Исследована эффективность применения микронасосов с интегрально встроенной на системном диске схемой возбуждения. В микронасосе используется электромеханический резонанс системы для активного (с обратной связью) охлаждения функционально насыщенных микроэлектронных устройств полупроводниковых приборов. Показано, что такие микронасосы без дополнительных теплоотводящих материалов с очень малыми массогабаритными характеристиками и низкими энергетическими затратами можно располагать непосредственно на самом полупроводниковом кристалле вместе с микроэлектронным устройством. При этом при охлаждении полупроводниковых приборов микроэлектроники существенно (в 4 раза) повышается эффективность их работы. Обратная связь обеспечивает оптимальный температурный режим работы электронного изделия.
Представлены результаты разработки тепловизионного прибора на базе ФПУ ФЭМ10М производства АО «НПО «Орион». В результате выполнения мероприятий по доработке конструкции ТПК-З под отечественный фотоприемник был разработан, настроен и испытан тепловизионный прибор ТПК-ЗР на базе отечественной многорядной линейки. Прибор не уступает в характеристиках МРРТ и РТЭШ тепловизору, использующему импортный фотоприемник. Используемый в приборе ТПК-ЗР комплекс алгоритмов обработки изображения позволяет получить качество тепловизионного изображения не хуже изображения, получаемого с прибора ТПК-З. Развитием полученного результата может стать выполнение комплекса мероприятий, направленных на достижение полной автоматизации калибровочных процессов в ТВП.
Экспериментально исследованы физические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Показано, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. Обнаруженный новый положительный эффект в виде нормального изменения фототока и аномального изменения темнового тока обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в сверхтонкой газоразрядной ячейке (d = 20 мкм) полупроводниковой ионизационной камеры.
Изготовлены макеты контактной системы БИС считывания формата 320256 с шагом 30 мкм на кремниевой пластине. Выполнено напыление слоев хрома, никеля и индия с последующим ионным травлением этих слоев через маску фоторезиста для формирования микроконтактов. Приведены результаты измерения сопротивлений соответствующих индиевых микроконтактов при комнатной температуре и при температуре жидкого азота.
Апробация метода плазменной сепарации отработавшего ядерного топлива подразумевает использование модельных веществ, при этом необходимо решить задачи перевода модельного вещества из конденсированного состояния в плазменное, а также его сбора на коллекторы. В настоящей работе представлены результаты изучения коэффициента конденсации Pb на поверхность коллектора. На основании экспериментальных данных и созданной с применением метода Монте-Карло расчетной модели было определено, что значения этого коэффициента превышают 75 % при средних температурах коллектора порядка 70 оС.
В статье описаны вакуумные камеры, которые были изготовлены в ИЯФ СО РАН как компоненты ондуляторов, предназначенных, в свою очередь, для проверки возможности уменьшения энергетического разброса адронного (ионного) пучка в модернизированном ускорителе RHIC (США) путем когерентного электронного охлаждения этого пучка. Для реализации данного процесса необходимо обеспечить сверхвысокий вакуум на уровне 10-9 Торр, что невозможно достичь только обычной откачкой вакуумными насосами из-за низкоапертурности и протяженности указанных вакуумных камер. В данных условиях в качестве основного средства откачки остаточного газа предложено использовать нераспыляемый геттер (поглотитель), нанесенный на внутреннюю стенку камеры. Описан способ нанесения нераспыляемого в процессе работы геттера на основе системы «титанцирконийванадий» с температурой активации 180200 ºС, а также приводятся экспериментальные результаты газопоглощающих свойств этого геттера.
Изучены механические и тепловые свойства (Ti, Al)-композита, полученного холодным прессованием смеси порошков титана и алюминия с последующим твердофазным спеканием на воздухе. Получены зависимости плотности, твердости, коэффициентов теплового расширения и температуропроводности от содержания титана и давления прессования. Их значения определяются свойствами исходных компонентов (алюминия, титана), наличием порового пространства и процессами, протекающими при твердофазном спекании.
В работе представлены результаты исследования влияния вакуумного отжига на микроструктуру, фазовый состав и электрофизические свойства пленок VOX, полученных методом реактивного магнетронного осаждения. Исследование кристаллической структуры и фазового состава проводилось методом рентгеноструктурного анализа в геометрии параллельного пучка. Определение электрофизических свойств пленок VOX было проведено с помощью метода длинной линии. Было установлено, что вакуумный отжиг осажденных при комнатной температуре пленок VOX, имеющих рентгено-аморфную структуру, сопровождается снижением содержания кислорода, приводящим к уменьшению сопротивления и ТКС с сохранением аморфной структуры при 200 оС и образованием кристаллических фаз VO2 и V4O7 при 300 оС и 400 оС соответственно.
Представлены результаты исследований индиевых микроконтактов на кристаллах БИС считывания и матричных фоточувствительных элементов после их гибридизации и последующей расстыковки, зависимости усилия отрыва от площади микроконтактов, а также вероятность появления дефектов БИС считывания после гибридизации. Индиевые микроконтакты на кристаллах БИС считывания изготовлены по технологии ионного травления, на кристаллах МФЧЭ методом химического травления. Исследованы фотоприемники форматов 320256 с шагом 30 мкм и 640512 с шагом 15 мкм на основе антимонида индия.
При помощи инфракрасного фурье-спектрометра измерялись спектры фотоотражения нелегированного InSb, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке n+-InSb. По периоду наблюдаемых при низких температурах осцилляций Франца–Келдыша определялась напряжённость приповерхностного электрического поля. Поскольку значение пиннинга уровня Ферми стабилизировалось обработкой образцов в водном растворе Na2S, величина поля зависела, в основном, от концентрации свободных носителей заряда. Обнаружено влияние температуры предварительного отжига подложки на концентрацию электронов в эпитаксиальном слое.