Статья: Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния (2017)

Читать онлайн

В работе проводилось облучение плёнок кремния ионами кремния с энергией 200–230 кэВ в температурном диапазоне от температуры жидкого азота до комнатной. Показано, что с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света можно проводить интегральный анализ качества кристалличности структуры после облучения, что значительно сокращает время исследования. Изучено влияние ионного облучения на проводимость пленки кремния.

Silicon films were irradiated with the 200–230 keV Si+ ions at the target temperature varied from the liquid nitrogen to a room temperature. It was shown that the integrated analysis of the lattice quality after irradiation can be performed using Raman spectroscopy, which significantly reduces the time of the research. The influence of ion irradiation on the conductivity of the silicon films was studied.

Ключевые фразы: ионная имплантация, ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ, комбинационное рассеяние света
Автор (ы): Кушкина Ксения Дмитриевна, Назаров Антон Викторович, Шемухин Андрей Александрович, Евсеев Александр Павлович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
539.534.9. Действие пучков ионов
eLIBRARY ID
29256703
Для цитирования:
КУШКИНА К. Д., НАЗАРОВ А. В., ШЕМУХИН А. А., ЕВСЕЕВ А. П. ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2017. №2
Текстовый фрагмент статьи