Первый практический интерес к полупроводниковому слоистому соединению GeS был обусловлен, в частности, тем, что в 70-х годах прошлого века на нем осуществлялась голографическая запись. Очередной интерес к моносульфиду германия возник недавно. Так, американские ученые создали устройство, которое сохраняет значительное количество солнечной энергии. Обнаружение эффектов переключения и электрической памяти обуславливает их практическое применение в электронике. В этот список можно добавить эффект термопереключения моносульфида германия с участием примесей редкоземельных элементов.
Проведены исследования температурного поля образца, имитирующего матричное фото- приёмное устройство (МФПУ). Исследования проводились в нормальных климатических ус-ловиях. Определялось распределение температур в охладителе микрокриогенной системы (МКС), охлаждающей МФПУ. Создана специальная программа решения четырехмерной зада-чи теплопроводности. С её помощью можно определить температурное поле криостати-руемой фоточувствительной матрицы численным методом. Температурное поле в данной задаче меняется по оси вытеснителя МКС, радиусу и времени. Теплофизические параметры образца принимаются заданными и неизменными по координатам. Образец в начальный мо-мент времени находится при температуре окружающей среды, которая характерна для всех его сечений. Исследования проводились с использованием дифференциального уравнения теп-лопроводности с помощью разработанной программы и экспериментальным способом. Пред-ставлены результаты исследований.
В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов.
Предложены соотношения для оценки энергетической эффективности генерации пучков убегающих электронов в стационарном открытом разряде. Показано, что выражение для КПД генератора отличается от принятого для электронных пушек с высоковольтным тлеющим разрядом из-за образования в области катодного падения вторичных электронов.
Экспериментально исследован газовый разряд атмосферного давления между жидким электролитным катодом и металлическим анодом в диапазоне токов 1—10 А. Рассмотрены тепловые режимы катода, в которых температура электролита близка к температуре кипения. Показано, что в таких критических режимах тепловые потери на катоде практически полностью формируются за счет джоулевого тепловыделения внутри электролита. Проанализированы условия минимизации тепловых потерь на жидком электролитном катоде.
Индукционный разряд трансформаторного типа с двумя симметрично размещенными на лампе ВЧ-индукторами (магнитопровод и индуктивная катушка) возбуждался на частоте 265 кГц в замкнутой кварцевой трубке с внутренним диаметром 16,6 мм в смеси паров ртути и инертных газов (0,1—1,0 Торр). Обнаружено, что минимум КПД индуктора и максимумы напряженности электрического поля в плазме и потока УФ-излучения ( = 254 нм) достигаются при давлениях инертных газов 0,3—0,4 Торр.
Экспериментально исследовано развитие искрового канала от игольчатого анода при импульсном электрическом пробое раствора изопропилового спирта в воде с микропузырьками воздуха. Наличие микропузырьков приводит к увеличению скорости распространения искрового канала и увеличению величины тока при замыкании разрядного промежутка. Наблюдаемая скорость распространения канала в жидкости с микропузырьками меняется от 4 до 12 м/с, что свидетельствует о тепловом механизме развития искрового канала в микропузырьковой жидкости.
Приведены результаты исследования процесса эрозии в малогабаритном вакуумном разряднике с искровым поджигом методами электронной микроскопии, рентгенофлуоресцентного элементного анализа и масс-спектрометрии продуктов газовыделения. Изучены закономерности эрозии и переноса вещества металлических элементов разрядного устройства и диэлектрика, разряд по поверхности которого инициирует процесс коммутации. Обнаружено влияние окисной пленки, присутствующей на поверхности материала катода, на развитие дугового разряда в коммутаторе.
В данной работе представлены результаты применения магнетронной распылительной системы. Методом магнетронного распыления составной графитово-медной мишени получены поверхностные медно-углеродные структуры и выявлены условия их образования. Приведены характерные изображения структур на подложке, полученные с помощью атомно-силовой микроскопии. Найдены режимы распыления графитово-медной мишени. Показано, что на эффективность процесса распыления, кроме конструкции магнетрона и мишени, во многом влияют условия эксперимента. В работе экспериментально подобрана плотность потока распылённых атомов на подложку, температура мишени и подложки, давление аргона. Найдено, что подобные структуры не образуются без промежуточного металлического слоя. В нашем случае это была пленка меди. В общем виде учесть влияние всех этих параметров на полученный результат для расчета процесса распыления составной мишени не представляется возможным. Поэтому трудно оценить возможность получения подобных структур с другими металлами.
Методами растровой электронной микроскопии и мессбауэровской спектроскопии изучено влияние слабых (10…100 кА/м) низкочастотных (10…20 Гц) импульсных магнитных полей на структуру поверхности и магнитные характеристики феррит-граната иттрия Y3Fe5O12. Полученные результаты позволили выявить перераспределение катионов Fe3+ между октаэдрическими узлами с различными искажениями лигандного окружения. Установлена возможность изменения удельной намагниченности насыщения и коэрцитивной силы феррита в результате магнитоимпульсной обработки. Также установлена возможность снижения внутренних напряжений в структуре и, как следствие, изменение коэрцитивной силы феррита в результате локализации катионных вакансий преимущественно в октаэдрах, для которых направление локального магнитного поля совпадает с осью градиентов электрического поля. Показано, что одной из причин изменения удельной намагниченности насыщения Y3Fe5O12 после магнитоимпульсной обработки является изменение спинового состояния ионов железа, локализованных в тетраэдрической подрешетке. В соответствии с результатами магнитных исследований, вследствие изменения спинового состояния среднее значение магнитного момента ионов железа в тетраэдрической подрешетке может увеличиться примерно на 20 %. Это позволяет использовать магнитоимпульсное воздействие для управления магнитными параметрами феррита Y3Fe5O12.