С О Д Е Р Ж А Н И Е
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Гребенщиков С. Е., Харчев Н. К., Васильков Д. Г. Измерение поглощаемой СВЧ-мощности при ЭЦР-нагреве плазмы в стеллараторе Л-2М 5
Давыдов С. Г., Долгов А. Н., Карпов М. А., Корнеев А. В., Никишин Д. В., Пшеничный А. А., Якубов Р. Х. Высокоскоростная регистрация изображений вакуумно-дугового разряда в оптическом диапазоне спектра 15
Сапронова Т. М., Ульянов К. Н. Теория высоковольтного тлеющего разряда с генерацией моноэнергетического пучка электронов 21
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дво-рецкий С. А., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сидоров Г. Ю. Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями 28
Соляков В. Н. Тепловизионный метод контроля локальных дефектов фотоэлектрических преобразова-телей солнечного излучения 33
Стучинский В. А., Вишняков А. В., Сидоров Г. Ю. Пороговые характеристики многоэлементных фотодиодных ФПУ, определенные с ис-пользованием различных методов засветки 39
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Вильдяева М. Н., Климанов Е. А., Нури М. А., Скребнева П. С. Влияние режимов диффузионных процессов на время жизни неосновных носителей за-ряда в кремнии, выращенном методом Чохральского 46
Березин В. М., Клещев Д. Г., Жеребцов Д. А. Особенности формирования нанопленок висмута на стекле электронно-лучевым распы-лением 53
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Яненко Ю. Б. Термокондуктометрический метод детектирования водорода в многокомпонентных га-зовых смесях 60
Гибин И. С., Козик В. И., Нежевенко Е. С. Источники излучения для проекторов инфракрасных сцен 67
Котов В. М. Выравнивание интенсивностей лучей четырехцветного лазерного излучения 74
Правдивцев А. В. Влияние конструктивных элементов объективов на дополнительную облученность фоточувствительных элементов неохлаждаемых ИК МФПУ 79
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 86
C O N T E N T S
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
S. E. Grebenshchikov, N. K. Kharchev, and D. G. Vasilkov Measurement of the absorbed microwave power during plasma ECR heating in the L-2M stellar-ator 5
S. G. Davydov, A. N. Dolgov, M. A. Karpov, A. V. Korneev, D. V. Nikishin, A. A. Pshenichniy, and R. Kh. Yakubov High-speed recording of vacuum arc discharge images optical range 15
T. M. Sapronova and K. N. Ulyanov Theory of high-voltage glow discharge with the generation of a monoenergetic electron beam 21
PHOTOELECTRONICS
A. V. Voitsekhovskii, N. A. Kulchitsky, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvo-retsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, and G. Yu. Sidorov Investigation of the differential resistance of MIS-structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers 28
V. N. Solyakov Thermal imaging method for monitoring local defects of photoelectric solar radiation converters 33
V. A. Stuchinsky, A. V. Vishnyakov, and G. Yu. Sidorov Threshold characteristics of multi-element photodiode detectors determined using different illumination conditions 39
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
M. N. Vil’dyaeva, E. A. Klimanov, M. A. Nuri, and P. S. Skrebneva The influence of diffusion processes on the lifetime of minority charge carriers in silicon grown by the Czochralski method 46
V. M. Berezin, D. G. Kleschev, and D. A. Zherebtsov Features of the formation of bismuth nanofilms on glass by electron beam spraying 53
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
L. M. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. Ya. Pecherkin, and Yu. B. Yanenko Thermoconductometric method of hydrogen detection in multicomponent gas mixtures 60
I. S. Gibin, V. I. Kozik, and E. S. Nejevenko Sources of radiation for infrared projectors 67
V. M. Kotov Equalization of the beams intensities of the four-color laser radiation 74
A. V. Pravdivtsev The influence of lens design elements on the additional irradiance of photo-sensitive elements of uncooled IR FPA 79
INFORMATION
Rules for authors 86
Статьи в выпуске: 4
Проведены исследования адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si и GaAs. Изучались возможности повышения значения произведения дифференциального сопротивления области пространственного заряда на площадь полевого электрода RОПЗA путем создания приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe. Установлено, что создание варизонного слоя приводит к увеличению значения RопзA в 10–200 раз для МДП-структур на основе n-Hg0,78Cd0,22Te за счет подавления процессов туннельной генерации через глубокие уровни и уменьшение тока Шокли-Рида. МДП-структуры на основе n-Hg0,78Cd0,22Te без варизонного слоя, выращенные на GaAs-подложках, имеют значения RопзA, превышающие в 10 и более раз значения аналогичного параметра для структур, выращенных на Si-подложках.
Развита кинетическая теория высоковольтного тлеющего разряда (ВТР). Решено уравнение Пуассона в слое объёмного заряда с учётом потока ионов, поступающих из плазмы в слой, ионизации газа в слое электронами, ионами и быстрыми атомами. На катоде имеет место потенциальное и кинетическое вырывание электронов с поверхности. Для различных значений плотности газа и коэффициента вторичной эмиссии рассчитаны ВАХ, определены размеры слоя объемного заряда, получены распределения электрического поля в слое и другие характеристики ВТР. Предложенная математическая модель может быть использована для расчета характеристик ускорителей электронов на основе ВТР.
Изучался процесс коммутации короткого вакуумного промежутка с помощью вспомогательного разряда по поверхности диэлектрика путем высокоскоростной регистрации изображений излучающей в оптическом диапазоне спектра плазмы разряда. На основе анализа полученных экспериментальных данных высказано предположение о существенной роли излучения катодного пятна и катодного факела ультрафиолетового диапазона в процессе формирования токового канала в разряде.
Приведены результаты измерения поглощаемой плазмой мощности в стеллараторе Л-2М при электронном циклотронном резонансном (ЭЦР) нагреве плазмы на второй гармонике гирочастоты. Водородная плазма создавалась и нагревалась в вакуумной камере стелларатора при резонансном поглощении СВЧ-мощности в режиме импульсно периодической работы гиротронов. Полная энергия плазменного тороидального плазменного шнура и величина поглощенной мощности измерялись с помощью диамагнитной диагностики. Проведен учет экранирующего влияния металлической вакуумной камеры на измерение диамагнитных сигналов. Установлено, что при центральном ЭЦР-нагреве в плазме поглощается до 90 % мощности инжектированного гиротронного пучка, что согласуется с существующими теоретическими оценками.