Статья: Прецизионное травление тонких легированных слоев кремния (2017)

Читать онлайн

Проведен выбор состава травителя для прецизионного удаления тонкого высоколегированного геттерирующего слоя кремния. Наиболее контролируемый процесс удаления обеспечивает травитель состава HNO3: HF: CH3COOH = 40:1:1. Он позволяет при полном стравливании геттерирующего слоя сохранить требуемую толщину контактного слоя, предотвращающего выход области объемного заряда рп-перехода на тыльную поверхность базы фоточувствительного элемента, обеспечивая тем самым снижение величины темновых токов и увеличение процента выхода годных изделий.

A selection of the etchant composition for the precise removal of a thin high-solitized gettering layer of silicon has been carried out. The most controlled removal process is provided by an etchant composition HNO3: HF: CH3COOH = 40: 1: 1. It allows to maintain the required thickness of the contact layer, which prevents the exit of the space-charge region of the p–n-junction to the rear surface of the base of the photosensitive element, while ensuring full removal of the gettering layer, thereby ensuring the reduction of the magnitude of dark currents and an increase in the percentage of yield of suitable products.

Ключевые фразы: кремний, геттерирующий слой, травитель
Автор (ы): Боровкова Алла Юрьевна, Гришина Татьяна Николаевна, Матюхина Елена Сергеевна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315. Передача электрической энергии. Провода и кабели, используемые для передачи энергии и для связи. Проводники. Электроизоляционные материалы. Линейная арматура. Сооружение линий электропередачи
eLIBRARY ID
29256701
Для цитирования:
БОРОВКОВА А. Ю., ГРИШИНА Т. Н., МАТЮХИНА Е. С. ПРЕЦИЗИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ ТОНКИХ ЛЕГИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2017. №2
Текстовый фрагмент статьи