Излагаются принципы действия и схемотехническое построение изделий микрофотоэлектроиики, создаваемых на основе фоторезисторных, фотодиодных, фототраизисторных и пироэлектрических фотоприемных устройств, фоторезистор-диодных, фотодиод-диодных, фотодиод-МДП-транзисторных и других структур. Приводятся инженерные методы расчета отдельных параметров и методы их измерения, а также возможные области применения. Для инженерно-технических и научных работников в области микроэлектроники.
Рассматриваются основные параметры и структуры фотоприемных устройств (ФПУ), искажения сигналов, шумы элементов ФПУ - фотодиодов, биполярных и полевых транзисторов. Излагаются вопросы теоретического ограничения пороговых свойств ФПУ, проектирования входных каскадов предварительных усилителей, применения противошумовой коррекции, измерения параметров ФПУ. Для инженерно-технических работников, занятых разработкой и эксплуатацией волоконно-оптических линий связи. Может быть полезна студентам вузов связи.
