Доклад: Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD
Докладчик
Краснова Ирина АндреевнаИФП СО РАН
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
четверг, 30 мая (начало в 15:30)
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 8
15:15 |
Локальные измерения слабых напряжений на поверхности структур
(013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники
Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
15:30 |
Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD
Краснова Ирина Андреевна•ИФП СО РАН
16:00 |
Процессы фотолитографии для изготовления матричных фоточувствительных структур из коллоидных квантовых точек на основе сульфида свинца
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
Мирофянченко Екатерина Васильевна•АО ″НПО ″ОРИОН″
15:45 |
Исследование гибридизации матричных фотоприемных устройств на установке с автоколлиматором
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
16:30 |
Моделирование, исследование и оптимизация параметров микрокриогенных систем Стирлинга
Некрасов Глеб Игоревич•АО ″НПО ″ОРИОН″
Некрасов Глеб Игоревич•АО ″НПО ″ОРИОН″