Статья: Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0,78Cd0,22Te с приповерхностными варизонными слоями (2019)

Читать онлайн

Проведены исследования влияния оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе n(p)-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с приповерхностными варизонными слоями с повышенным содержанием CdTe и без таких слоев. Установлено, что освещение существенно изменяет вид полевых зависимостей емкости и приведенной проводимости в режиме инверсии для структуры с варизонным слоем. Изменение емкости МДП-структуры в режиме инверсии происходит по двум механизмам: уменьшение времени формирования инверсионного слоя, увеличение значения емкости в минимуме низкочастотной ВФХ. Приведенная проводимость МДП-структуры при освещении уменьшается на низких частотах, но возрастает на высоких частотах.

It is established that illumination significantly changes the form of the voltage dependences of capacitance and normalized conductance in the inversion mode for a structure with a graded-gap layer. The change in the capacitance of the MIS structure in the inversion mode occurs by two mechanisms: a decrease in the formation time of the inversion layer, an increase in the capacitance at the minimum of the low-frequency capacitance-voltage characteristic. The normalized conductance of the MIS structures under illumination decreases at low frequencies, but increases at high frequencies. The influence of illumination on the admittance of n-Hg0.78Cd0.22Te MIS structures is not manifested in depletion and accumulation modes. Under the influence of illumination, the differential resistance of the spacecharge region (SCR) decreases almost at 4.5 times at 15 K, and the inversion capacitance increases by less than 2 times, which leads to a decrease in the formation time of the inversion layer. The increase in the capacitance of the SCR under illumination is associated with a decrease in the maximum width of the SCR due to an increase in carrier concentration in the inversion layer. For structures with a gradedgap layer and without a graded-gap layer under illumination with a low radiation intensity, the surface potential decreases, but for structures with a graded-gap layer, there are no changes in the capacitive characteristics.

Ключевые фразы: мдп-структуры, HgCdTe, молекулярно-лучевая эпитаксия, адмиттанс, варизон- ный слой
Автор (ы): Войцеховский Александр Васильевич, Кульчицкий Николай Александрович, Несмелов Сергей Николаевич, Дзядух Станислав Михайлович, Варавин Василий Семенович, Дворецкий Сергей, Михайлов Николай, Якушев Максим Витальевич, Сидоров Георгий Юрьевич
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
eLIBRARY ID
36653046
Для цитирования:
ВОЙЦЕХОВСКИЙ А. В., КУЛЬЧИЦКИЙ Н. А., НЕСМЕЛОВ С. Н., ДЗЯДУХ С. М., ВАРАВИН В. С., ДВОРЕЦКИЙ С., МИХАЙЛОВ Н., ЯКУШЕВ М. В., СИДОРОВ Г. Ю. ВОЗДЕЙСТВИЕ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА АДМИТТАНС МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЛЭ N-HG0,78CD0,22TE С ПРИПОВЕРХНОСТНЫМИ ВАРИЗОННЫМИ СЛОЯМИ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2019. №1
Текстовый фрагмент статьи