SCI Библиотека

В работе представлены результаты исследования электрохромного эффекта в тонких пленках ксерогеля гидратированного пентаоксида ванадия состава V2O5·nH2O (n = 1,6—1,8), полученных золь-гель методом. Предлагаются модельные представления о механизме реализации данного эффекта, основанные на гипотезе о частичном преобразовании слоев оксидной фазы во фрагменты высших поливанадиевых кислот. Приведены данные инфракрасной спектроскопии для исходных и окрашенных пленок. Представлены результаты квантово-механического расчета прочности связей в цепочках ванадий-кислородных октаэдров.

Экспериментально изучена поверхностная термоЭДС в резистивных толстых Ag─Pd-пленках при облучении их поверхности пучком лазерного излучения. Показано, что участок облучаемой лазером поверхности Ag─Pd-пленки приобретает отрицательный заряд, что обусловлено разделением зарядов вследствие эффекта увлечения зарядов тепловыми фононами и их диффузии в область с меньшей температурой. Установлено, что амплитуда и частота сигналов ЭДС зависят соответственно от мощности и частоты импульсов лазерного излучения. Предложена конструкция чувствительного элемента приемника для регистрации параметров лазерного излучения.

Выполнен расчет характеристик МДП-варикапа с переносом заряда в ВЧ- и СВЧ-диапазоне. Показано, что предельная частота прибора не менее чем в два раза выше предельной частоты обычного варикапа на основе системы МДП. Разработана конструкция МДП-варикапа с узлом стока неосновных носителей заряда для СВЧ-фазовращателей. Изготовлены экспериментальные образцы прибора на основе структур монокристаллического кремния толщиной 10 мкм с тонким эпитаксиальным слоем. Предложена методика измерения параметров эквивалентной схемы прибора в СВЧ-диапазоне. Экспериментальные характеристики прибора соответствуют результатам расчета. Проведенные расчеты и полученные характеристики образцов ВПЗ позволяют сделать вывод о перспективности использования прибора для реализации каскадной схемы плавных фазовращателей.

Данная работа является развитием исследований по обнаружению взрывчатых веществ при помощи резонансного поглощения гамма-квантов на ядрах азота. Представлены конструкции, результаты расчётов и испытаний новых мишеней для генерации резонансных гаммаквантов в реакции 13С(p,)14N: тонкой мишени, предназначенной для генерации монохроматического излучения с энергией 9,17 МэВ, и толстой подвижной мишени, охлаждаемой излучением и предназначенной для работы с мощным пучком протонов.

Предложено акустооптическое (АО) устройство, позволяющее преобразовывать частоту сдвига между оптическими лучами в амплитудную модуляцию на частоте, равной nf, где f — частота звуковой волны, n — целое число. Работоспособность устройства подтверждена на примере АО-модулятора из кристалла парателлурита, с помощью которого оптическое излучение с длиной волны 0,63 мкм промодулировано по амплитуде на учетверенной звуковой частоте, равной ~180 МГц.

Исследованы фотоэлектрические характеристики матричного фотоприемного устройства формата 320256 элементов с шагом 30 мкм с фоточувствительным элементом, изготовленным в эпитаксиальном слое антимонида индия на высоколегированной подложке. Среднее значение эквивалентной шуму разности температур при относительном отверстии диафрагмы 1:0,94 и времени накопления 1,46 мс составило 10,5 мК, количество дефектных элементов — 0,12 %, время корректируемости — более трех часов. Проведено сравнение данного МФПУ с аналогичными серийными МФПУ на основе объемного антимонида индия.

Проведен сравнительный анализ способов измерения параметров ФПУ на длину волны 10,6 мкм в режиме оптического гетеродинирования. Показано, что большими преимуществами обладает модуляционный метод, позволяющий измерять характеристики ФПУ в широком диапазоне частот при значительном упрощении техники измерений. Разработана установка для измерения быстродействующих ФПУ на основе КРТ на длину волны 10,6 мкм в гетеродинном режиме модуляционным методом.

Исследовано время автономной работы tав глубокоохлаждаемых дроссельной системой Джоуля–Томсона фоторезисторов и фотодиодов из антимонида индия и фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Наибольшее время автономной работы (tав ≥ 28 с) получено для фоторезисторов из CdхHg1-хTe (х ~ 0,3). Показано, что время tав фоторезисторов и фотодиодов связано с температурой перехода полупроводниковых материалов из примесной области проводимости в собственную область. Обсуждаются возможности повышения времени tав фотоприемников за счет оптимизации требований к характеристикам InSb и CdхHg1-хTe.

С использованием форвакуумного плазменного источника электронов осуществлен процесс электронно-лучевого испарения алюмооксидной керамики в диапазоне давлений 5—15 Па. При плотности мощности электронного пучка 103 Вт/см2 скорость испарения керамики составляла 4 г/ч. Полученные результаты открывают возможность эффективного нанесения керамических покрытий на основе электронно-пучковых методов.

В данной работе впервые представлены результаты магнетронного распыления неохлаждаемой керамической мишени ZnO в атмосфере кислорода. При высоких плотностях разрядного тока (j > 60 мА/см2) мишень разогревается до температуры более 1000 оС. Приведены характерные изображения рельефа поверхности мишени, полученные с помощью растровой электронной микроскопии. В зоне эрозии мишени формируется характерная морфология, а в областях, примыкающих к ней (край и центр мишени) наблюдается формирование рельефа в виде специфических кристаллических структур, форма и размеры которых зависят от давления рабочего газа в системе и температуры мишени. Предполагается, что к процессам каскадного распыления, характерным для распыления охлаждаемых мишеней, при распылении «горячих» мишеней добавляются радиационно-ускоренные процессы диффузии и испарения.