Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.
Strong correlation was observed between ring-like patterns in distributions silicon photo-diodes dark current, carrier lifetime and microdefect eatching pits.From our results It can be reasonably deduced that ring-like patterns in distribution silicon photodiodes dark cur-rent and carrier lifetime are related to oxide precipitates.
Идентификаторы и классификаторы
- Префикс DOI
- 10.51368/2307-4469-2023-11-6-511-514
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.