низкофоновых материалов