В работе представлены результаты измерения эквивалентного сопротивления плазмы, являющегося мерой способности плазмы поглощать ВЧ-мощность. Рассмотрен индуктивный ВЧ-разряд в инертных газах в диапазоне давлений 1 мТорр - 10 Торр. Показано, что при частотах упругих столкновений, не превышающих 3∙107 с-1, значения эквивалентного сопротивления различных газов в пределах ошибки эксперимента «ложатся» на одну кривую. При частотах столкновений более 3∙107 с-1 значительный вклад в поглощение вносит емкостная составляющая разряда.
В борновском приближении найдены дифференциальные сечения тормозного излучения электронов, проходящих через многослойную упорядочную структуру кулоновых центров, находящихся во внешнем электрическом поле. Показано, что пространственная структура тормозного излучения имеет по сравнению с малым (порядка десяти) числом слоев более сложный осцилляционный характер, связанный с интерференцией электронов при отражении их от потенциального барьера внешнего однородного поля и суперпозицией их движений в кулоновом и однородном поле.
Работа посвящена проблеме управления параметрами вихревых потоков, образующихся в природе и во многих технических приложениях, например, при обтекании летящего тела. Впервые нитевидные плазменные каналы сформированы внутри воздушного вихря. Зарегистрирована перестройка структуры течения за фронтом цилиндрической ударной волны.
Выполнены измерения синфазной и квадратурной составляющих первой гармоники ЭДС-сигнала отклика поликристаллов YBa2Cu3O7-x в постоянном магнитном поле. Обнаружено отсутствие эффекта пиннинга вихрей Джозефсона в слабосвязанной среде в магнитных полях меньше Hc2j, где Hc2j - величина верхнего критического поля джозефсоновских слабых связей. Определенная начальная кривая намагниченности позволила описать нелинейную часть намагниченности, обусловленную слабыми связями керамики.
Приведены результаты экспериментальных исследований влияния работы микрокриогенной системы (МКС) типа « интегральный стирлинг », применяемых в криогенно-охлаждаемых ФПУ, на характеристики оптико-электронных систем. В ходе исследования были проведены измерения величин смещений и наклонов охлаждающего пальца микрокриогенной системы и определены возможности использования существующих МКС для создания перспективных ФПУ с малым шагом.
В работе рассмотрен подход к оценке вероятностей обнаружения, классификации, распознавания и идентификации объектов оптико-электронными системами «смотрящего» типа, построенными на базе инфракрасных матричных фотоприёмных устройств, в условиях изменения температурного разрешения отдельных областей чувствительных элементов матричного фотоприёмника вследствие попадания в поле лазерного излучения.
Исследованы элементы планарной фоточувствительной матрицы на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP. Формат матрицы 320х256 пикселей с шагом 30 мкм. Представлено распределение темнового тока по элементам матрицы при двух значениях напряжения смещения. Исследованы вольт-амперные характеристики тестовых элементов различной площади. На основании этих исследований определены составляющие плотности темнового тока, зависящие от объёма и периметра элементов. Для объёмной составляющей плотности темнового тока получено значение 3·10-7 А/см2 при напряжении 5 В. Оценено эффективное время жизни носителей в области пространственного заряда p-n-перехода τэфф =95 мкс.
В работе рассмотрены основные источники металлических примесей, ухудшающих темновые токи кремниевых фотодиодов. С использованием методов спектрального, нейтронно-активационного анализа (НАА) и электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) показано, что основным источником примеси переходных элементов, прежде всего железа, является газовая атмосфера реактора, которая загрязняется из аппаратуры для проведения термодиффузионных процессов. Также установлено, что концентрационные профили межузельного железа, полученные методом ЭПР, и термодоноров в кремнии р-типа близки, что свидетельствует об основной роли Fe i 0 в образовании последних. Применение двухстенных реакторов, операций геттерирования примесей и медленного охлаждения образцов после высокотемпературных операций позволяет существенно снизить темновые токи фотодиодов.
Рассматривается схема построения 14-разрядного дельта-сигма аналого-цифрового преобразователя (АЦП) с конвейерным считыванием. Анализируются основные концепции построения (АЦП) в накопительной ячейке для матричных ФПУ ИК-диапазона. Наличие АЦП в ячейке БИС считывания позволяет в десятки раз увеличить время накопления и, улучшить пороговые характеристики. Предложен способ оптимизации АЦП по площади за счет применения LFSR-счетчика, работающего в двух режимах: формирования цифрового кода и его последовательного считывания.
В статье рассмотрены основные принципы работы систем пространственно-временного преобразования информации на примере ФПУ с ВЗН формата 1024×10. Для вычитания неинформативной постоянной составляющей сигналов, во входных ячейках большой интегральной схемы (БИС) считывания ФПУ расположены отключаемые фильтры верхних частот. ВЗН осуществляется внутри БИС и имеет “адресную” реализацию с матрицей аналоговых сумматоров. С целью увеличения пространственного разрешения системы в направлении сканирования, на каждый канал ФПУ (10 чувствительных элементов) приходится 28 ВЗН-сумматоров. Таким образом, имеется возможность осуществлять 3 выборки значений сигналов при перемещении пятна излучения между соседними ФЧЭ в режиме сканирования. Матрица фоточувствительных элементов (ФЧЭ) разделена на 4 субматрицы с целью увеличения пространственного разрешения в направлении, перпендикулярном сканированию. В работе описаны основные схемотехнические решения и представлены необходимые расчетные соотношения.
В работе представлена методика измерения фотоэлектрических параметров ФПУ с режимом временной задержки и накопления (ВЗН) без оптико-механического сканирования. Особенностью ФПУ является наличие отключаемых фильтров верхних частот во входных ячейках большой интегральной схемы (БИС), что позволяет производить вычитание неинформативной постоянной составляющей сигналов. В качестве источника оптического сигнала выступало абсолютно черное тело (АЧТ) с модулятором. Критерием выбора частоты модуляции служил период ВЗН и амплитудно-частотная характеристика ФПУ. Для корректного измерения значений сигналов произведен расчет параметров нерекурсивного ВЗН-фильтра. Значения шумов ФПУ получены вычитанием периодической амплитудной модуляции. Произведен расчет зависимости фоновых облученностей на чувствительный элемент, построена зависимость шумов ФПУ от температуры фона. Вычислены внутренние шумы ФПУ. В конце работы представлены численные результаты измерения параметров.
Приведены результаты исследования планарных фотодиодов (ФД) матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaAs/InP формата 320х256 элементов с шагом 30 мкм, гибридизированных с различными типами БИС считывания. Показано, что для уменьшения взаимосвязи МФЧЭ при комнатной температуре необходимо увеличивать обратное смещение на ФД до уровня не менее 2 В. Установлено, что значительного уменьшения темнового тока можно добиться при уменьшении температуры МФЧЭ до -20 °С с помощью двухкаскадного термоэлектрического охладителя. Лучшее среднее по МФЧЭ значение темнового тока планарных фотодиодов при комнатной температуре достигает минимального значения 0,22 пА при оптимальном смещении на ФД равном -2,4 В.