Программа конференции

Все 29 мая / 1 день 30 мая / 2 день 31 мая / 3 день

08:30

Регистрация участников

среда, 29 мая (начало в 08:30)•

Начало регистрации участников, выдача материалов конференции и отметка командировочных удостоверений 29 мая 2024 г. с 08:30.

10:00

Открытие конференции (Зал 1)

среда, 29 мая (начало в 10:00)•

Вступительное слово председателя конференции В.В. Старцева

10:10

Современное состояние и перспективы развития фотоэлектроники (Пленарное заседание 1, Зал 1)

среда, 29 мая (начало в 10:10)••Доклады: 4

10:10

Современное состояние и направления развития фото- и оптоэлектроники инфракрасного диапазона в ГНЦ РФ АО «НПО «Орион»

Пленарный•Бурлаков Игорь Дмитриевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

10:40

Квантовая фотосенсорика и материалы ограниченной размерности

Пленарный•Пономаренко Владимир Павлович•АО ″НПО ″ОРИОН″

11:10

Развитие технологии охлаждаемых матричных ИК фотоприемников в ИФП СО РАН.

Пленарный•Якушев Максим Витальевич•ИФП СО РАН

11:40

Состояние и перспективы создания кремниевых фотоприемников, освещаемых с обратной стороны подложки (back-side) в АО «ЦНИИ «Электрон»

Пленарный•Татаурщиков Сергей Сергеевич•АО ЦНИИ ″Электрон″

12:10

Перерыв

среда, 29 мая (начало в 12:10)•

Перерыв с 12:10 до 12:30

12:10

Открытие выставки

среда, 29 мая (начало в 12:10)•

Просмотреть участников выставки

12:30

Современное состояние и перспективы развития фотоэлектроники (Пленарное заседание 2, Зал 1)

среда, 29 мая (начало в 12:30)••Доклады: 3

12:30

Перспективные технологии приборов оптического, инфракрасного и миллиметрового диапазона в Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ»

Пленарный•Паулиш Андрей Георгиевич•КТИПМ

13:00

Применение оптико-телевизионной лазерной активно-импульсной системы (АИС) технического зрения робототехнических комплексов (РТК) воздушного, наземного и подводного применения

Пленарный•Грузевич Юрий Кириллович•ГЕОФИЗИКА-НВ

13:30

Генерация тока в фотодиодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода

Пленарный•Яковлев Юрий Павлович•Физико-технический институт Им.А.Ф.Иоффе РАН

14:00

Обед

среда, 29 мая (начало в 14:00)•

Обед с 14:00 до 15:00

15:00

Современное состояние и перспективы развития фотоэлектроники (Пленарное заседание 3, Зал 1)

среда, 29 мая (начало в 15:00)••Доклады: 4

15:00

Квантовые точки и новое поколение ИК-фотосенсорики на их основе

Пленарный•Попов Виктор Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

15:30

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Пленарный•Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

16:00

Опыт АО «МЗ «САПФИР» в разработке охлаждаемых фотоприемных устройств

Пленарный•Карпов Владимир Владимирович•САПФИР

16:30

Новые прекурсоры халькогенов для получения коллоидных квантовых точек селенидов и теллуридов

Пленарный•Шуклов Иван Алексеевич•НИЦ УНПК МФТИ

18:00

Приём для участников конференции

среда, 29 мая (начало в 18:00)•

Мероприятие без описания

09:00

Секция 1. Твердотельная фотосенсорика. Заседание 1 (Зал 1)

четверг, 30 мая (начало в 09:00)••Доклады: 11

09:00

Развитие и применение ИК МФПУ на основе антимонидов, работающих при повышенных температурах

Устный•Мирофянченко Андрей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:15

Исследование спектральных характеристик QWIP фотоприёмников

Устный•Давлетшин Ренат Валиевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:30

Низкочастотные шумы в МФПУ на основе антимонида индия с различной кристаллографической ориентацией

Устный•Власов Павел Валентинович•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:45

