Доклад: Влияние условий осаждения из паров диметилкадмия и метилаллилтеллура на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и концентрацию ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях CdTe

С01 | Характеристики быстродействующих малоформатных матричных фотоприемников на основе InSb

Пермикина Елена Вячеславовна•АО ″НПО ″ОРИОН″

С02 | Тестовые структуры для исследования МФПУ на основе InSb с высокой разрешающей способностью и полем зрения при обнаружении тепловых объектов

Лопухин Алексей Алексеевич•АО ″НПО ″ОРИОН″

С03 | Широкополосный микроболометрический приемник инфракрасного, терагерцового и миллиметрового излучения

Демьяненко Михаил Алексеевич•ИФП СО РАН

С04 | Получение многослойных подвесных структур чувствительных элементов микроболометров с низкой остаточной деформацией

Демидович Сергей Александрович•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″

С05 | Фотоприемные и излучающие наноструктуры на основе халькогенидов свинца: контроль технологии и повышение быстродействия

Халугарова Камиля•СПбГЭТУ ЛЭТИ

С06 | Влияние размера диодов на пространственное разрешение линейных фотоприёмников СВИК-диапазона на основе материала КРТ

Вишняков Алексей Витальевич•Институт физики полупроводников СО РАН

С07 | Фоторезисторы из ГЭС КРТ МЛЭ состава Х=0.2 и Х=0.3 с n-n+ переходом, работающие в неравновесном режиме эксклюзии неосновных носителей заряда

Волков Виктор Генрихович•САПФИР

С08 | Разработка In0.83Ga0.17As/InP pin-фотодиодов для ближнего ИК диапазона 2,2-2,6 мкм на основе метаморфных гетероструктур

Василькова Елена Игоревна•СПбАУ РАН им. Ж.И. Алферова

С09 | Примесные дефекты в оптической керамике из фтористого магния (MgF2)

Дунаев Анатолий•АО ″НПО ГОИ им. С.И. Вавилова″

С10 | Площадь эффективной засветки кремниевых фотоэлектронных умножителей

Кочергина Ольга Викторовна•УО Белорусская государственная академия связи

С11 | Анализ поверхностных дефектов на последовательных стадиях выращивания ZnTe/CdTe/HgCdTe на подложках Si с ориентацией (013)

Якушев Максим Витальевич•ИФП СО РАН

С12 | Формирование границы раздела HfO2–CdHgTe методом низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения

Закиров Евгений Рашитович•ИФП СО РАН

С13 | Обработки поверхности CdHgTe после жидкостного травления в Br:HBr

Краснова Ирина Андреевна•ИФП СО РАН

С14 | Контроль качества групповой стыковки кристаллов

Иродов Никита Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С15 | Дифракция в фотолитографических процессах, как причина неоднородности чувствительности элементов фотоприемных матриц

Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С16 | Образование дефектов диэлектрических слоев в процессах диффузии в кремнии

Болтарь Константин Олегович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С17 | Исследование краевой металлизации оптически прозрачных окон, формируемого методом магнетронного напыления

Трухачев Антон Владимирович•АО ″НПО ″ОРИОН″

С18 | Импульсное реактивное магнетронное распыление как метод нанесения термочувствительных пленок оксида ванадия для микроболометров

Занько Андрей Иванович•ОАО ″ИНТЕГРАЛ″ - управляющая компания холдинга ″ИНТЕГРАЛ″

С19 | p-n-переход на коллоидных квантовых точках

Гусев Владислав Игоревич•ФТИ им. А.Ф. Иоффе

С20 | Фотолюминесцентные свойства перовскитных НК CsxPbyBrz в зависимости от условий синтеза

Королева Таисия Викторовна•НИ РХТУ им. Д. И. Менделеева

С21 | Влияние комбинации добавок K2Cr2O7 (KMnO4) и NH4I на фоточувствительные свойства пленок PbS

Бельцева Анастасия Викторовна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С22 | Оптические свойства нестехиометрических оксидов титана

Герасимова Алина Константиновна•ИФП СО РАН

С23 | Фотомемристивные переключения в кристаллах селенида висмута

Зотов Александр Владимирович•ИПТМ РАН

С24 | Структурные и оптические свойства твердых растворов InAs1-xSbx для средневолновых и длинноволновых инфракрасных фотодетекторов.

Клековкин Алексей Владимирович•ФИАН

С25 | Использование in-situ измерений низкотемпературной микрофотолюминесценции для наблюдения перестройки примесно-дефектной системы кубических полупроводников под воздействием лазерного гиперзвука

Кривобок Владимир Святославович•ФИАН

С26 | Оптические и электрофизические свойства барьерно-диодной гетероструктуры на основе InSb

Савин Константин Антонович•ИТМиВТ

С27 | Ближнепольная оптическая микроскопия квантовых точек InSb/GaSb полученных методом МЛЭ

Минаев Илья Иванович•ФИАН

С28 | Нанокристаллы узкозонных полупроводников для однофотонной болометрии

Жуков Николай Дмитриевич•ООО ″НПП Волга″

С29 | Получение монокристаллов и подложек твёрдого раствора Cd(1-X)ZnXTe для МЛЭ КРТ по методу Давыдова – Маркова

Жаворонков Николай Васильевич•АО ″НИИ Материаловедения Зеленоград

С30 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С31 | Механизмы формирования тока в nBn- структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области

Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С32 | Расчет характеристик лавинных фотодиодов Ge/Si для атмосферного канала связи

Коханенко Андрей Петрович•Национальный исследовательский Томский государственный университет

С33 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As

Войцеховский Александр Васильевич•НИ ТГУ

С34 | Влияние длины оптического поглощения света в абсорбере на частотно-контрастную характеристику КРТ-матриц

Стучинский Виктор Андреевич•Институт физики полупроводников СО РАН

С35 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением

Средин Виктор Геннадиевич•Филиал ВА РВСН им. Петра Великого

С36 | Спектроскопические исследования однородности состава монокристаллов твердых растворов CdxHg1 xTe

Средин Виктор Геннадиевич•Филиал ВА РВСН им. Петра Великого

С37 | Выращивание гетероструктур CdHgTe/CdZnTe MOCVD-методом

Чилясов Алексей Викторович•ИХВВ РАН

С38 | Влияние условий осаждения из паров диметилкадмия и метилаллилтеллура на морфологию поверхности, кристаллическое совершенство и концентрацию ростовых дефектов в эпитаксиальных слоях CdTe

Евстигнеев Владимир Сергеевич•ИХВВ РАН

С39 | Оптимальное время охлаждения GaAs приборных пластин после технологического отжига

Алдохин Павел Алексеевич•НФ ИФП СО РАН ″КТИПМ″

С40 | О возможности использования поликремниевых слоев в качестве оптических фильтров

Гаврушко Валерий Владимирович•НовГУ

С41 | Сенсорные свойства полупроводниковых плёнок CdxPb1–xS, химически осаждённых с использованием ацетата кадмия

Дёмина Дарья Александровна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С42 | Влияние йодида аммония на фоточувствительные свойства химически осажденных пленок PbSe(I)

Будкина Виктория Алексеевна•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С43 | Фотоэлектрические свойства пленок PbS(I), PbS(I, Co) и PbS(I, Ni)

Поздин Андрей Владимирович•АНО ВО УРУ-УИЭУИП

С44 | Модификация метода гидрохимического осаждения сульфида свинца