Статья: Анализ времени жизни неосновных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах для ИК-области спектра (2015)

Читать онлайн

Рассматривается концепция моделирования времени жизни в полупроводниковых структурах InGaAs и CdHgTe. Представлены параметры и коэффициенты, необходимые для расчета времени жизни в гетероэпитаксиальных структурах. Построены аналитические зависимости времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых структурах CdHgTe и InGaAs различного состава в широком диапазоне температур.

An analysis of minority carrier lifetime in SWIR heterostructures, such as InGaAs and CdHgTe is presented. The various recombination mechanisms in working temperature region and characteristic parameters have been considered, it is shown an important role of Auger recombination, radiative recombination and Shockley–Read–Hall recombination through deep-level impurities, characterized by the impurity density energy level in the bandgap. The minority carriers lifetime analytic dependences were calculated in heterostructures of InGaAs and CdHgTe with varies composition.

Ключевые фразы: гетероэпитаксиальная структура, теллурид кадмия-ртути, арсенид индия-галлия, инфракрасныйик, время жизни неосновных носителей заряда
Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
eLIBRARY ID
23330605
Для цитирования:
ЯКОВЛЕВА Н. И. АНАЛИЗ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ДЛЯ ИК-ОБЛАСТИ СПЕКТРА // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2015. №2
Текстовый фрагмент статьи