Актуальность и организация проведения реставрационных работ фотоприемных модулей

Устный•Конча Максим Игоревич•ФГБУ ″46 ЦНИИ″ Минобороны России

10:00

Фотомемристорные сенсоры для автономных систем зрения на основе низкоразмерных материалов

Устный•Панин Геннадий Николаевич•ИПТМ РАН

10:15

Фотоприемник SWIR излучения на основе коллоидных квантовых точек PbS и линейного фоточувствительного прибора с переносом заряда

Устный•Челышков Сергей Николаевич•АО ″ЦНИИ ″Электрон″

10:30

Поверхностно облучаемые фотодиоды для спектральной области 2÷4.5 мкм на основе ДГС N-InAsSbP/InAs(Sb)/P-InAsSbP

Устный•Ременный Максим Анатольевич•ФТИ им. А.Ф. Иоффе

10:45

Контроль плотности дефектов QWIP гетероструктур в АО «Светлана-Рост»

Устный•Дудин Анатолий Леонидович•СВЕТЛАНА-РОСТ

11:00

Спектральные и фотоэлектрические характеристики МФПУ средневолнового ИК диапазона на основе барьерных структур с поглощающим слоем InAsSb

Устный•Ковшов Владимир Сергеевич •АО ″НПО ″ОРИОН″

11:15

Перспективные БИС считывания с аналого-цифровым преобразованием на кристалле

Устный•Ларионов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″

11:30

Микроболометрические приемники постоянного и импульсного терагерцового излучения

Устный•Демьяненко Михаил Алексеевич•ИФП СО РАН

12:00

Перерыв

четверг, 30 мая (начало в 12:00)•

Перерыв с 12:00 до 12:15

12:00

Секция 1. Твердотельная фотосенсорика. Заседание 2 (Зал 1)

четверг, 30 мая (начало в 12:00)••Доклады: 4

12:00

Неохлаждаемые быстродействующие фотоприемники мостиковой конструкции для средней ИК области спектра

Устный•Куницына Екатерина Вадимовна•ФТИ им. А.Ф. Иоффе

12:15

Отработка отечественной технологии формирования термочувствительных пленок на основе VOx для обеспечения серийного производства матричных микроболометрических приемников

Устный•Солодков Алексей Аркадьевич•ОКБ ″АСТРОН″

12:30

Солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе AlGaN, выращенные методом ПА-МПЭ

Устный•Семенов Алексей Николаевич•ФТИ им. А.Ф. Иоффе

12:45

Разработка эпитаксиального и планарного оборудования для материалов А3В5 - переход от R&D к производственно-ориентированному уровню

Устный•Петров Станислав Игоревич•АО ″НТО″

13:40

Начало работы Стендовых докладов

четверг, 30 мая (начало в 13:40)•

Просмотреть секцию «Стендовых докладов»

14:00

Обед

четверг, 30 мая (начало в 14:00)•

Обед 14:00 - 15:00

15:00

Секция 2. Системы тепловидения, системы наведения, приборы ночного видения. Заседание 1 (Зал 1)

четверг, 30 мая (начало в 15:00)••Доклады: 3

15:00

Насколько полно ИК-система реализует режим BLIP: простой и робастный метод измерения числа электронов в зарядовом пакете пикселя

Устный•Кривоклякин Григорий Дмитриевич •УОМЗ

15:30

Анализ возможностей регистрации изображений в дальней инфракрасной области спектра

Устный•Агринский Михаил Владимирович•ОКБ ″АСТРОН″

15:15

Всеракурсные индикатрисы силы излучения воздушного объекта: методика измерений и научная визуализация

Устный•Винецкий Юрий Рудольфович•УОМЗ

15:45

Секция 2. Системы тепловидения, системы наведения, приборы ночного видения. Заседание 2 (Зал 1)

четверг, 30 мая (начало в 15:45)••Доклады: 7

15:45

Исследования по применению камеры спектрального диапазона 3-5 мкм для визуализации космических объектов в тени Земли

