Архив статей

Влияние режимов диффузионных процессов на время жизни неосновных носителей заряда в кремнии, выращенном методом Чохральского (2019)
Выпуск: №2 (2019)
Авторы: Вильдяева Мария Николаевна, Климанов Евгений Алексеевич, Нури Марина Александровна, Скребнева Полина Станиславовна

Исследована зависимость значений () и однородности распределения времени жизни (/) неосновных носителей заряда (ННЗ) в кремнии n-типа от поверхностного сопротивления диффузионного слоя фосфора и показано отсутствие такой зависимости при диффузии бора. Показано, что увеличение концентрации фосфора приводит к увеличению времени жизни  ННЗ и его неоднородности / и сопровождается изменениями в размерах и плотности микродефектов. Гомогенизирующая термическая обработка в кислороде при 1100 оС (tabula rasa) была использована для уменьшения не-равномерность в распределении времени жизни / ННЗ при последующих диффузионных процессах при сохранении достаточно высоких значений τ. Обсуждаются механизмы генерации микродефектов при диффузионных процессах.

Сохранить в закладках