Архив статей

Влияние кислородных преципитатов на темновой ток кремниевых фотодиодов (2023)
Выпуск: Том 11, № 6 (2023)
Авторы: Вильдяева М. Н., Демидов С. С., Демидова Ю. С., Климанов Е. А., Хлызова У. Д., Скребнева П. С.

Проведено сравнение распределений темновых токов, времени жизни неосновных носителей заряда и микродефектов, выявляемых селективным травлением. Показано, что основной причиной повышенных темновых токов и пониженной фото-чувствительности в кремниевых фотодиодах, изготовленных на кремнии n-типа, изготовленным методом Чохральского, являются генерационно-рекомбинационные процессы на мелких окисных преципитатах.

Сохранить в закладках