Доклад: Локальные измерения слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники

Написать

Докладчик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Автор(ы)

Дворецкий С.А.

Соавтор(ы)

Ступак М.Ф., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г.

Тип доклада

Устный

Конференция

XXVII МЕЖДУНАРОДНАЯ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФОТОЭЛЕКТРОНИКЕ И ПРИБОРАМ НОЧНОГО ВИДЕНИЯ

Секция программы

Секция 4. Технология изготовления фотоприемных устройств (Зал 2)

Дата и время

четверг, 30 мая (начало в 15:15)

Материалы доклада

Тезисы

Тезисы не доступны.

Презентация

У доклада нет презентации.

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2025 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Создать тему обсуждения

Другие доклады секции: 8

15:00 | Напыление сверхтонких пленок золота методом импульсной лазерной абляции на подложки кремния и кварца

Колосовский Данил Антонович•ИТ СО РАН

15:15 | Локальные измерения слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники

Михайлов Николай Николаевич•Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

15:30 | Изучение электрофизических характеристик границы раздела HfO2/HgCdTe с различной обработкой поверхности методом PE-ALD