В рассматриваемой работе приводятся результаты экспериментальных исследований формирования и развития ударных волн как при наличии внешнего продольного магнитного поля, так и без него, а также результаты влияния продольного магнитного поля на стадию сверхзвукового расширения искрового канала в аргоне атмосферного давления в коротких межэлектродных промежутках. Показано, что наложение магнитного поля приводит к заметному уменьшению скорости расширения плазменной области.
С использованием секционированного анода в геометрии острие-плоскость исследован радиальный профиль плотности тока отрицательной короны в аргоне. Экспериментально обнаружено сужение радиального распределения тока по аноду и уменьшение светового диаметра у анода с ростом тока короны. Получена параболическая аппроксимация для вольтамперной характеристики отрицательной короны в аргоне, с учетом экспериментально обнаруженного сужения токового сечения на аноде с ростом тока короны.
В работе представлены результаты математического моделирования параметров плаз- мы индуктивного ВЧ разряда в аргоне PIC методом в диапазоне давлений 1мТор — 1Тор. Показано, что при низких давлениях в области скин-слоя азимутальное поле осциллирует на основной частоте со средним значением равным нулю, в то время как радиальное поле имеет отличную от нуля постоянную составляющую. Осцилляции азимутального электрического поля приводят к формированию пучка электронов, азимутальная скорость которого осциллирует со временем, достигая максимума дважды за период.
В работе представлены результаты экспериментального исследования эффективной температуры и концентрации электронов в области скин-слоя индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах. Диапазон рассмотренных давлений 0.3─1000 мТорр. Результаты измерений проявили немонотонную зависимость параметров плазмы от давления. Показано, что при давлениях, соответствующих минимуму электронной температуры, частота упругих столкновений в аргоне и криптоне ниже, чем в гелии, вследствие эффекта Рамзауэра.
В настоящее время растёт интерес к протонным проводникам и полупроводникам, поскольку самым безопасным и легко управляемым способом транспорта водорода является протонный перенос в твердотельных протонных проводниках. Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических диэлектриков небольшой. Особенно актуальным представляется разработка способов получения и диагностики протонных проводников и полупроводников с заданными свойствами.
При помощи подходов, характерных для математического моделирования, рассматриваются некоторые проявления экситонных поляритонов, образующихся в результате взаимо действия световой волны с микрорезонатором, содержащим квантовые ямы в AlGaN микрополости. Методом матриц переноса получены электрическое поле световой волны в микрорезонаторе и угловая дисперсия поляритонных веток.
Представлена и численно исследована модель релаксации фотопроводимости пористого кремния, в которой учитывается рекомбинация фотоносителей на поверхности цилиндрических пор при синусоидально модулированном потоке света. Методом конечных элементов рассчитана частотная зависимость фотопроводимости пористого кремния и зависимость частоты модуляции света, при которой переменная составляющая фотопроводимости уменьшается вдвое при увеличении скорости поверхностной рекомбинации, а также при изменении радиуса пор и среднего расстояния между ними.
Представлены результаты исследования морфологии поверхности эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe (x = 0,07), полученные различными методами термического напыления (метод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами и проведено сравнение с другими АIVBVI. Установлено, что образование черных скоплений на поверхности эпитаксиальных пленок характерно для халькогенидов АIVBVI и морфология поверхности сильно влияет на электрофизические свойства.
Исследованы характеристики матричных фотоприемных устройств формата 320×256 элементов с шагом 30 мкм на основе InGaAs, чувствительных в спектральном диапазоне 0,9─1,7 мкм. Матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) изготавливались по планарной и мезатехнологии. Измерены распределения темнового тока и спектральные характеристики фоточувствительности МФЧЭ при комнатной температуре и температуре охлаждения минус 20 °C. Получены тепловизионные изображения в режиме реального времени
В работе представлено описание теоретической модели расчёта спектров фотолюминесценции структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и содержащих потенциальные и квантовые ямы (КЯ). В основу модели положен расчёт зонной диаграммы посредством самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шрёдингера. Особенностью представленной модели является, в частности, то, что при расчётах была учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ.
Рассмотрено влияние таких параметров процесса приготовления шестикомпонентной добавки (смесь Bi2O3, Sb2O3, Co3O4, NiO, MnO2, SiO2) как материала мелющих тел, размера мелющих тел, соотношения массы компонентов добавки и массы шаров на нелинейность в области малых токов, пропускную способность, градиент (отношение напряжения при токе 1 мА через варистор к высоте варистора) и соотношение U(1mA)/U (500A) оксидноцинковых варисторов с вышеуказанной шестикомпонентной добавкой.
Методом прямого численного моделирования проведено исследование процесса разделения жидких бинарных смесей на компоненты в неоднородно нагретом наклонном слое с твердыми идеально теплопроводными границами при положительной термодиффузии. Определены углы наклона слоя и соответствующие числа Рэлея, при которых эффект расслоения на отдельные составляющие максимален. Проанализировано влияние стационарной конвекции на процесс термодиффузионного разделения в результате действия дополнительного механизма переноса компонентов в области с разными температурами. Обнаружено хорошее согласие результатов численных расчетов с экспериментальными данными, полученными ранее интерференционными методами.