Архив статей

История, современное состояние и перспективы развития полупроводниковых матричных ИК-фотодиодных структур и технологий (1999)

Представлены сведения о начальной стадии развития многоэлементных полупроводниковых фотодиодных структур, связанных с изобретением в России координатно-чувствительного фотодиода с поперечным фотоэффектом (квадратного). Сообщается об изобретении в России схемы ВЗН на МОП-мультиплексорах. Представлены данные по развитию матричных ИК-фотодиодных структур по годам с 1975 по 1995 как за рубежом, так и в НПО “Орион”. Указаны перспективы развития работ по ИК-фотодиодным матрицам

ЭЛЕКТРОННO-ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА СО СХОДИМОСТЬЮ 1000, ФОРМИРУЮЩАЯ МОЩНЫЙ ПРОТЯЖЕННЫЙ ПОТОК МАЛОГО ДИАМЕТРА (1998)

Изложены результаты расчета электронно-оптической системы, формирующей электронный поток мощностью 1 Мвт. Радиус потока составляет 0,5 мм, радиус катода 18 мм. Приведены результаты расчета пушки, магнитной системы и электронного потока от катода до коллектора. В коллекторе осуществлена рекуперация энергии электронного потока

СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ВЕНТИЛЕЙ (1998)

Представлена методика расчета и рассмотрены основные принципы построения электронно-оптических систем электронно-лучевых вентилей. Продемонстрированы пути оптимизации параметров электронно-оптических систем с торможением пучка на поверхность открытого типа и антидинатронным электродом в области торможения

ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ДОПУСКОВ НА ИЗГОТОВЛЕНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ОТКЛОНЯЮЩИХ СИСТЕМ НА СИММЕТРИЮ ОТКЛОНЯЮЩИХ ПОЛЕЙ (1998)

Приводится методика расчёта и анализ результатов по влиянию допусков на отклонение реального поля быстродействующих магнитных отклоняющих систем от расчётного. Оценено нарушение симметрии магнитного поля при сдвиге, удлинении и изгибе отдельных проводников магнитных отклоняющих систем и стигматоров

ГЕОМЕТРИЗОВАННАЯ ТЕОРИЯ ТОНКИХ ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ (1998)
Выпуск: №3-4 (1998)
Авторы: Сыровой В. А.

Обсуждается возможность построения теории пространственных приповерхностных течений, основанной на геометризованных уравнениях пучка. Построена теория пространственных параксиальных релятивистских потоков при произвольной ориентации магнитного поля на катоде, имеющая предметом исследования ситуации, которые не могут быть описаны традиционной параксиальной теорией

ТЕСТИРОВАНИЕ ГЕОМЕТРИЗОВАННЫХ МОДЕЛЕЙ ПЛОТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ (1998)

Обсуждаются результаты тестирования геометризованных моделей на примере точного решения, описывающего плоский нерелятивистский поток со спирального катода по спиральным траекториям. Анализируются геометризованнй вариант параксиальной теории первого и второго приближений; комбинированный вариант первого приближения для траекторий и более точного описания прикатодной области; метод узких полос при синтезе непараксиальных потоков.

РАСЧЕТ АБЕРРАЦИЙ, ОБУСЛОВЛЕННЫХ ДОПУСКАМИ НА ИЗГОТОВЛЕНИЕ И СБОРКУ ПОЛЮСНЫХ НАКОНЕЧНИКОВ МАГНИТНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛИНЗ (1998)

Приводится методика и программное обеспечение для расчета аберраций, обусловленных неточностью изготовления и юстировки полюсных наконечников магнитных электронных линз. Оценивается влияние эллиптичности каналов и относительного сдвига осей каналов на коэффициенты аберраций и радиусы кружков рассеяния

Анализ факторов, влияющих на точность измерения электронной яркости (1998)

Рассмотрены вопросы количественной оценки ошибок измерения электронной яркости различными методами. Показано, что основная ошибка, возникающая при использовании линзового метода, является следствием неправомерного предположения, что при размещении апертурной диафрагмы в главной плоскости линзы апертурный угол в плоскости изображения может быть вычислен как отношение радиуса диафрагмы к расстоянию между диафрагмой и плоскостью изображения. Проведена количественная оценка ошибки такого приближения и показано, что ошибка расчета апертуры зависит от конструкции измерительной системы, а ошибка определения яркости может достигать +100 %.

