Рассматривается полупроводниковый p–n-переход, через который течет флуктуирующий ток неосновных носителей. Показано, что уравнение, связывающее концентрацию дырок вблизи перехода и плотность тока, имеет вид интегрального стохастического уравнения, а изменение плотности тока, обусловленное тепловой диффузией дырок, носит характер немарковского случайного процесса. Найдены статистические характеристики таких изменений для случая модели постоянной напряженности электрического поля вблизи перехода.
Проанализированы стохастические импульсные процессы. Вычислены выражения общего вида для спектров случайных импульсных процессов. Полученные результаты могут быть широко использованы в физике и технике.
Обсуждаются приложения явлений динамического изменения моды компонент стоячих волн излучения при ускоренном движении их фазовой структуры. Предложен новый акселерометр на основе автономного резонаторного датчика (АРД, ардатчика) без движущихся частей и без кольцевых резонаторов, размещённый неподвижно на объекте.
В данной статье рассматриваются технические вопросы, возникающие при совмещении телевизионного канала (в диапазоне 0,4—0,7 мкм) с тепловизионным (в диапазоне 3,0—5,0 мкм). Предложены решения в построении оптической схемы, электронной системы и программного обеспечения. Рассмотрены проблемы и предложены их решения по юстировке каналов, и временной синхронизации.
Проведено исследование лавинного матричного фотомодуля формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs на спектральный диапазон 0,9—1,7 мкм и барьерным слоем InAlAs. Матрица лавинных фотодиодов формата 320×256 элементов изготавливалась в nBp-наногетероструктуре по мезатехнологии. Измерены количество неработоспособных элементов, зависимость темнового тока от напряжения смещения и коэффициент лавинного усиления.
Проведено исследование показателя преломления бинарных соединений InP и четверных растворов InGaAsP. Проведен анализ критических точек в зоне Бриллюэна для полупроводниковых сплавов группы A3B5 со структурой цинковой обманки. Построена модель показателя преломления на широком диапазоне длин волн.
Исследована спектральная характеристика фотоприемного устройства (ФПУ) на основе ультрафиолетового фотодиода Шоттки из GaP. Показаны два механизма формирования спектральной характеристики: в области 0,28—0,54 мкм — собственное поглощение, в области более 0,54 мкм — поглощение на барьере Шоттки. В первой области спектральной чувствительности ФПУ может работать как пороговый фотоприемник. Во второй области спектральной чувствительности ФПУ способно работать как обнаружитель мощных оптических сигналов.
Проведены исследования по определению влияния различных технологий обработки поверхности КРТ на скорость поверхностной рекомбинации и, как следствие, на измеряемый параметр времени жизни неосновных носителей заряда. В качестве метода для определения параметра времени жизни был выбран неразрушающий метод бесконтактного измерения времени жизни по релаксационным кривым фотопроводимости, что позволило проводить исследования на реальных структурах, используемых в производстве матричных фотоприемных устройств.
Проведены исследования зависимостей основных характеристик матричного фотоприёмного устройства от давления криоагента микрокриогенной системы. Исследования позволяют определить давление криоагента микрокриогенной системы, при котором основные характеристики матричного фотоприёмного устройства соответствуют техническим требованиям.
Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований по влиянию динамического диапазона на точность измерения функции рассеяния точки (ФРТ) оптических систем. Показано, что для корректного измерения ФРТ и расчета на ее основе пятна рассеяния по заданному уровню концентрации энергии необходимо использование фотоприемных устройств ФПУ, обеспечивающих реальный динамический диапазон при оцифровке не менее 14 бит.
Данная работа посвящена рассмотрению и практической реализации различных схемных решений быстродействующих фотоприемных устройств, основанных на использовании в качестве фоточувствительного элемента фотодиодов, оптимизированных для приема на спектральный диапазон 0,85—1,067 мкм. При этом длительность входных оптических сигналов может изменяться в широком диапазоне от 5 до 400 нс, с уровнями регистрируемых энергий от 110-16 до 210-9 Дж.
В статье обсуждается методика пассивации и защиты поверхности In1-xGaxAs1-yPy с помощью обработки в плазме СF4 и N2 и осаждения пленки Si3N4 плазмохимическим методом при температурах не более 200 оС. Разработанная технология обеспечивает получение и стабилизацию плотности темнового тока при U = 10 B на уровне 10-5—10-6 А/см-2, а также плотность микропор 0—20 см-2 при диэлектрической прочности 107 В/см.