Устный•Сюндюков Алексей Юрьевич•РФЯЦ - ВНИИЭФ

16:00

Гибридный телевизионный прибор с GaAs фотокатодом

Устный•Аввакумов Роман Андреевич•АО ″ЦНИИ ″ЭЛЕКТРОН″

16:15

Многофункциональная система ночного и дневного видения

Устный•Шалдырван Игорь Викторович•Специальная астрофизическая обсерватория РАН

16:30

Модульная конструкция прибора ночного видения на основе матричного фотоприемного устройства из коллоидных квантовых точек

Устный•Куролес Андрей Сергеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

16:45

УФ электронно-оптические преобразователи для астрофизических исследований

Устный•Терещенко Олег Евгеньевич•ИФП СО РАН

17:00

Современные электронно-оптические преобразователи с мультищелочным фотокатодом

Устный•Русецкий Вадим Сергеевич•ЗАО ″Экран ФЭП″

17:15

Перспективы освоения микроканальных пластин нового поколения для техники ночного видения

Кулов Сослан Кубадиевич•ООО Владикавказский технологический центр ″Баспик″

17:30

Перерыв

четверг, 30 мая (начало в 17:30)•

Перерыв 17:30 - 17:45

17:45

Секция 2. Системы тепловидения, системы наведения, приборы ночного видения. Заседание 3 (Зал 1)

четверг, 30 мая (начало в 17:45)••Доклады: 5

17:45

Дефекты микроканальных пластин, влияющие на чистоту поля зрения электронно-оптических преобразователей III поколения

Устный•Балясный Лев Михайлович•ГЕОФИЗИКА-НВ

18:00

Микроканальная пластина с повышенной долговечностью для ЭОП III поколения

Устный•Балясный Лев Михайлович•ГЕОФИЗИКА-НВ

18:15

Увеличение эффективной площади каналов МКП ионным травлением

Устный•Балясный Лев Михайлович•ГЕОФИЗИКА-НВ

18:30

Двухспектральное оптико-электронное устройство для обнаружения пятна лазерного дальномера (ЛЦД) на удаленном объекте

Устный•Балясный Лев Михайлович•ГЕОФИЗИКА-НВ

18:45

Создание квазипористых структур на основе минимальных поверхностей для микроканальных теплообменных аппаратов и поверхностей, рассеивающих теплоту

Устный•Кулебякин Савелий Дмитриевич•МГТУ им. Н.Э. Баумана

09:00

Секция 3. Системы и методы измерений. Заседание 1 (Зал 2)

четверг, 30 мая (начало в 09:00)••Доклады: 8

09:00

Методика измерения теплофизических параметров криостатов охлаждаемых ФПУ

Устный•Чиж Кирилл Всеволодович•САПФИР

09:15

Исследование теплофизических характеристик инфракрасных фотоприёмных устройств с цифровыми и аналоговыми фотомодулями

Устный•Бурлаков Владислав Игоревич•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:30

Измерение функции передачи модуляции инфракрасных объективов с использованием микроболометрических матричных детекторов

Устный•Скрипачева Лилия Викторовна•ОКБ ″АСТРОН″

09:45

Методический подход к оценке термоупругих свойств микроболометрических приемников мембранного типа

Устный•Солодков Алексей Аркадьевич•ОКБ ″АСТРОН″

10:00

Трёхкоординатный робот для монтажа оптических элементов

Устный•Семенча Александр Вячеславович•СПбПУ

10:15

Самофокусировка излучения, как коллапс волнового вектора

Устный•Якушенков Павел Олегович•ФИАН

10:30

Исследование фотосенсорных характеристик фотоприемников средневолнового ИК-диапазона на основе ККТ

Устный•Яковлев Виктор Олегович•МФТИ

10:45

Результаты определения терморадиационных характеристик на рефлектометрах «РС-К» и «РИ-К» материалов космических аппаратов

