Доклад: Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD

Написать

В расписание

Докладчик

Краснова Ирина Андреевна

ИФП СО РАН

Автор(ы)

Краснова И.А., Закиров Е.Р., Сидоров Г.Ю.

Тип доклада

Устный

Конференция

XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ

Секция программы

Секция 4. Технология изготовления фотоприемных устройств (Зал 2)

Дата и время

четверг, 30 мая (начало в 15:30)

Материалы доклада

Тезисы

Тезисы не доступны.

Презентация

У доклада нет презентации.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения

Другие доклады секции: 8

15:00 | Напыление сверхтонких пленок золота методом импульсной лазерной абляции на подложки кремния и кварца

Колосовский Данил Антонович•ИТ СО РАН

15:15 | Локальные измерения слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники

Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

15:30 | Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD

Краснова Ирина Андреевна•ИФП СО РАН

16:00 | Процессы фотолитографии для изготовления матричных фоточувствительных структур из коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца