С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Свешников В. М., Третьяков А. С. Численно-аналитические алгоритмы интегриро-вания уравнений движения заряженных частиц в электрических полях 5
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Лебедев Ю. А. 10-й Международный научный семинар по СВЧ-разрядам – X-th International Workshop on Micro-wave Discharges: Fundamentals and Applications (MD-10) 11
Скалыга В. А., Голубев С. В., Изотов И. В., Лапин Р. Л., Разин С. В., Сидоров А. В., Шапошников Р. А. Сильноточные импульсные ЭЦР-источники ионов 17
Ахметов М. Н., Ахметов Н. Д., Гимадеев М. М., Кривошеев В. А. Метод расчёта формирования и движения фронта ударной волны в высоковольтном электрическом разряде в воде 25
Золотухин Д. Б., Бурдовицин В. А., Окс Е. М., Панченко Н. А. Потенциал составной металлической мишени при её облучении электронным пучком в форвакуум-ной области давлений 30
Кравченко Д. А., Ловцов А. С. Влияние траекторий первичных электронов на эффективность работы газоразрядной камеры ионного двигателя 35 Балданов Б. Б., Ранжуров Ц. В., Сордонова М. Н., Будажапов Л. В. Влияние плазменной модификации поверхности семян зерновых культур на их посевные свойства 41
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Варавин В. С., Дворец-кий С. А., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сидоров Ю. Г. Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями 46
Ильинов Д. В., Шабрин А. Д., Гончаров А. Е., Пашкеев Д. А. Численный анализ спектров рентгеновского дифракционного отражения от сверхрешеток на основе гетеропары AlGaAs/GaAs в зависимости от структурных параметров 51 Жегалов С. И. Модель нейронной схемы формирования изображения для ФПУ с микросканированием 59
ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ
Буркова Л. А., Иванов Д. К., Иванов К. Г., Щербаков А. П. Осцилляции напряжения в тонких углеродных пленках в области отрицательного дифферен-циального сопротивления 66
Зау Йе Мьинт, Кхин Маунг Хтау, Хтет Вэй Ян Чжо, Хтет Ко Ко Зау, Васильева Т. М. Модификация тонких пленок хитозана в электронно-пучковой плазме 71
Ципинова А. Х., Шериева Э. Х., Азизов И. К. Деформационный отклик плоских микрокристаллов галогенида серебра AgBr на излучение видимого спектра 77
Вашуков Ю. А., Демичев С. Ф., Еленев В. Д., Малинский Т. В., Миколуцкий С. И., Хомич Ю. В., Ямщиков В. А. Лазерная обработка поверхности металлических сплавов для диффузионной сварки 82
Зиенко С. И., Слабковский Д. С. Определение происхождения ограненных алмазов с помощью интегральной функции рас-пределения спектров люминесценции 88
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Булярский С. В., Гусаров Г. Г., Лакалин А. В., Матына Л. И., Олейник С. П. Экранирование электрического поля углеродных нанотрубок или наностержней из оксида цинка вследствии их взаимного влияния 93
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов 98
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
V. M. Sveshnikov and A. S. Tretyakov Numerical-analytical algorithms for integrating the equations of motion of charged particles in electric fields 5
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Yu. A. Lebedev Xth International Workshop on Microwave Discharges: Fundamentals and Applications (MD-10) 11
V. A. Skalyga, S. V. Golubev, I. V. Izotov, R. L. Lapin, S. V. Razin, A. V. Sidorov, and R. A. Shaposhnikov High-current pulsed ECR ion sources 17
M. N. Akhmetov, N. D. Akhmetov, M. M. Gimadeev, and V. A. Krivosheev Method of calculating shock wave front generation and motion on a high voltage electric discharge in water 25
D. B. Zolotukhin, V. A. Burdovitsin, E. M. Oks, and N. A. Panchenko Potential of an isolated complex target during its irradiation by an electron beam in the forevacuum pressure range 30
D. A. Kravchenko and A. S. Lovtsov Primary electrons trajectories influence on performance efficiency of ion thruster discharge cham-ber 35
B. B. Baldanov, Ts. V. Ranzhurov, M. N. Sordonova, and L. V. Budazhapov Effect of plasma surface modification of seeds on the sowing properties of agricultural crops 41
PHOTOELECTRONICS
A. V. Voitsekhovskii, N. A. Kulchitsky, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvo-retsky, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, and G. Yu. Sidorov The effect of optical radiation on the admittance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers 46
D. V. Ilinov, A. D. Shabrin, A. E. Goncharov, and D. A. Pashkeev Numerical analysis of the X-ray diffraction spectra of AlGaAs/GaAs superlattices in relation to structural parameters 51
S. I. Zhegalov Model of a neural image formation scheme for the FPA with microscanning 59
PHYSICAL SCIENCE OF MATERIALS
L. A. Burkova, D. K. Ivanov, K. G. Ivanov, and A. P. Shcherbakov Voltage oscillations in thin carbon films in the region of negative differential resistance 66
Zaw Ye Myint, Khin Maung Htay, Htet Wai Yan Kyaw, Htet Ko Ko Zaw, and T. M. Vasilieva Modification of thin chitosan films by means of electron-beam plasma 71
A. Kh. Tsipinova, E. Kh. Sherieva, and I. K. Azizov Deformation response of a flat AgBr microcrystals on the visible radiation 77
Yu. A. Vashukov, S. F. Demichev, V. D. Elenev, T. V. Malinskiy, S. I. Mikolutskiy, Yu. V. Khomich, and V. A. Yamshchikov Laser processing of metal alloys for diffusion welding 82
S. I. Zienko and D. S. Slabrovsky Determination of origin of deteriated diamonds by the integral function of distribution of lumines-cence spectra 88
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
S. V. Bulyarskiy, G. G. Gusarov, A. V. Lakalin, L. I. Matyna, and S. P. Oleynik Shielding of the electric field of carbon nanotubes or zinc oxide nanorods due to their mutual in-fluence 93
INFORMATION
Rules for authors 98
Статьи в выпуске: 3
В настоящее время в ряде ионных электронно-циклотронных резонансных (ЭЦР) источников для создания и нагрева плазмы используется мощное микроволновое излучение современных гиротронов. Вследствие большой мощности излучения такие системы работают в основном в импульсном режиме. Этот тип ионных ЭЦР-источников был разработан в Институте прикладной физики Российской академии наук, и большая часть экспериментальных исследований была выполнена на установке SMIS 37. Для создания плазмы на SMIS 37 использовались гиротроны с частотами 37,5 и 75 ГГц и максимальными мощностями 100 и 200 кВт, соответственно. Такое микроволновое излучение позволяло создавать плазму с уникальными параметрами: электронной плотностью более 1013 см–3, электронной температурой 50–300 эВ, ионной температурой около 1 эВ. Принципиальное отличие этих систем от традиционных ЭЦР-источников состоит в реализации так называемого квазигазодинамического режима удержания плазмы в ловушке. В соответствии с режимом удержания такие источники были названы «газодинамическими ЭЦР-источниками». В этих системах время жизни плазмы обычно составляет несколько десятков микросекунд, что в сочетании с высокой электронной концентрацией приводит к формированию плазменных потоков из ловушки с плотностями до 1–10 А/см2. Была продемонстрирована возможность создания пучков МЗИ (азот, аргон) и протонных (дейтронных) пучков с токами на уровне сотен мА при среднеквадратичном нормализованном эмиттансе порядка 0,1 ×мм×мрад. Следующим шагом в исследованиях является переход к непрерывному режиму работы газодинамического ионного ЭЦР-источника (ЭЦР ИИ). С этой целью в ИПФ РАН создаётся новая экспериментальная установка. Для получения плазмы в будущем источнике будет использоваться излучение гиротронов на частотах 28 и 37,5 ГГц. В настоящей работе дан обзор полученных результатов и состояния дел по монтажу нового источника.
Дан обзор новых интересных результатов, представленных на 10-м Международном научном семинаре по СВЧ-разрядам (X-th International Workshop on Microwave Discharges: Fundamentals and Applications) состоявшемся с 3 по 7 сентября 2018 года в г. Звенигороде Московской области.
Предложены и экспериментально исследованы численно-аналитические алгоритмы интегрирования уравнений движения заряженных частиц в электрических полях. Необходимость в разработке таких алгоритмов возникла при моделировании интенсивных пучков заряженных частиц в протяженных системах. Характерной задачей при этом является по возможности точное определение расширения пучка и его угловой расходимости на значительном расстоянии от поверхности старта (эмиттера). Применение классических численных алгоритмов не давало адекватных результатов. Поэтому возникло предложение на каждом шаге численного интегрирования использовать аналитическое решение уравнений движения, сделав упрощающие предположения об электрических полях. Упрощающие предположения в пределах шага численного интегрирования, дающие достаточную точность и, в то же время, несложное решение, состояли в следующем: в продольном направлении поле предполагается постоянным, а в поперечном – линейным по координате, что характерно для интенсивных пучков. Дано экспериментальное сравнение численно-аналитических алгоритмов с численными алгоритмами, которое показало преимущество разработанного подхода.