Устный•Шамаев Алексей Михайлович•КОМПОЗИТ

11:00

Перерыв

четверг, 30 мая (начало в 11:00)•

Перерыв 11:00 - 11:15

11:15

Секция 3. Системы и методы измерений. Заседание 2 (Зал 2)

четверг, 30 мая (начало в 11:15)••Доклады: 4

11:15

Оптические свойства стёкол Al2O3-Na2O-La2O3-P2O5-CeO2

Устный•Седегова Татьяна Юрьевна•ИПМЭиТ

11:30

Метрологическое обеспечение измерений энергетической освещенности в широком диапазоне длин волн

Устный•Дунаев Александр Юрьевич•ВНИИОФИ

11:45

Использование меры качества квантового состояния для оценки источников фотонов в протоколах защищенных каналов связи, основанных на поляризационно-запутанных фотонных парах

Устный•Дёмин Андрей Васильевич•ВНИИОФИ

12:00

Стенд измерения параметров многоэлементных фотоприемных устройств

Устный•Мингалев Александр Владимирович•АО ″НПО ГИПО″

15:00

Секция 4. Технология изготовления фотоприемных устройств (Зал 2)

четверг, 30 мая (начало в 15:00)••Доклады: 9

15:00

Напыление сверхтонких пленок золота методом импульсной лазерной абляции на подложки кремния и кварца

Устный•Колосовский Данил Антонович•ИТ СО РАН

15:15

Локальные измерения слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники

Устный•Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

15:30

Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD

Устный•Краснова Ирина Андреевна•ИФП СО РАН

16:00

Процессы фотолитографии для изготовления матричных фоточувствительных структур из коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца

Устный•Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″

15:45

Исследование гибридизации матричных фотоприемных устройств на установке с автоколлиматором

Устный•Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″

16:15

Структурный массив фотодиодов с изменяемой площадью для определения качества пассивации в МФПУ на основе InSb

Шишигин Сергей Евгеньевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

16:30

Моделирование, исследование и оптимизация параметров микрокриогенных систем Стирлинга

Устный•Некрасов Глеб Игоревич•АО ″НПО ″ОРИОН″

16:45

Технологические решения для серийного производства газовых микрокриогенных машин Стирлинга

Устный•Банников Максим Викторович•АО ″НПО ″ОРИОН″

17:00

Численный эксперимент для оценки оптимальной волюметрической схемы криогенной газовой машины Стирлинга с пульсационной трубой

Устный•Чехович Вячеслав Алексеевич•МГТУ им. Н. Э. Баумана

09:00

Секция 5. Материалы фотосенсорики и методы их получения. Заседание 1 (Зал 1)

пятница, 31 мая (начало в 09:00)••Доклады: 11

09:00

Базовая технология полирования пластин InSb для эпитаксиального роста фоточувствительных материалов методом МЛЭ

Устный•Улькаров Вадим Айратович•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:15

Подложки CdZnTe для эпитаксиального выращивания твердых растворов А2В6 методом МЛЭ

Устный•Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″

09:30

Разработка промышленно-ориентированной технологии изготовления полированных пластин InSb диаметром до 100 мм

Устный•Козлов Роман Юрьевич•ГИРЕДМЕТ

09:45

К вопросу о канальной неоднородности в монокристаллах InSb(Te), выращенных в различных кристаллографических направлениях

Устный•Комаровский Никита Юрьевич•ГИРЕДМЕТ

10:00

Некоторые тенденции развития технологий выращивания объемных кристаллов фотоники

Устный•Наумов Аркадий Валерьевич•ОКБ ″АСТРОН″

10:15

Исследование 100 мм пластин Ge, предназначенных для эпитаксиальных процессов

Устный•Малыгин Владислав Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

10:30

Структурные и оптические свойства InAs/GaSb сверхрешеток полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Устный•Ерошенко Григорий Михайлович•ФИАН

