Приведено описание введенного в эксплуатацию экспериментального комплекса HVEE- 500 НИИЯФ МГУ, позволяющего исследовать поверхности и тонкие пленки с разрешением по глубине вплоть до 1─2 монослоев. В комплексе предусмотрена возможность проведения in situ экспериментов по взаимодействию ионных пучков с покрытиями и исследования их с применением ионно-пучковых методик. Имплантация ионов от 1 до 250 атомной единицы массы проводится в мишени с размерами до 150х150 мм с однородностью дозы по этой площади не хуже 99%.
В работе проводилось облучение плёнок кремния ионами кремния с энергией 200–230 кэВ в температурном диапазоне от температуры жидкого азота до комнатной. Показано, что с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света можно проводить интегральный анализ качества кристалличности структуры после облучения, что значительно сокращает время исследования. Изучено влияние ионного облучения на проводимость пленки кремния.