Доклад: Исследование 100 мм пластин Ge, предназначенных для эпитаксиальных процессов
Докладчик
Малыгин Владислав АнатольевичАО ″НПО ″ОРИОН″
Соавтор(ы)
Косякова А.М., Гончаров А.Е., Гладышева К.А., Кулаковская Т.В., Топаков Д.В., Трофимов А.А.
Тип доклада
Устный
Конференция
Дата и время
пятница, 31 мая (начало в 10:15)
Материалы доклада
Тезисы
Тезисы не доступны.
Презентация
У доклада нет презентации.
Обсуждение доклада
Новых тем пока нет
Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.
Другие доклады секции: 10
09:00 |
Базовая технология полирования пластин InSb для эпитаксиального роста фоточувствительных материалов методом МЛЭ
Улькаров Вадим Айратович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Улькаров Вадим Айратович•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:15 |
Подложки CdZnTe для эпитаксиального выращивания твердых растворов А2В6 методом МЛЭ
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
Трофимов Александр Александрович•АО ″НПО ″ОРИОН″
09:30 |
Разработка промышленно-ориентированной технологии изготовления полированных пластин InSb диаметром до 100 мм
Козлов Роман Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
Козлов Роман Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
09:45 |
К вопросу о канальной неоднородности в монокристаллах InSb(Te), выращенных в различных кристаллографических направлениях
Комаровский Никита Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
Комаровский Никита Юрьевич•ГИРЕДМЕТ
10:00 |
Некоторые тенденции развития технологий выращивания объемных кристаллов фотоники
Наумов Аркадий Валерьевич•ОКБ ″АСТРОН″
Наумов Аркадий Валерьевич•ОКБ ″АСТРОН″
10:15 |
Исследование 100 мм пластин Ge, предназначенных для эпитаксиальных процессов
Малыгин Владислав Анатольевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
11:15 |
Моделирование и оптимизация электрооптического эффекта в модуляторе Маха-Цендера на технологической платформе InP
Гришаков Константин Сергеевич•Национальный исследовательский ядерный университет ″МИФИ″
Гришаков Константин Сергеевич•Национальный исследовательский ядерный университет ″МИФИ″