10:45

Спектроскопия сульфидов олова и европия, синтезированных при высоком давлении

Устный•Николаев Сергей Николаевич•ФИАН

11:00

Исследование влияния постростового отжига на дислокационную структуру кристаллов германия

Устный•Григорович Андрей Павлович•ГЕРМАНИЙ

11:15

Моделирование и оптимизация электрооптического эффекта в модуляторе Маха-Цендера на технологической платформе InP

Устный•Гришаков Константин Сергеевич•Национальный исследовательский ядерный университет ″МИФИ″

11:30

Исследование влияния различных бром-содержащих компонентов при получении чернил ККТ HgSe на свойства фотосенсоров на их основе

Хакимов Карим Тимурович•МФТИ

11:45

Перерыв

пятница, 31 мая (начало в 11:45)•

Перерыв с 11:45 до 12:00

12:00

Секция 5. Материалы фотосенсорики и методы их получения. Заседание 2 (Зал 1)

пятница, 31 мая (начало в 12:00)••Доклады: 6

12:00

Влияние γ-облучения на оптический композит с нанокристаллами CsPbBr3

Устный•Арчелков Всеволод Борисович•ИПМЭиТ

12:15

Высокоэффективные тройные полимерные солнечные фотоэлементы на основе двух нефуллереновых акцепторов с комплементарными спектрами поглощения от ближней до средней ИК области

Устный•Годовский Дмитрий Юрьевич•ИНЭОС РАН

12:30

Перовскитные солнечные элементы – история становления и потенциал применения в качестве фотодетекторов ближнего ИК диапазона

Устный•Тарасов Алексей Борисович

12:50

Микроканальные электронные усилители: основные параметры и сферы применения

Кулова Нина Сослановна•ООО Владикавказский технологический центр ″Баспик″

13:05

Тонкоплёночные полимерные нанокомпозиты, содержащие полупроводниковые квантовые точки со структурой ядро/оболочка CdSe и CdSe@CdS@ZnS

Устный•Мурадова Айтан Галандар кызы•НИ РХТУ им. Д. И. Менделеева

13:20

Свойства морфологии тонких пленок созданных на основе коллоидных квантовых точек халькогенидов ртути в зависимости от вариации параметров нанесения

Устный•Миленкович Теодора•МФТИ

13:40

Обед

четверг, 30 мая (начало в 13:40)•

Обед 14:00 - 15:00

14:00

Круглый стол "Эффективная стратегия управления человеческими ресурсами как фундамент технологического суверенитета высокотехнологичных отраслей экономики. Вызовы. Перспективы. Решения."

пятница, 31 мая (начало в 14:00)•

Руководители секции: Малашкина Ольга Федоровна

С 14:00 до 16:00
Руководитель секции: Малашкина Ольга Фёдоровна, заместитель генерального директора - руководитель аппарата генерального директора АО “Швабе”

Стендовые доклады

•Доклады: 87

С01 Характеристики быстродействующих малоформатных матричных фотоприемников на основе InSb

Стендовый•Пермикина Елена Вячеславовна•АО ″НПО ″ОРИОН″

С02 Тестовые структуры для исследования МФПУ на основе InSb с высокой разрешающей способностью и полем зрения при обнаружении тепловых объектов

Стендовый•Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

С03 Широкополосный микроболометрический приемник инфракрасного, терагерцового и миллиметрового излучения

Стендовый•Демьяненко Михаил Алексеевич•ИФП СО РАН

С04 Получение многослойных подвесных структур чувствительных элементов микроболометров с низкой остаточной деформацией

Стендовый•Демидович Сергей Александрович•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″

С05 Фотоприемные и излучающие наноструктуры на основе халькогенидов свинца: контроль технологии и повышение быстродействия

Стендовый•Халугарова Камиля•СПбГЭТУ ЛЭТИ

С06 Влияние размера диодов на пространственное разрешение линейных фотоприёмников СВИК-диапазона на основе материала КРТ

