Приведены результаты экспериментального исследования влияния гамма-излучения на вольтамперные характеристики кремниевых p–i–n-диодов BPW34 фирмы Osram для их применения в качестве чувствительных элементов датчиков мощности поглощенной дозы в составе устройств управления автоматизированных систем. Получены статические характеристики p–i–n-диодов при воздействии гамма-излучения. Определен диапазон обратных напряжений, соответствующих наибольшей чувствительности p–i–n-диодных первичных преобразователей. Получено аналитическое выражение статической характеристики p–i–n-диодов при максимальной чувствительности к гамма-излучению.