Доклад: Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона 2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур
Докладчик

СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова
Соавтор(ы)
Пирогов Е.В., Баранцев О.В., Воропаев К.О., Васильев А.А., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Соболев М.С.
Тип доклада
Стендовый
Конференция
Секция программы
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Статистика доклада
Статистика просмотров за 2025 год.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 86
С08 |
Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона
2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур