Рассмотрены методы создания покрытий с высокой адгезией. Экспериментально подтверждено использование процесса ионного перемешивания при получении покрытий с высокой адгезией из несмешивающихся материалов. Дано описание лазерноимплантационного метода получения покрытий и приведены экспериментальные результаты по созданию перемешанного слоя
Дан краткий обзор технологических достижений в электронной промышленности США в области техники монтажа и корпусирования, средств отображения информации (СОИ), памяти и оптической связи
Дано описание принципов и приведены технические характеристики оборудования для стереолитографии, которая является совершенно новой лазерно-компьютерной технологией быстрого создания макетов, а в перспективе - и самих деталей машин и агрегатов сколь угодно сложной формы. Первоначальный облик деталей есть результат компьютерного трехмерного проектирования-САПР
Даны некоторые численные оценки явлений, происходящих при ДС НПЭ. Получено кинематическое соотношение, позволяющее определить скорость движения дуги на практике. Приведены рекомендации по выбору источников питания для данного вида сварки
Приведены результаты разработки стенда, предназначенного для автоматизированного измерения параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs. Стенд позволяет проводить измерения удельной обнаружительной способности, вольтовой чувствительности, динамического диапазона, а также проводить поиск дефектных элементов. В статье рассмотрены вопросы отличия методик измерения параметров фотоприемных устройств первого и второго поколений, приведены методики расчета параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs.
Приведены результаты разработки установки исследования спектральной характеристики ультрафиолетового матричного фотоприемного устройства в диапазоне спектра 190—540 нм. Описан основной функционал установки и рассмотрен вопрос методики измерения.
Разработана универсальная установка измерения и контроля параметров электронных блоков фотоприемных устройств, позволяющая проводить тестирование сложных электронных блоков без монтажа специального оборудования и оснастки. Высокая универсальность установки заключается в наличии широкого набора средств для работы с цифровыми и аналоговыми сигналами, а также гибко настраиваемым программным обеспечением. Для подключения к измерительному тракту достаточно разработки жгутов и программного обеспечения, использующего модули АЦП, ЦАП, порты цифрового ввода-вывода и стандартное контрольно-измерительное оборудование, размещенное в 19’ серверной стойке, управляемое по интерфейсам IVI, NI DAQ, SCPI и VISA. В качестве примера применения измерительной установки представлены исследования характеристик электронного тракта блока телеметрии
Экспериментально исследованы зависимости основных параметров и характеристик собственной фотопроводимости от различных факторов в монокристаллах моноселенида индия (n-InSe). Показано, что полученные экспериментальные результаты могут удовлетворительно объясняться на основе частичной неупорядоченности кристаллов этого полупроводника и позволяют рекомендовать их в качестве подходящего материала для создания многофункциональных фотоприемников света — фоторезисторов со свойством фотоэлектрической памяти и накопления воздействия последовательных слабых световых сигналов.
Для кристаллографического анализа гетероэпитаксиальных структур теллурида кадмия-ртути использованы высокоточные методы микроскопии высокого разрешения, рентгеновской дифрактометрии, энергодисперсионного и микрорентгеновского анализа. Определен количественный состав химических компонентов внутри области структурного V-дефекта. Определены значения углов Брэгговского отражения, которые составили 47,1—47,5 градуса, и полуширины кривой качания, которая по измеренным образцам составила 74˝.
Исследовано влияние толщины фоточувствительного слоя в МФПУ на основе антимонида индия на одноточечную дефектность и чувствительность до и после утоньшения. На большом объеме матричных фотоприемников (МФП) установлено отсутствие увеличения одноточечной дефектности после утоньшения. Показана возможность изготовления МФП в области диапазона толщин 8÷12 мкм в случае улучшения контроля толщины без уменьшения процента выхода годных. В этом случае должна отсутствовать корреляция между чувствительностями до и после утоньшения, то есть исключено влияние величины объемной диффузионной длины неосновных носителей заряда на квантовый выход МФП после утоньшения, а также должны быть меньше величина разброса чувствительности после утоньшения и меньше взаимосвязь.
Рассмотрены особенности построения гетероструктур на основе InGaAs, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона спектра. Проведен анализ их структурного совершенства и морфологии поверхности. Анализ показал, что исследуемые структуры обладают наношероховатой поверхностью с малым количеством дефектов и структурных несовершенств. Плотность дефектов составила ~ 5 см-2, средневквадратичное значение шероховатости ~ 0,8 нм, выявлены структурные особенности роста эпитаксиальных слоев.
Исследовано влияние светового отжига на напряжение пробоя фотодиодов на пластинах InSb, объемную диффузионную длину неосновных носителей заряда и одноточечную дефектность матричных фотоприемников (МФП) на основе InSb, изготовленных из различных слитков. Обнаружено, что объемная диффузионная длина неосновных носителей заряда в среднем меньше для светового отжига по сравнению со стандартным отжигом в печи для всех исследованных слитков InSb. Установлено отсутствие ухудшения величины напряжения пробоя на пластинах InSb, прошедших световой отжиг, по сравнению с отжигом в печи. Тот факт, что разброс одноточечной дефектности МФП оказался больше разницы средних значений дефектности при различных методах отжига свидетельствует о том, что дефектность фотодиодов не связана с методом отжига.