Влияние процессов отжига на время жизни носителей заряда и его однородность в пластинах кремния n-типа (2022)
Показано, что предварительная термическая обработка в кислороде и азоте при 1150 С в течение нескольких часов значительно снижает неравномерность в распределении времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии, выращенном методом Чохральского, при последующих диффузионных процессах. Полученный результат объясняется образованием при отжиге приповехностной зоны с пониженной концентрацией кислорода, в которой подавляется рост кислородных преципитатов.
Издание:
Прикладная физика
Выпуск:
№ 3 (2022)
Влияние кислородных преципитатов на темновой ток кремниевых фотодиодов (2023)
Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.
Издание:
Успехи прикладной физики
Выпуск:
том 11 № 6 (2023)