Стендовый•Вишняков Алексей Витальевич•Институт физики полупроводников СО РАН

С07 Фоторезисторы из ГЭС КРТ МЛЭ состава Х=0.2 и Х=0.3 с n-n+ переходом, работающие в неравновесном режиме эксклюзии неосновных носителей заряда

Волков Виктор Генрихович•САПФИР

С08 Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона 2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур

Стендовый•Василькова Елена Игоревна•СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова

С09 Примесные дефекты в оптической керамике из фтористого магния (MgF2)

Стендовый•Дунаев Анатолий•АО ″НПО ГОИ им. С.И. Вавилова″

С10 Площадь эффективной засветки кремниевых фотоэлектронных умножителей

Стендовый•Кочергина Ольга Викторовна•УО Белорусская государственная академия связи

С11 Анализ поверхностных дефектов на последовательных стадиях выращивания ZnTe/CdTe/HgCdTe на подложках Si с ориентацией (013)

Стендовый•Якушев Максим Витальевич•ИФП СО РАН

С12 Формирование границы раздела HfO2–CdHgTe методом низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения

Стендовый•Закиров Евгений Рашитович•ИФП СО РАН

С13 Обработки поверхности CdHgTe после жидкостного травления в Br:HBr

Стендовый•Краснова Ирина Андреевна•ИФП СО РАН

С14 Контроль качества групповой стыковки кристаллов

Стендовый•Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С15 Дифракция в фотолитографических процессах, как причина неоднородности чувствительности элементов фотоприемных матриц

Стендовый•Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С16 Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии

Стендовый•Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С17 Исследование краевой металлизации оптически прозрачных окон, формируемого методом магнетронного напыления

Стендовый•Трухачев Антон Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С18 Импульсное реактивное магнетронное распыление как метод нанесения термочувствительных пленок оксида ванадия для микроболометров

Стендовый•Занько Андрей Иванович•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″

С19 p-n-переход на коллоидных квантовых точках

Стендовый•Гусев Владислав Игоревич•ФТИ им. А.Ф. Иоффе

С20 Фотолюминесцентные свойства перовскитных НК CsxPbyBrz в зависимости от условий синтеза

Стендовый•Королева Таисия Викторовна•НИ РХТУ им. Д. И. Менделеева

С21 Влияние комбинации добавок K2Cr2O7 (KMnO4) и NH4I на фоточувствительные свойства пленок PbS

Стендовый•Бельцева Анастасия Викторовна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С22 Оптические свойства нестехиометрических оксидов титана

Стендовый•Герасимова Алина Константиновна•ИФП СО РАН

С23 Фотомемристивные переключения в кристаллах селенида висмута

Стендовый•Зотов Александр Владимирович•ИПТМ РАН

С24 Структурные и оптические свойства твердых растворов InAs1-xSbx для средневолновых и длинноволновых инфракрасных фотодетекторов.

Стендовый•Клековкин Алексей Владимирович•ФИАН

С25 Использование in-situ измерений низкотемпературной микрофотолюминесценции для наблюдения перестройки примесно-дефектной системы кубических полупроводников под воздействием лазерного гиперзвука

Стендовый•Кривобок Владимир Святославович•ФИАН

С26 Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb

Стендовый•Савин Константин Антонович•ИТМиВТ

С27 Ближнепольная оптическая микроскопия квантовых точек InSb/GaSb полученных методом МЛЭ

Стендовый•Минаев Илья Иванович•ФИАН

С28 Нанокристаллы узкозонных полупроводников для однофотонной болометрии

Стендовый•Жуков Николай Дмитриевич•ООО ″НПП Волга″

С29 Получение монокристаллов и подложек твёрдого раствора Cd(1-X)ZnXTe для МЛЭ КРТ по методу Давыдова – Маркова

Стендовый•Жаворонков Николай Васильевич•АО ″НИИ Материаловедения Зеленоград

С30 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Стендовый•Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С31 Механизмы формирования тока в nBn- структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Стендовый•Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С32 Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Стендовый•Коханенко Андрей Петрович•Национальный исследовательский Томский государственный университет

