Доклад: Поверхностно облучаемые фотодиоды для спектральной области 2÷4.5 мкм на основе ДГС N-InAsSbP/InAs(Sb)/P-InAsSbP
Докладчик

ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Соавтор(ы)
Климов А.А., Кунков Р.Э., Лухмырина Т.С., Матвеев Б.А., Усикова А.А.
Тип доклада
Устный
Конференция
Секция программы
Дата и время
четверг, 30 мая (начало в 10:30)
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 10
10:30 |
Поверхностно облучаемые фотодиоды для спектральной области 2÷4.5 мкм на основе ДГС N-InAsSbP/InAs(Sb)/P-InAsSbP