Выполнены исследования цезиевого импульсно-периодического разряда в широком диапазоне его параметров на двух лампах с горелками одного диаметра (5 мм), но с разным межэлектродным расстоянием (55 и 22 мм). Обнаружено, что такое уменьшение длины столба плазмы приводит к существенному изменению свойств разряда. На более длинной горелке при повышении давления контракция столба разряда происходит с локализацией плазменного шнура у стенки разрядной трубки, и при дальнейшем увеличении давления наблюдается значительное возрастание светоотдачи. На короткой горелке контракция происходит при меньших давлениях (удельных мощностях) с локализацией плазменного шнура по оси трубки, и не наблюдается увеличения светоотдачи с последующим ростом давления.
Сформулирована математическая модель импульсно-периодического разряда высокого давления в парах цезия на основе уравнений радиационной газодинамики. Выполнено исследование динамики формирования радиального распределения электронов в плазме разряда. Показано, что в разряде возможна реализация двух видов радиальных профилей концентрации электронов. В случае относительно небольших токов, когда плазма разряда частично ионизована, концентрация электронов имеет максимальное значение на оси разряда и убывает вдоль радиуса. При возрастании тока, после достижения высокой степени ионизации плазмы на оси разряда, характер распределения электронов резко изменяется: концентрация электронов теперь возрастает вдоль радиуса трубки, достигая максимума на периферии разряда. Показано, что перестройка радиальных профилей концентрации электронов происходит в момент, когда теплоёмкость плазмы на оси достигает минимума. Рассчитана зависимость значения температуры, соответствующей моменту перестройки, от давления плазмы в трубке.
Экспериментально исследовано влияние полярности электродов с геометрией «острие–штырь» на развитие импульсного электрического разряда в воде с удельной электропроводностью (90 10) мкСм/см с воздушными микропузырьками и без них. Обнаружено, что начальная инициация плазменного канала на аноде в воде происходит вблизи контакта металл-жидкость-изоляция для всех исследуемых геометрий анода. В присутствии пузырьков при повышенном напряжении развитие плазменных каналов после инициации происходит в противоположную от разрядного промежутка сторону вдоль изолированной поверхности электродов. При наличии пузырьков снижается амплитуда напряжения пробоя, уменьшается время задержки инициирования и общее время развития пробоя каналом, развивающимся с острийного анода. При повышении амплитуды напряжения развитие замыкающего канала происходит с катода вне зависимости от его геометрии.
Исходя из физических аспектов вариантов реализации различных типов датчиков, в работе формируются базовые функциональные требования к элементам системы мониторинга технического состояния авиационных конструкций, расположенных на борту летательного аппарата. Установлено, что наибольший интерес для практических целей представляет поиск дефектов вблизи поверхности объемных конструкций, либо внутри относительно тонких пластин. Выявлены критерии физических явлений для оптимизации параметров системы мониторинга с точки зрения разрешающей способности и весовой эффективности. Приведены типы датчиков для использования в системе мониторинга.
Описаны конструкция и способ изготовления высококонтрастных в рентгеновском спектральном поддиапазоне коротких длин волн ( 2,55 Å) рентгеношаблонов, являющихся инструментом для формирования резистивных масок толщиной до 250 мкм из негативных и до 1 мм из позитивных резистов. Данные рентгеношаблоны могут быть также использованы в поддиапазоне средних длин волн (810 Å) и в качестве переходных шаблонов при изготовлении LIGA-шаблонов, применяемых в поддиапазоне ультракоротких длин волн (0,53 Å). Способ изготовления базируется на кремниевой планарной технологии. Были изготовлены два вида шаблонов с преимущественно алюминиевой мембраной. Проведенная работа показывает, что, базируясь на данной технологии, можно изготавливать рентгеношаблоны и LIGAшаблоны со слоистыми несущими мембранами, выполненными из слоёв сравнительно легких материалов типа титана, алюминия, кремния и т. п., толщины которых могут варьироваться в зависимости от предназначения шаблона.
Представлены результаты численного моделирования параметров выходного излучения и эффективности лазера на парах меди, возбуждаемого импульсно-периодическим индукционным разрядом трансформаторного типа. Такой безэлектродный способ возбуждения является новым для лазера на парах меди и на практике пока не осуществлён. Выбраны параметры макета малого масштаба для проведения экспериментов по накачке индукционным разрядом рабочей среды такого лазера. Решена тепловая задача и определена дополнительная мощность, необходимая для нагрева разрядной трубки до требуемой температуры при пониженных мощностях разряда, возбуждающего лазерную среду.
В статье рассмотрена локальная задача определения напряженно-деформированного состояния (НДС) конструкции с развитием межслоевого повреждения. Представлен вариант с возможностью применения в системах мониторинга программной реализации математического аппарата для моделирования роста трещины, выявлены эффекты, характеризующие поведение материала. В результате исследования на основе численного моделирования представлено изменение параметра трещиностойкости в зависимости от длины трещины для термопластичного и реактопластичного связующего.
Исследовано влияние УФ-излучения на радиационную долговечность некоторых полимеров при различных условиях испытания. Изучена кинетика роста трещин образцах из пленок диацетилцеллюлозы как при наличии УФ-облучения, так и без него. Предложен закон сложения скоростей радиационного vj и термофлуктуационного v разрушения в условиях фотомеханической деструкции.
В представленной работе приводятся результаты исследований люминесцентных свойств поверхности сапфира покрытой нанокластерами золота. В качестве метода возбуждения люминесценции в работе был использован поток быстрых электронов с ускоряющим напряжением 40 кВ. Показано, что в ультрафиолетовой области спектра катодолюминесценции чистого сапфира при малых ускоряющих напряжениях (40 кВ) свечение практически отсутствует. После нанесения покрытия золота свечение в ультрафиолетовой области усиливается за счет интенсивной генерации вакансий кислорода в области контакта золота с сапфиром. Показано, что F+-полоса люминесценции при возбуждении потоком быстрых электронов является в сапфире основной, а F-полоса подавлена. Продемонстрировано плазмонное усиление интенсивности люминесценции, как в ультрафиолетовой, так и красной области спектра при нанесении нанокластеров золота. При фокусировке пучка электронов обнаружен эффект усиления люминесценции в ультрафиолетовой области и температурного гашения в красной области спектра. Усиление интенсивности люминесценции F+- центров связано с генерацией новых вакансий кислорода и перезарядкой старых.
Исследованиями механизмов переноса тока в pSi-nSi1-xSnx структур в интервале температур 293–393 К было установлено, что в Si1-xSnx (0 x 0,04) твердом растворе существенную роль в формировании электрических свойств играет рассеяние носителей заряда не только на сложных комплексах, но и на нанообразованиях. И этим доказано, что, эпитаксиальные пленки твердых растворов Si1-xSnx (0 x 0,04), полученные на кремниевых подложках, могут быть перспективными при изготовлении диодов, работающих в режиме двойной инжекции.