Влияние кислородных преципитатов на темновой ток кремниевых фотодиодов (2023)

Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.

Strong correlation was observed between ring-like patterns in distributions silicon photo-diodes dark current, carrier lifetime and microdefect eatching pits.From our results It can be reasonably deduced that ring-like patterns in distribution silicon photodiodes dark cur-rent and carrier lifetime are related to oxide precipitates.

Тип: Статья
Автор (ы): Вильдяева Мария Николаевна
Соавтор (ы): Демидов Станислав Стефанович, Демидова Юлия Станиславовна, Климанов Евгений Алексеевич, Хлызова Ульяна Дмитриевна, Скребнева Полина Станиславовна

Идентификаторы и классификаторы

УДК
621.315.5. Проводники и полупроводники по виду материала
Префикс DOI
10.51368/2307-4469-2023-11-6-511-514
Текстовый фрагмент статьи