Архив статей журнала

Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками (2022)
Выпуск: № 5 (2022)
Авторы: Коханенко Андрей Петрович, Войцеховский Александр Васильевич, Лозовой Кирилл Александрович, Духан Рахаф, Дирко Владимир Владиславович, Акименко Наталья Юрьевна

Описывается поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Рассматриваются вопросы оптимизации условий роста в методе молекулярно-лучевой эпитаксии для повышения эффективности инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками. В качестве модельной материальной системы для теоретических исследований выбраны многослойные гетероструктуры с квантовыми точками германия на поверхности кремния. В представленной работе разработана теоретическая модель для учета наличия в фотодетекторах нескольких слоев квантовых точек, а также рассогласования квантовых точек по размерам. Проведены расчеты шумовых и сигнальных характеристик инфракрасных фотоприемников на основе гетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии. Оценены темновые токи в таких структурах, вызванные тепловой эмиссией и барьерным туннелированием носителей. Для проверки модели мы сравнили теоретические значения темнового тока с экспериментальными результатами, полученными в работах других исследователей.

Сохранить в закладках
Структурные и оптические свойства InAs/GaSb сверхрешеток, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (2024)
Выпуск: №5 (2024)
Авторы: Ерошенко Григорий Николаевич, Минаев Илья Иванович, Клековкин Алексей Владимирович, Муратов Андрей Викторович, Дубовая Анастасия Романовна, Пручкина Анна Артемовна, Николаев Сергей Николаевич

На подложках GaSb (100) получены короткопериодные сверхрешетки InAs/GaSb с компенсацией упругих напряжений, реализованных за счет внедрения интерфейсных слоев In(As)Sb. Структурное совершенство сверхрешеток и отсутствие пластической релаксации подтверждено с помощью ренгеноструктурного анализа и атомно-силовой микроскопии. На основе измерений спектров отражения показано, что край поглощения сверхрешеток расположен в районе 1000 см-1 мкм при температуре 77 К. Совокупность полученных данных демонстрирует возможность применения сверхрешёток с интерфейсной компенсацией напряжений для создания детекторов дальнего ИК-диапазона.

Сохранить в закладках
Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области (2024)
Выпуск: №5 (2024)
Авторы: Войцеховский Александр Васильевич, Дзядух Станислав Михайлович, Горн Дмитрий Игоревич, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай

Представлены результаты исследования структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe nBn-структуры со сверхрешеткой в барьерной области. Исследования проводились методом спектроскопии адмиттанса в широком диапазоне температур, который позволяет определять широкий спектр свойств полупроводниковых гетероструктур. Получены зависимости адмиттанса от частоты и напряжения, а также временные зависимости релаксации электрической ёмкости при импульсной подаче напряжения смещения. Определена зависимость концентрации основных носителей заряда от температуры. По температурным зависимостям продольного сопротивления объема эпитаксиальной пленки и концентрации основных носителей заряда получены значения энергий активации. Проведен анализ влияния ИК-подсветки на различные характеристики структуры. Показано, что наличие постоянной ИК-подсветки приводит к изменению уровня ёмкости как в режиме инверсии, так и в режиме обогащения

Сохранить в закладках
Экспериментальное исследование барьерных NBN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях (2022)
Выпуск: № 3 (2022)
Авторы: Войцеховский Александр Васильевич, Дзядух Станислав Михайлович, Горн Дмитрий Игоревич, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай, Сидоров Георгий Юрьевич

Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувствительных структур для MWIR и LWIR диапазонов инфракрасного (ИК) излучения, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Проведены измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ), как темновых, так и при наличии засветки. Определены параметры NBN-структуры, реализующей максимальные значения фототока и минимальные значения темновых токов в рабочем интервале напряжений смещения V для повышенных рабочих температур.

Сохранить в закладках