Исследование стекания заряда с поверхности диэлектрика при обработке электронным лучом (1998)

Рассмотрены физические процессы, имеющие место при электронно-лучевой обработке поверхности диэлектрических материалов. В частности, экспериментально исследованы механизмы стекания внесенного лучом электрического заряда. Обнаружено, что обработка поверхности ряда стекол сопровождается аномально высокой электронной эмиссией, которая приводит к быстрому исчезновению внесенного заряда. Данный эффект не может быть обусловлен вторичной эмиссией электронов

Ионно-плазменная технология изготовления оптических элементов на подложках из полимерных материалов (1998)

Рассмотрены требования, предъявляемые к вакуумным ионно-плазменным установкам и их оснащению, к подложкам из полимерных материалов при нанесении оптических покрытий. Дан анализ факторов, влияющих на адгезию, стехиометрию, кристаллическую структуру и показатель преломления оптического покрытия. Рассмотрены оборудование и технология изготовления оптических элементов и их просветления методом реактивного распыления на подложках из полимерных материалов. Приведены примеры изготовления оптических элементов. На разработанном оборудование и созданной технологии изготовлены экспериментальные образцы пленок объемного видения для экранов приемников черно-белого и цветного изображений, дисплеев и стекол с рисунками

НОВЫЙ ВИД ВОЛНОВОГО ПАКЕТА — ОБОБЩЕНИЕ КОГЕРЕНТНОГО СОСТОЯНИЯ ОСЦИЛЛЯТОРА (1998)
Выпуск: №2 (1998)
Авторы: Турин В. О.

Матричное уравнение типа Рикатти позволяет расcчитывать изменение параметров трехмерного волнового пакета гауссового типа при его движении во внешнем, достаточно слабо меняющемся в пространстве, потенциале. В работе показано, что одномерный аналог этого уравнения описывает динамику параметров одномерного волнового пакета не только определяемого гауссовой волновой функцией, соответствующей координатному представлению когерентного (а в частности — основного) состояния квантового гармонического осциллятора, но и волновой функцией, получаемой умножением гауссовой функции на полином Эрмита n-й степени, что соответствует волновой функции осциллятора в стационарном состоянии с главным квантовым числом n. Отметим, что если осциллятор находится в когерентном состоянии, но при этом ширина гауссового волнового пакета осциллирует, то вместо термина “когерентное состояние” часто употребляют термин “сжатое состояние“. Таким образом, сделано обобщение когерентного (сжатого) состояния осциллятора. В случае квадратичного потенциала это уравнение проинтегрировано аналитически. Получены зависимости от времени параметра, определяющего размеры пакета, для отталкивающего и притягивающего квадратичных потенциалов, а также для случая однородного поля. Выведено несколько полезных соотношений.

ДИНАМИКА ЭЛЕКТРОННЫХ ПАКЕТОВ. МАКРОСКОПИЧЕСКИЕ ОДНОЭЛЕКТРОННЫЕ ВОЛНОВЫЕ ПАКЕТЫ (1998)
Выпуск: №2 (1998)

Излагается и развивается альтернативный подход к теории фотоотсчетов. Исследуется механизм обострения электронной плотности при разлете многоэлектронных пакетов. Возникновение неоднородностей должно инициировать распад многоэлектронной системы на слаболокализованные одноэлектронные образования. Показано, что межэлектронное кулоновское взаимодействие приводит к обострению и локализации таких одноэлектронных образований. Показано, что при движении в однородном поле в вакуумных фотодетекторах размеры таких одноэлектронных пакетов должны быть порядка и больше 1 мк. Показано, что подобные локализованные заряды наводят резкие импульсы тока во внешней цепи фотодетектора. Обсуждаются вопросы связанные с определением параметров такого пакета по особенностям рассеяния на нем мощного лазерного импульса. Исследуется движение одноэлектронного волнового пакета в неоднородном поле отрицательно заряженного сферического электрода. Показано, что при рассеянии на таком электроде возможно расширение электронного пакета в поперечном направлении до макроскопических размеров. Предлагается эксперимент по наблюдению такого макроскопического пакета на экране покрытом люминофором.