Статья: Матричные планарные и мезаструктуры на основе гетероэпитаксиальных слоев InGaAs (2013)

Для одновременной фокусировки приосевых и удаленных от оси пучков заряженных частиц предложена и теоретически исследована электростатическая линза, состоящая из набора коаксиальных цилиндрических электродов. Численно рассчитаны параметры такой комбинированной линзы. Выигрыш в интенсивности пучка по сравнению с широко используемой одиночной осесимметричной линзой возрастает в несколько раз.

Приведены результаты разработки ультрафиолетового объектива, построенного на основе двух склеенных компонентов. Объектив обладает достаточно высоким качеством изображения и предназначен для использования в оптико-электронных приборах, построенных на основе матричных фотоприемников формата 320×256 с шагом 30 мкм. В статье также приведены результаты измерения пятна рассеяния объектива.

Приведено описание введенного в эксплуатацию экспериментального комплекса HVEE- 500 НИИЯФ МГУ, позволяющего исследовать поверхности и тонкие пленки с разрешением по глубине вплоть до 1─2 монослоев. В комплексе предусмотрена возможность проведения in situ экспериментов по взаимодействию ионных пучков с покрытиями и исследования их с применением ионно-пучковых методик. Имплантация ионов от 1 до 250 атомной единицы массы проводится в мишени с размерами до 150х150 мм с однородностью дозы по этой площади не хуже 99%.

В статье рассматривается принцип работы и конструкция диффузионного источника ионов натрия на базе разрядной трубки натриевой лампы высокого давления типа Днат- 400. Созданный источник ионов натрия может найти применение в технике физического эксперимента, в разборных конструкциях электровакуумных приборов. Он прост по конструкции, экономичен и допускает развакуумирование вакуумной системы.

Представлены результаты определения химического состава плазменных струй тлеющего разряда атмосферного давления на постоянном токе в различных газовых смесях методами эмиссионной и абсорбционной спектроскопии и их инактивационного воздействия на поверхность агаризованной питательной среды, контаминированной бактериями Staphylococcus aureus.

В рассматриваемой работе приводятся результаты экспериментальных исследований формирования и развития ударных волн как при наличии внешнего продольного магнитного поля, так и без него, а также результаты влияния продольного магнитного поля на стадию сверхзвукового расширения искрового канала в аргоне атмосферного давления в коротких межэлектродных промежутках. Показано, что наложение магнитного поля приводит к заметному уменьшению скорости расширения плазменной области.

С использованием секционированного анода в геометрии острие-плоскость исследован радиальный профиль плотности тока отрицательной короны в аргоне. Экспериментально обнаружено сужение радиального распределения тока по аноду и уменьшение светового диаметра у анода с ростом тока короны. Получена параболическая аппроксимация для вольтамперной характеристики отрицательной короны в аргоне, с учетом экспериментально обнаруженного сужения токового сечения на аноде с ростом тока короны.

В работе представлены результаты математического моделирования параметров плаз- мы индуктивного ВЧ разряда в аргоне PIC методом в диапазоне давлений 1мТор — 1Тор. Показано, что при низких давлениях в области скин-слоя азимутальное поле осциллирует на основной частоте со средним значением равным нулю, в то время как радиальное поле имеет отличную от нуля постоянную составляющую. Осцилляции азимутального электрического поля приводят к формированию пучка электронов, азимутальная скорость которого осциллирует со временем, достигая максимума дважды за период.

В работе представлены результаты экспериментального исследования эффективной температуры и концентрации электронов в области скин-слоя индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах. Диапазон рассмотренных давлений 0.3─1000 мТорр. Результаты измерений проявили немонотонную зависимость параметров плазмы от давления. Показано, что при давлениях, соответствующих минимуму электронной температуры, частота упругих столкновений в аргоне и криптоне ниже, чем в гелии, вследствие эффекта Рамзауэра.

В настоящее время растёт интерес к протонным проводникам и полупроводникам, поскольку самым безопасным и легко управляемым способом транспорта водорода является протонный перенос в твердотельных протонных проводниках. Достаточно полно исследован протонный транспорт в твёрдых электролитах, но диапазон исследованных кристаллических диэлектриков небольшой. Особенно актуальным представляется разработка способов получения и диагностики протонных проводников и полупроводников с заданными свойствами.

При помощи подходов, характерных для математического моделирования, рассматриваются некоторые проявления экситонных поляритонов, образующихся в результате взаимо действия световой волны с микрорезонатором, содержащим квантовые ямы в AlGaN микрополости. Методом матриц переноса получены электрическое поле световой волны в микрорезонаторе и угловая дисперсия поляритонных веток.

Представлена и численно исследована модель релаксации фотопроводимости пористого кремния, в которой учитывается рекомбинация фотоносителей на поверхности цилиндрических пор при синусоидально модулированном потоке света. Методом конечных элементов рассчитана частотная зависимость фотопроводимости пористого кремния и зависимость частоты модуляции света, при которой переменная составляющая фотопроводимости уменьшается вдвое при увеличении скорости поверхностной рекомбинации, а также при изменении радиуса пор и среднего расстояния между ними.

Представлены результаты исследования морфологии поверхности эпитаксиальных пленок Pb1-xSnxSe (x = 0,07), полученные различными методами термического напыления (метод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами и проведено сравнение с другими АIVBVI. Установлено, что образование черных скоплений на поверхности эпитаксиальных пленок характерно для халькогенидов АIVBVI и морфология поверхности сильно влияет на электрофизические свойства.

В работе представлено описание теоретической модели расчёта спектров фотолюминесценции структур на основе CdxHg1-xTe (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и содержащих потенциальные и квантовые ямы (КЯ). В основу модели положен расчёт зонной диаграммы посредством самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шрёдингера. Особенностью представленной модели является, в частности, то, что при расчётах была учтена зависимость электронного сродства от состава КРТ.