Архив статей

Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии (2014)
Выпуск: №5 (2014)
Авторы: Скребнева Полина Станиславовна, Бурлаков Игорь Дмитриевич, Яковлева Наталья Ивановна

Исследуются возможности метода спектроскопической эллипсометрии как бесконтактного метода изучения важнейших параметров полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Методом неразрушающей спектроскопической эллипсометрии определен состав, толщина, коэффициент преломления рабочих и вспомогательных слоев гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Сохранить в закладках