С33 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Стендовый•Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С34 Влияние длины оптического поглощения света в абсорбере на частотно-контрастную характеристику КРТ-матриц

Стендовый•Стучинский Виктор Андреевич•Институт физики полупроводников СО РАН

С35 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением

Стендовый•Средин Виктор Геннадиевич•Филиал ВА РВСН им. Петра Великого

С36 Спектроскопические исследования однородности состава монокристаллов твердых растворов CdxHg1 xTe

Стендовый•Средин Виктор Геннадиевич•Филиал ВА РВСН им. Петра Великого

С37 Выращивание гетероструктур CdHgTe/CdZnTe MOCVD-методом

Стендовый•Чилясов Алексей Викторович•ИХВВ РАН

С38 Влияние условий осаждения из паров диметилкадмия и метилаллилтеллура на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и концентрацию ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях CdTe

Стендовый•Евстигнеев Владимир Сергеевич•ИХВВ РАН

С39 Оптимальное время охлаждения GaAs приборных пластин после технологического отжига

Стендовый•Алдохин Павел Алексеевич•НФ ИФП СО РАН ″КТИПМ″

С40 О возможности использования поликремниевых слоев в качестве оптических фильтров

Стендовый•Гаврушко Валерий Владимирович•НовГУ

С41 Сенсорные свойства полупроводниковых плёнок CdxPb1–xS, химически осаждённых с использованием ацетата кадмия

Стендовый•Дёмина Дарья Александровна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С42 Влияние йодида аммония на фоточувствительные свойства химически осажденных пленок PbSe(I)

Стендовый•Будкина Виктория Алексеевна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С43 Фотоэлектрические свойства пленок PbS(I), PbS(I, Co) и PbS(I, Ni)

Стендовый•Поздин Андрей Владимирович•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С44 Модификация метода гидрохимического осаждения сульфида свинца

Стендовый•Мирошников Борис Николаевич•МЭИ

С45 О моделировании диффузии неравновесных неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводнике

Стендовый•Степович Михаил Адольфович•Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского

С46 Исследование дизайна и характеристик фоточувствительных элементов на основе твердых растворов CdHgTe

Стендовый•Яковлева Наталья Ивановна•АО ″НПО ″ОРИОН″

С47 Исследования отношения сигнал/шум и темновых токов гетероструктур на основе соединений сурьмы

Стендовый•Яковлева Наталья Ивановна•АО ″НПО ″ОРИОН″

С48 Исследование зависимости эмпирических значений ширины запрещенной зоны CdHgTe от метода эпитаксиального роста

Стендовый•Никонов Антон Викторович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С49 Моделирование оптических характеристик микроболометрического пикселя в САПР "COMSOL Multiphysics"

Стендовый•Левчук Дмитрий Сергеевич•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″.

С50 Моделирование деформаций микроболометрического пикселя в САПР "COMSOL Multiphysics"

Стендовый•Левчук Дмитрий Сергеевич•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″.

С52 Расчет исходных данных для контроля центрирования компонентов оптико-электронных систем с использованием макроса программы ZEMAX

Стендовый•Ильинский Роман Евгеньевич•АО ″Лыткаринский завод оптического стекла″

С53 Изготовление микролинз и пленок методом горячего прессования из халькогенидного стекла ИКС25

Стендовый•Самигуллин Марсель Эдуардович •Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого (СПбПУ)

С54 Создание и применение полимерного оптического материала на основе эпоксидной смолы

Стендовый•Откупман Дмитрий Григорьевич•МИИГАиК

С55 Разработка иммерсионного материала из стекол по разрезу As2Se3 – SSe2 для изучение включений в алмазах

Стендовый•Маннатхоко Нео•ИПМЭиТ

С56 Низкоуровневые камеры и их применения в приборах наблюдения

Стендовый•Сафонов Владимир Викторович•″НТЦ ″ЛЭМТ″ БелОМО

С57 Двухканальный монокуляр с призмой Пехана