Определено значение плотности мощности лазерного излучения, превышение над которым приводит к разрушению поверхности чувствительной площадки германиевого лавинного фотодиода. Исследован характер увеличения темнового тока от мощности лазерного воздействия для фотодиодов с различной глубиной залегания p–n-перехода. Показана повышенная стойкость к лазерному излучению фотодиодов с глубоким p–n-переходом.
Исследование способов создания фотосенсоров на средневолновый ИК-диапазона на основе коллоидных квантовых точек (ККТ) для создания недорогих фотоприемных матриц является одной из наиболее актуальных задач в современной фотосенсорике. Проведен синтез ККТ HgTe, изготовлены фоторезисторы и исследованы фотосенсорные характеристики. Экспериментально показано, что изготовленные на основе синтезированных ККТ HgTe фоторезисторы имеют чувствительность в коротковолновом и средневолновом ИК-диапазоне при комнатной температуре.