Проведены исследования адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si и GaAs. Изучались возможности повышения значения произведения дифференциального сопротивления области пространственного заряда на площадь полевого электрода RОПЗA путем создания приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием CdTe. Установлено, что создание варизонного слоя приводит к увеличению значения RопзA в 10–200 раз для МДП-структур на основе n-Hg0,78Cd0,22Te за счет подавления процессов туннельной генерации через глубокие уровни и уменьшение тока Шокли-Рида. МДП-структуры на основе n-Hg0,78Cd0,22Te без варизонного слоя, выращенные на GaAs-подложках, имеют значения RопзA, превышающие в 10 и более раз значения аналогичного параметра для структур, выращенных на Si-подложках.
It has been established that the creation of a graded-gap layer leads to an increase in the value of product RSCRA by 10–200 times for MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te due to the suppression of tunneling through deep levels and a decrease in the Shockley-Read generation current. MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te without a graded-gap layer grown on GaAs substrates have values of RSCRA that exceed values of a similar parameter by 10 or more times for structures grown on Si substrates. This is due to the high defectiveness of films grown on silicon substrates. MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with a graded-gap layer grown on GaAs substrates have values of RSCRA large by a factor of 5–10 with SiO2/Si3N4 as a insulator. The values of RSCRA for MIS structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with a graded-gap layer grown on Si substrates depend weakly on the type of insulator, but these values turned out to be small at 77 K.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- eLIBRARY ID
- 36653045
