В собрание трудов выдающегося советского физика-теоретика академика И. Я. Померанчука включены почти все его научные статьи, опубликованные в различное время в отечественных и зарубежных периодических изданиях. Работы И. Я. Померанчука охватывают широкий круг физических вопросов, они содержат важные результаты в таких разделах современной физики, как физика элементарных частиц и ядерная физика, теория ядерных реакторов и теория твердых тел и жидкостей.
В 1 том вошли статьи по теории металлов и диэлектриков, по физике квантовых жидкостей и нейтронной физике. Издание представляет значительный интерес для научных работников в области физики, инженеров-физиков, а также преподавателей, студентов и аспирантов физических специальностей вузов.
На основании современных сведений о схемах распада, опубликованных в периодической литературе, приведены абсолютные квантовые выходы γ-излучения, а также рентгеновского КХ-излучения, возникающего при распаде нук- лидов путем К-захвата (захват К-электронов) и при конверсии γ-переходов на К-оболочке. При этом систематизированные данные по абсолютным выходам рентгеновского КХ-излучения по всем нуклидам в данном справочнике приводятся впервые. На основе данных об энергиях и абсолютных квантовых выходах рассчитаны дифференциальные и полные гамма-постоянные около 1300 нуклидов, т. е. практически для всех нуклидов, схема распада которых с той или иной степенью достоверности изучена.
Для остальных нуклидов, выделенных в табл. 2, приведены лишь энергии γ-квантов и их относительные интенсивности.
Методом растровой электронной микроскопии исследованы изменения микроструктуры спеченных слоев серебросодержащих паст в зависимости от температуры процесса спекания (230—270 °С) при заданном давлении прессования, а также в зависимости от давления прессования (10—40 МПа) при заданной температуре спекания. Установлена корреляция полученных результатов с данными электрических измерений.
На туннельном микроскопе исследованы ВАХ в автоэмиссионном наноконтакте вольфрамовый микрозонд—микрозерно поверхности полупроводников А3В5. ВАХ эмиссии из зёрен GaAs соответствуют теории полевой эмиссии из металлов, а узкозонных InSb и InAs — эмиссии из приповерхностных электронных состояний. В режимах эмиссии и инжекции наблюдались важные для практики явления низкополевой эмиссии и ограничений тока локализованным зарядом. Результаты объясняются в рамках модели кулоновского взаимодействия и локализации лёгких электронов.
Приведены результаты расчета требований к качеству поверхностей входных окон фотоприемных устройств второго поколения средневолнового и дальневолнового инфракрасного (ИК) диапазонов спектра. Для расчета требований был проведен аналитический обзор представленных в России ИК-объективов и фотоприемных устройств. На основе данного обзора были сформулированы требования к современным оптическим системам средневолнового и дальневолнового ИК-диапазонов спектра и проведен их синтез. Расчет требований к качеству изготовления входных окон был проведен на основе анализа допусков синтезированных оптических систем.
Проведено компьютерное моделирование электростатического спектрографа, предложенного автором ранее, в режимах с вынесенным за пределы поля источником заряженных частиц. При линейном возрастании потенциала на дискретном электроде диапазон одновременно регистрируемых энергий Emax/Emin= 50. При этом разрешение по энергии лежит в пределах 0,2—0,6 %.
Собраны задачи по основным разделам курса «Экспериментальные методы ядерной физики». Содержит справочный материал, необходимый для решения задач. Большая часть задач снабжена подробным решением. Подобный сборник задач издается впервые.
Предназначен для студентов старших курсов соответствующих специальностей. Может быть полезен для аспирантов, инженеров и научных работников различных отраслей науки и народного хозяйства, использующих в своей работе ядерно-физические методы.
Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл - диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения. Проведен анализ источников излучений и обосновано применение моделирующих установок для исследования радиационных параметров интегральных микросхем.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов, занимающихся разработкой и применением высокостабильных интегральных микросхем.
Изложены основные методы спектрометрии ионизирующих излучений низких и средних энергий и методы обработки аппаратурных спектров. Особое внимание уделено методам спектрометрии с использованием сцинтилляционных и полупроводниковых детекторов. Систематизированы основные понятия и терминология в области ядерной спектрометрии и рассмотрены методы решения конкретных задач прикладной ядерной физики.
Для студентов физических специальностей и специалистов в области ядерной физики.
В учебнике последовательно описываются этапы развития лучевого поражения биологических систем от первичной стадии поглощения энергии ионизирующих излучений биомолекулами до гибели клетки и организма. Специальная глава посвящена вопросу единиц измерения доз и мощностей доз облучения биологических объектов и систем. Значительное внимание уделено современным представлениям о механизмах действия ионизирующих излучений на клетку и организм в больших и малых дозах. Проблема радиационной биофизики в настоящее время особенно актуальна в связи с последствиями чернобыльских событий и других радиационных аварий, а также острой необходимостью освоения читателем биологических и медицинских аспектов действия ионизирующих излучений на живые организмы и человека.
Для студентов биологов, медиков, физиков, химиков, специализирующихся по радиационной биологии и медицине, а также тех, кто работает на АЭС, на предприятиях и в учреждениях, использующих источники ионизирующих излучений и людей, проживающих в условиях повышенного фона радиоактивности.