В монографии обсуждаются вопросы концентрирования микропримесей, оптимизации условий спектрального анализа графитового концентрата, метрологической оценки методов анализа, а также послойного химико‑спектрального анализа объектов микроэлектроники.
Книга предназначена для научных сотрудников, работников заводских аналитических лабораторий, аспирантов и студентов старших курсов химических вузов.
Дана краткая информация об основных научных и производственных центрах России, ведущих исследования и разработки в области КМОП-технологии микроэлектроники, которая сейчас является наиболее распространенной технологией изготовления ИС. Представлены основные физико-технологические принципы разработки КМОП-приборов, современные направления фундаментальных и прикладных работ, в частности, в области сверхкомпактных быстродействующих СБИС субмикронного диапазона. Обсуждается проблема обеспечения материально-технологической базы микроэлектроники. Представлена справочная информация о номенклатуре выпускаемых промышленностью КМОП-СБИС и новых перспективных разработках
Обсуждаются методы формирования сверхтонких ВТСП-пленок и многослойных структур на их основе. Приведен краткий обзор результатов, полученных до последнего времени. Подчеркивается вывод о квазидвумерной сверхпроводимости купратных ВТСП
Изучались процессы формирования структур на поверхности карбида кремния и вли-яние параметров процесса плазмохимической обработки на геометрические парамет-ры сформированных структур. Экспериментально установлены корреляции между мощностью индуктивно-связанной плазмы (ИСП), составом газовой смеси (O₂/SF₆/Ar) и ключевыми параметрами: высотой структур, шероховатостью поверхности и уг-лом наклона стенок. Показано, что увеличение мощности ИСП и концентрации SF₆ в газовой смеси приводит к росту скорости травления. В частности, при мощности ИСП 300 Вт и соотношении газов O₂/SF₆/Ar (81/7/11) достигнуты: высота структуры 983,62 37,64 нм, шероховатость поверхности 14,13 2,15 нм и угол наклона 74,63 1,87.
Исследована эффективность применения микронасосов с интегрально встроенной на системном диске схемой возбуждения. В микронасосе используется электромеханический резонанс системы для активного (с обратной связью) охлаждения функционально насыщенных микроэлектронных устройств полупроводниковых приборов. Показано, что такие микронасосы без дополнительных теплоотводящих материалов с очень малыми массогабаритными характеристиками и низкими энергетическими затратами можно располагать непосредственно на самом полупроводниковом кристалле вместе с микроэлектронным устройством. При этом при охлаждении полупроводниковых приборов микроэлектроники существенно (в 4 раза) повышается эффективность их работы. Обратная связь обеспечивает оптимальный температурный режим работы электронного изделия.
Спрос на производство различных изделий микро- и оптоэлектроники на кристаллах (чипах) из полупроводниковых материалов с низким уровнем потребительской стоимости ужесточает требования к высокой точности и улучшению качества их обработки и подразумевает необходимость рассмотрения эффективных методов резки приборных пластин. В данной работе рассмотрены высокоэффективные методы резки пластин на кристаллы, позволяющие обрабатывать сложные и дорогостоящие устройства. Авторами обосновывается и экспериментально доказывается эффективность применения метода лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ), приведены преимущества и результаты успешного внедрения метода ЛУТ для прецизионной резки стекла, кремния, сапфира и других хрупких неметаллических материалов.
Приведены результаты экспериментальных исследований по созданию интегральнооптических волноводов на основе кварцевого стекла, легированного фтором, при помощи неизотермической плазмы резонансного локального СВЧ-разряда на волне Н10. Отработанная технология предназначена для создания планарных волноводов с сердцевиной из нитрида или оксинитрида кремния и SiO2 + F оболочки. Достигнуты высокие скорости осаждения кварцевого стекла, легированного фтором, на кремниевые подложки (вплоть до 1 мкм/мин), что может резко повысить производительность труда на данном переделе в микроэлектронике.
Беспрецедентная санкционная политика в отношении России заставляет задумываться о путях развития отечественной экономики, одним из приоритетных направлений которой является развитие отечественной электронной отрасли промышленности - самой наукоемкой отрасли машиностроения, структурного ядра постиндустриальной волны в соответствии с волновой концепцией Э. Тоффлера. Именно электронная продукция, включая компоненты и изделия из них, чрезвычайно дифференцирована и, в том числе, служит комплектующим к иным промышленным и потребительским товарам. Значит без развития электронной отрасли промышленности затруднительным становится развитие других сфер и отраслей экономики. Цель публикации - определить базовую стратегию развития электронной отрасли промышленности России. Задачи статьи - обозначить стратегическую роль инноваций в электронике и микроэлектронике в достижении Россией технологического суверенитета. В основе статьи лежит общая теория стратегии и методология стратегирования академика, иностранного члена Российской академии наук В. Л. Квинта, разработанная в Центре стратегических исследований института математических исследований сложных систем и кафедрой экономической и финансовой стратегии МГУ им. М. В. Ломоносова. В статье содержится обзор глобальных инновационных тенденций и стартапов, которые сегодня трансформируют электронную отрасль промышленности. В дополнение к обзору автор приводит статистическую информацию об уровне освоения этих технологий в России. Стратегия развития электронной отрасли промышленности России должна быть основана на переориентации на инновационные изделия и компоненты, а также на инновационные способы производства.
Актуальность. Беспрецедентная санкционная политика в отношении России вынуждает задумываться о направлениях развития отечественной экономики. Одним из приоритетных направлений является развитие отечественной электронной отрасли промышленности - самой наукоемкой отрасли машиностроения, структурного ядра постиндустриальной волны в соответствии с волновой концепцией Э. Тоффлера. Именно электронная продукция, включая компоненты и изделия из них, чрезвычайно дифференцирована и, в том числе, служит комплектующим к иным промышленным и потребительским товарам. Значит без развития электронной отрасли промышленности затруднительным становится развитие других сфер и отраслей экономики. Цель. Определить базовую стратегию развития электронной отрасли промышленности России. Задачи. Обозначить стратегическую роль инноваций в электронике и микроэлектронике в достижении Россией технологического суверенитета. Методология. В основе статьи лежит общая теория стратегии и методология стратегирования академика, иностранного члена РАН В. Л. Квинта, разработанная в Центре стратегических исследований института математических исследований сложных систем и кафедрой экономической и финансовой стратегии МГУ им. М. В. Ломоносова. Результаты. В статье содержится обзор глобальных инновационных тенденций и стартапов, которые сегодня трансформируют электронную отрасль промышленности. В дополнение к обзору автор приводит статистическую информацию об уровне освоения этих технологий в России. Выводы. Стратегия развития электронной отрасли промышленности России должна быть основана на переориентации на инновационные изделия и компоненты, а также на инновационные способы производства.
Тайвань и Республика Корея - крупнейшие центры производства наиболее сложных полупроводниковых компонентов, от поставок которых зависят и США, и КНР. В рамках стратегии по развитию своей микроэлектронной отрасли Вашингтон стремится локализовать производство наиболее технологичных чипов на своей территории и одновременно отсечь Китай от передовых технологий в этой сфере. Пока США сталкиваются с финансовыми, технологическими и кадровыми проблемами, что предопределяет в том числе наступление нового этапа кооперации с Тайванем и РК.