Доклад: Поверхностно облучаемые фотодиоды для спектральной области 2÷4.5 мкм на основе ДГС N-InAsSbP/InAs(Sb)/P-InAsSbP
                            Докладчик                        
                                         Ременный Максим Анатольевич
Ременный Максим АнатольевичФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
                    
                            Соавтор(ы)                        
                                        
                        Климов А.А., Кунков Р.Э., Лухмырина Т.С., Матвеев Б.А., Усикова А.А.                    
                
                            Тип доклада                        
                                        
                        Устный                    
                
                            Конференция                        
                                        
                
                            Секция программы                        
                                        
                
                            Дата и время                        
                                        
                        четверг, 30 мая (начало в 10:30)                    
                Материалы доклада
                                Тезисы
                                
                        
                                    Тезисы не доступны.                                
                            
                                Презентация
                                
                        
                                    У доклада нет презентации.                                
                            Статистика доклада
Статистика просмотров за 2025 год.
Обсуждение доклада
                        Новых тем пока нет
                        
                            Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
        Другие доклады секции: 10    
    
                                                                                    10:30 | 
                                                    
                        Поверхностно облучаемые фотодиоды для спектральной области 2÷4.5 мкм на основе ДГС N-InAsSbP/InAs(Sb)/P-InAsSbP                    
                                
                            







