Структурные и оптические свойства твердых растворов InAs1-xSbx для средневолновых инфракрасных фотодетекторов (2024)

Исследованы структурные и оптические свойства твердых растворов InAs1–ₓSbₓ, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaSb(100) с использованием различных соотношений потоков сурьмы и мышьяка (Sb/As), а также материалов III и V групп. Кристаллическое совершенство образцов подтверждено методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения, а оптические свойства изучены с помощью низкотемпературной фотолюминесценции. Определены ширина запрещенной зоны и концентрации сурьмы (от 9,4 % до 15,4 %), которые влияют на оптические характеристики. Полученные результаты демонстрируют перспективность использования InAs1–ₓSbₓ для создания инфракрасных фотодетекторов среднего диапазона. 

InAs1-xSbx solid alloys were grown by molecular beam epitaxy on GaSb(100) substrates at different ratios of Sb and As fluxes, as well as fluxes of group III and V materials. The crystalline perfection of the structure is confirmed by high-resolution X-ray diffraction analysis. The optical properties of the obtained heterostructures with InAs1-xSbx solid alloys were investigated using low-temperature photoluminescence measurements.

Тип: Статья
Автор (ы): Кривобок Владимир Святославович
Соавтор (ы): Клековкин Алексей Владимирович, Минаев Илья Иванович, Савин Константин Антонович, Ерошенко Григорий Николаевич, Николаев Сергей Николаевич, Пручкина Анна Артемовна

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.915. Электронные состояния и электронные структуры
Префикс DOI
10.51361996-0948
Текстовый фрагмент статьи